transistores

1. ESTUDIANTE: SERGIO ALEXIS EGOAVIL BALDERA
ESPECIALIDAD: INGENIERIA DE SISTEMAS E
INFORMATICA
DOCENTE: EUSEBIO CARRASCO SAJAMI

2. * Los transistores son unos elementos que han
facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos
electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad
y facilidad de control.
* Dispositivo semiconductor que permite el control y
la regulación de una corriente grande mediante una
señal muy pequeña.
* Dispositivo semiconductor que tiene dos o mas
electrodos
* Los tres electrodos principales son emisor, colector
y base.
* La conducción entre estos electrodos se realiza por
medio de electrones y huecos.
* Generalmente se suelen usar al germanio y al silicio
como materiales semiconductores.

3. * Los transistores tienen multitud de
aplicaciones, entre las que se encuentran:
* Amplificación de todo tipo (radio, televisión,
instrumentación)
* Generación de señal (osciladores, generadores
de ondas, emisión de radiofrecuencia)
* Conmutación, actuando de interruptores
(control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación
por anchura de impulsos PWM)
* Detección de radiación luminosa
(fototransistores).
* Es un dispositivo semiconductor de tres capas,
que consiste de dos capas de material tipo n y
una capa tipo p, o bien de dos capas de
material p y una tipo n, al primero se le llama
transistor NPN , en tanto que el segundo
transistor PNP .

4. * EMISOR: Que emite los
portadores de corriente(huecos o
electrones) cátodo. Su labor es
equivalente al cátodo, en los tubos
de vacío o lámparas electrónicas.
* BASE :Que controla el flujo de los
portadores de corriente(rejilla
cátodo). Su labor es equivalente a
la rejilla cátodo, en los tubos de
vacíos o lámparas electrónicas.
* COLECTOR: Que capta los
portadores de corriente emitidos
por el emisor. Su labor es
equivalente a la placa en los tubos
de vacío o lámparas electrónicas.

5. * Es un tipo especial de transistor FET que
tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es
llamado MOSFET de canal N y el PNP es
llamado MOSFET
* Son dispositivos de efecto de campo que
utilizan un campo eléctrico para crear una
canal de conducción.
* Son dispositivos más importantes que los
JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la
tecnología MOS.
* La corriente que fluye por el transistor
ingresa por el surtidor(fuente),este la
conduce por un sustrato(región tipo p)que es
un canal angosto hasta llegar al drenador(tipo
n).
* A la izquierda, hay una compuerta metálica
llamada graduador(aislante).por ser aislante
la corriente en el graduador es despreciable.

6. * Los transistores MOSFET se pueden dañar
con facilidad y hay que manipularlos con
cuidado. Debido a que la capa de óxido es
muy delgada, se puede destruir con
facilidad si hay alta tensión o hay
electricidad estática.
* El transistor Mosfet efectúa el proceso
anterior,VDD conduce los electrones del
surtidor al drenador a la izquierda del
sustrato tipo p.
* La tensión del graduador puede regular la
corriente que pasa por el canal.

7. * Transistor de efecto de campo de
juntura o unión.
* Llamado transistor unipolar, fue el
primer transistor de efecto de campo
en la practica.
* La forma
una barra de material
semiconductor de silicio de tipo n o
p
* En los terminales de la barra se
establece un contacto óhmico,
tenemos así un transistor de efecto
de campo tipo n de la mas básica.

8. * MESFET significa transistor metálico
semiconductor de efecto de campo.
* Es muy similar a un JFET en la construcción y
terminología. La diferencia es que en lugar de
utilizar una unión pn para una puerta, una Schottky
( de metal - semiconductor ) unión se utiliza.
* MESFET se construyen normalmente en las
tecnologías de semiconductores compuestos que
carecen de pasivación de alta calidad de la
superficie, tales como Ga, As , InP , o Si, C , y son
más rápidos pero más caros que los basados ​en
silicio JFET o MOSFET .
* MESFET de producción son operados hasta
aproximadamente 45 GHz, y se utilizan
comúnmente para microondas de frecuencia de
comunicaciones y de radar .
* El MESFET difiere de la puerta común aislada FET o
MOSFET en que no hay aislante debajo de la puerta
sobre la región de conmutación activa. Esto implica
que la puerta debe MESFET, en el modo de
transistor, estar sesgada de tal manera que uno no
tiene un diodo semiconductor de metal hacia
delante en lugar de la realización de una zona de
agotamiento invertida sesgada controlar el canal
subyacente. Si bien esta restricción inhibe ciertas
posibilidades de circuito.

9. * Es un tipo de transistor que se basa en el
contacto de dos tipos de
semiconductores para su
funcionamiento. BJT puede ser utilizado
como amplificadores , conmutadores o
en osciladores . BJT se pueden encontrar
ya sea como componentes individuales
discretos, o en grandes cantidades como
partes de circuitos integrados .
* El flujo de carga en un BJT es
bidireccional debido a la difusión de los
portadores de carga a través de una
unión entre dos regiones de diferentes
concentraciones de carga. Las regiones
de un BJT se denominan emisor, colector
y base.
* Transistor bipolar de unión.
* El termino bipolar refleja el hecho de
que los huecos y los electrones
participan en el proceso de inyección
hacia el material polarizado de forma
opuesta.

10. * Son utilizados hoy dia en la
realización de osciladores y
amplificadores en el rango de
frecuencias de microondas, debido a
que la presencia de una heterounión
en su constitución permite realizar
un mayor dopaje de la base, lo que
conduce a una reducción de la
resistencia de ésta sin degradar la
ganancia.
* Las siglas HBT y HEMT pertenecen a
las palabras HETEROJUCTION
BIPOLAR TRANSISTOR(BIPOLAR
DE HETEROESTRUCTURA) y HIGH
ELECTRON MOBILITY
TRANSISTOR(de alta movilidad)
* Son dispositivos de 3 terminales
formados por la combinación de
diferentes componentes, con
distintos salto de banda prohibida.

11. * http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
* http://www.slideshare.net/capalara/clase-de-transistores
* http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema2/tema
2.7.html
* http://translate.google.com.pe/translate?hl=es&sl=en&u
=http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transisto
r&prev=/search%3Fq%3Dtransistor%2Bbjt%26hl%3Des%
26tbo%3Dd%26biw%3D1152%26bih%3D735&sa=X&ei=evj
NUL2YOoOk8gTbioHIBA&sqi=2&ved=0CDsQ7gEwAQ
* http://build.bemoor.com/build/transistor_pic.jpg
* http://sub.allaboutcircuits.com/images/03073.png