El documento resume las características de diferentes tipos de transistores, incluyendo JFET, MOSFET, fototransistores, transistores de contacto puntual y transistores de unión bipolar. Explica que los JFET funcionan variando la tensión entre la puerta y la fuente, mientras que los MOSFET usan una estructura metal-óxido-semiconductor. También describe que los fototransistores pueden funcionar controlando su corriente con luz, y que los primeros transistores eran de contacto puntual sobre una base de germanio.

1. TRANSISTORES
Alumno: Alfaro Ipanaqué Carlos Eduardo
Curso: Física electrónica
Ciclo: IV
Carrera: Ing. sistemas e informática

2. TRANSISTOR JFET
 Es un dispositivo electrónico,
esto es, un circuito que, según
unos valores eléctricos de
entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de
los JFET, al ser transistores de
efecto de campo eléctrico, estos
valores de entrada son las
tensiones eléctricas, en concreto
la tensión entre los terminales S
(fuente) y G(puerta), VGS.
Según este valor, la salida del
transistor presentará una curva
cara.

3. CURVA CARACTERISTICA
 Tiene una resistencia de entrada
extremadamente alta (casi
100MΩ).
 No tiene un voltaje de unión
cuando se utiliza como
conmutador(interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la
radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar
una mayor estabilidad térmica.

4. TRANSISTOR MOSFET
 Es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar
señales electrónicas ,es el
transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya
sea en circuitos analógicos o
digitales, aunque el transistor
de unión bipolar fue mucho
más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de
los micro procesadores
comerciales están basados
en transistores MOSFET.

5. CARACTERISTICAS
 Constructiva común a todos
los tipos de transistor MOS
es que el terminal de puerta
(G) está formado por una
estructura de Tipo
Metal/Óxido/Semiconductor.
El óxido es aislante, con lo
que la corriente de puerta es
prácticamente nula, mucho
menor que en los JFET. Por
ello, los MOS se emplean
para tratar señales de muy
baja potencia.

6. FOTO TRANSISTOR
 Los fototransistores son sensibles
a la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz
visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo
mismo que un transistor normal,
sólo que puede trabajar de
2maneras diferentes: Como un
transistor normal con la corriente
de base (IB)(modo común).Como
fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las
veces de corriente de base.
(IP)(modo de iluminación).

7. CARACTERISTICAS

8. TRANSISTOR DE
CONTACTOPUNTUAL
 Llamado también transistor de
punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por
J. Bardeen y W. Brattain. Consta
de una base de germanio,
semiconductor para entonces
mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de
cobre, sobre la que sea poyan,
muy juntas, dos puntas metálicas
que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia
que se "ve "en el colector, de ahí
el nombre de "transfer resistor".

9. CARACTERISTICAS
 Consta de una base de
germanio , semiconductor
para entonces mejor
conocido que la combinación
cobre óxido de cobre , sobre
la que se apoyan ,muy
juntas, dos puntas metálicas
que constituyen el emisor y
el colector .La corriente de
base es capaz de modular la
resistencias que se “ve“ en el
colector , de ahí el nombre
de “transfer resistor”

10. TRANSISTOR DE UNION
BIPOLAR
 Es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre
sí, que permite controlar el paso
de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de
bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante
baja.