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Semiconductores intrínsecos y
dopados
Física Electrónica
¿Qué es un semiconductor intrínseco?
• Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra
  en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni
  átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
  cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de
  valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de
  electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
  conducción.
Semiconductor intrínseco
En el caso de los semiconductores intrínsecos el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de
banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de
valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los
semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio
(Ge) es de 0,785 eV.
Conducción intrínseca

                              C, Si, Ge

  Si              Si    0ºK   Grupo IV de la
                              tabla periódica
                              1s2
                              2s2 2p2
                              3s2 3p2 3d10
                              4s2   4p2
  Si              Si          Faltan 4 electrones
                              en la última capa
Conducción intrínseca


              Si        Si   Si       0ºK

                    +
              Si        Si   Si
                                     300ºK
Electrón                          Hueco
              Si        Si   Si
Acción del campo eléctrico

      -                            +
                Si       Si   Si
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                Si       Si   Si
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                Si       Si   Si

      -                            +
Acción del campo eléctrico

 Conclusiones:

   La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de
    portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES

   La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas
    de los semiconductores:



mayor                     más portadores              menor
temperatura               de carga                    resistencia
Materiales Dopantes
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al
proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el
fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas
utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce
como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa
más como un conductor que como un semiconductor, es
llamado degenerado.
Impureza
Sustancia o conjunto de sustancias extrañas a un
cuerpo o materia que están mezcladas con él y alteran,
en algunos casos, alguna de sus cualidades.
¿Para que sirve dopar?
La idea de dopar un semiconductor es variar sus
propiedades eléctricas.

Los metales conducen a base de tener electrones sueltos
en su capa superior. Cuando se fabrican semiconductores,
se buscan generalmente de dos tipos, P y N.
Dopaje en tipo P

 Los de tipo P son dopados con otros elementos para
 que les falten electrones, lo que normalmente se
 denominan huecos en electrónica.
Dopaje en tipos N

• Los de tipo N se dopan para tener electrones de
  más.
Fuentes de información
• http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semico
  nductor_4.htm
• http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
• http://www.fisicanet.com.ar/fisica/electrodinamica/ap06_conduc
  tores_aislantes.php

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Semiconductores intrínsecos y dopados

  • 2.
  • 3. ¿Qué es un semiconductor intrínseco? • Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.
  • 4. Semiconductor intrínseco En el caso de los semiconductores intrínsecos el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.
  • 5. Conducción intrínseca C, Si, Ge Si Si 0ºK Grupo IV de la tabla periódica 1s2 2s2 2p2 3s2 3p2 3d10 4s2 4p2 Si Si Faltan 4 electrones en la última capa
  • 6. Conducción intrínseca Si Si Si 0ºK + Si Si Si 300ºK Electrón Hueco Si Si Si
  • 7. Acción del campo eléctrico - + Si Si Si - + - + + + Si Si Si - + - + Si Si Si - +
  • 8. Acción del campo eléctrico Conclusiones:  La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES  La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas de los semiconductores: mayor más portadores menor temperatura de carga resistencia
  • 9.
  • 10. Materiales Dopantes En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
  • 11. Impureza Sustancia o conjunto de sustancias extrañas a un cuerpo o materia que están mezcladas con él y alteran, en algunos casos, alguna de sus cualidades.
  • 12. ¿Para que sirve dopar? La idea de dopar un semiconductor es variar sus propiedades eléctricas. Los metales conducen a base de tener electrones sueltos en su capa superior. Cuando se fabrican semiconductores, se buscan generalmente de dos tipos, P y N.
  • 13. Dopaje en tipo P Los de tipo P son dopados con otros elementos para que les falten electrones, lo que normalmente se denominan huecos en electrónica.
  • 14. Dopaje en tipos N • Los de tipo N se dopan para tener electrones de más.
  • 15. Fuentes de información • http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semico nductor_4.htm • http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores) • http://www.fisicanet.com.ar/fisica/electrodinamica/ap06_conduc tores_aislantes.php