Este documento proporciona información sobre semiconductores intrínsecos y dopados. Explica que los semiconductores intrínsecos son aquellos que no contienen impurezas, donde la cantidad de huecos es igual a la de electrones libres. Los semiconductores dopados son aquellos a los que se les agregan pequeñas cantidades de impurezas, ya sea del tipo P o del tipo N, lo que genera un exceso de portadores mayoritarios. El documento también incluye ejemplos e imágenes que ilustran estos conceptos.

2. SEMICONDUCTORES
 Ingresa a los siguientes links, descarga la información
relacionada con los semiconductores.
a) Infórmate 1
b) Infórmate 2
 Realiza una presentación en Power Point sobre los semiconductores intrínsecos y los
semiconductores dopados, como máximo 16 diapositivas. publica tu presentación en:
www.slideshare.net
 Envía la dirección de tu publicación a tu profesor.
Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de información de
donde has obtenido las imágenes. Esto demostrará que has realizado una buena
investigación.

3. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores , como por Ejem: el campo eléctrico o
magnético , la presión ,la radicación que le incide ,o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre .los elementos químicos semiconductores
de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el germanio .posteriormente
se ha comenzado a emplear también el azufre .la características común a
todos ellos es que son tetralentes ,teniendo el silicio una configuración
electrónica s2 p2.

4. IIIA IVA VA
B C N
IIB AI Si P
Zn Ga Ge As
Cd In Sn Sb
Hg Ti Pb Bi
Semiconductores de la tabla periódica química
SEMICONDUCTORES

8. ¿QUÉ ES UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su
estructura .
En ese caso , la calidad de huecos que dejan los electrones
en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida sea
igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conclusión

9. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS :
Como se puede observar en la induración , en
el caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es
mucho mas estrecho en comparación con los
materiales aislantes . La energía de salto de
banda (Eg)requerida por los electrones para
saltar de la banda de valencia a la de
conducción es de 1eV aproximadamente .en
los semiconductores de silicio (SI),la energía
de salto de banda requerida por los
electrones es de 1,21 eV, mientras que en los
de germanio(Ge)es de 0,785eV.

10. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS:
Estructura cristalina de u semiconductor
intrínseco compuesta solamente por
átomos de silicio (si) que forman una
celosía ,como se puede observar en la
ilustración ,los átomos de silicio (que
solo poseen cuatro electrones en la
ultima orbita o banda de valencia ), se
unen formando enlaces covalentes para
completar 8 electrones y crear así un
cuerpo solido semiconductor .en esos
condiciones el cristal de silicio se
comportara igual que si fuera un cuerpo
aislante

11. SEMICONDUCTORES DOPADOS:
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en
las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña cuando
se agregan un pequeño numero de átomos )entonces se dice que el dopaje
es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos (en el orden de 1
cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado .este
dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de
tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que permiten la
aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos .los átomos de
este tipo se llaman donantes ya que «donan» o entregan electrones .suelen
ser de valencia 5 , como el arsénico y el fosforo de esta forma , no se han
desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al
semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones que
huecos ,por lo que los primeros serán los portadores mayoritarias y los
últimos los minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será
funciones directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.

12. SEMICONDUCTORES DOPADO:
Es un ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo
(dopaje N). En el caso del fosforó ,se dona un
electrón

13. SEMICONDUCTORES DOPADOS :
TIPO P:
Se llama así al material que tiene átomos de impureza que permiten formación de
huecos sin que aparescan electrones asociados a los mismos , como ocurre al
romperse una ligadura . Los átomos de este tipo se llaman aceptores , ya que
«aceptan «o toman un electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio
,el indio o el galio .nuevamente .el átomo introduciendo es neutro ,por lo que no
modificara la neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que solo tiene 3
electrones en su ultima capa de valencia , a parecerá una ligadura rota. que
tendera a tomar electrones s de los átomos próximos ,generando finalmente mas
huecos que electrones , por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios
y los segundos los minoritarios

14. DOPANTES :
TIPO P:
Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). En el caso
del boro le falta un electrón y ; por tanto .es donado un hueco de
electrón.

15. INFORMACION:
 http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf
 Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
 http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.
 http://es .wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductores¡ntr.C3.Adnsecos
 http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke _semiconducto
 http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29

16. GRACIAS.