tarea

1. TRANSISTORES
• Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos.
Busca información de la ficha técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno
JFET y un MOSFET. Elabora una presentación en Power Point donde muestres la
característica de cada diodo.
• Algunas páginas que puedes visitar
• http://www.microelectronicash.com/
• http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
• http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
•
• Publica tu presentación en:
• www.slideshare.net
• Luego, envía la dirección de tu publicación a tu profesor

2. Transistores
• Curso : Física Electrónica
• Ciclo : IV
• Carrera : Ingeniería de Sistemas é informática
• Alumno : Ronal Oodiaga Peña
• Profesor: Condori Zamora Kelly
2014

3. Transitares :
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de ampliador
,oscilador , conmutador o rectificador . El termino» transistor »el la contralacion
en ingles de transfer resistor («resistencia de trasferencia»)actualmente se
encuentran en los estados en todo los aparatos electrónicos de uso diario
:televisión ,radios, computadoras cuarzo ,lámparas fluorescentes ,tomógrafos
,celulares teléfonos, etc.

4. TiposTransistores

5. Transistor JFET:
El transistor JFET( juntion Field efectivo transistor , que se traduce como transistor de
efecto de campo )es un dispositivo electrónico activo unipolar.
Funcionamiento básico:
Tienen tres terminales ,denominas puertas (gate),drenador (drain)y fuente( source) la
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlando por
tensión ,donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre dren ador y fuente.

6. Característica:
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar .
La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuentes
(Vdd)y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (.Vgg)
Al hacer un barrido en corriente directa se obtienen las curvas características del
transistor JFET.
Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen
,nótese que se distinguen tres zonas importantes :l
• a zona óhmica
• la zona de corte
• la zona de saturación.

7. Transistor MOSFET:
Son las siglas de metal oxide semiconductor FIELD EFFECT TRANSITOR,
Consístete en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS es el
transistor mas utilizado en la industria microelectrica .la practica totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Utilización:
Una transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el
que, mediante técnica de difusión de dopantes , se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por
una capa de conductor

8. Características :
Son dos características o tipo de transistores MOS:
1. MOSFET de canal N o NMOS.
2. MOSFET de cana P o PMOS.
A su vez estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement)o deflexión
(deplexion);en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí
únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de
enriquecimiento.

9. Transistor FET:
Tienen también tres terminales que son
1. puerta (gate).
2. Drenador (Drain ).
3. sumidero (sink).
Que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden
estar distribuidos de varias formas.

10. Características :
Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.
- La figura muestra un esquema que ayudara a comprender el funcionamiento de
un FET. en este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.
- La puerta esta polarizada negativamente respecto al a fuente ,por lo quela unión
P N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe una capa decirla .
- Si el material de la puerta esta mas dopado que el de canal ,la mayor parte de la
capa estará formada por el canal.
- Si al tensión de la puerta es cero yVDS-o las capas desiertas profundizar poco en
el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.

11. Transistor bipolar de union(BJT):
El transistor de unión bipolar (del ingles bipolar junction transistor es un
dispositivo eléctrico de estado solido consiste en dos unión es PN muy cercanas
entre si ,que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales
.la denominación de gracias al desplazamiento de portadores de dos electrones
polarizadas(huecos positivos y eléctricos negativos),y son de gran utilidad en
gran numero de aplicaciones :
Pero tienen cierto inconvenientes , entre ellos su impudencia de entrada bastante
baja.

12. Características :
Los transistores bipolares son los transistores mas conocidos y se usan generalmente en
eléctrica analógica aunque también en algunas aplicaciones de eléctrica digital ,como la
tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductores dopadas :
La región del emisor ,la región de la base y la región del colector ,estas regiones son
respectivamente
 Tipo P
 Tipo N
 Tipo de trasmisor se unión bipolar
1. PNP .
2. NPN:

13. Transistor MESFET:
MESFET: significa transistor de efecto de campo de metal semiconductor es muy similar a un
JFET en la construcción terminología la diferencia es que en lugar de utilizar una unión PN
para una puerta una schottky(de metal semiconductor )unión se utiliza MESFET se construye
normalmente en las tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivacion
de alta calidad de la superficie.

14. Caracteristicas:
numerosas posibilidades de fabricación MESFET se han explorado para una amplia
variedad de sistema de semiconductores ,algunas de las principales áreas de
amplificación son:
Comunicaciones militares :
Como amplificador de ruido bajo extremo delantero de los receptores de microonda en
los dos militares de radar y dispositivos de comunicación
comercial opto eléctrica
Comunicaciones por satélite.
Como amplificador de potencia para la etapa de salida de los enlaces de microondas .
Como un oscilador de potencia.

15. Fuentes:
 http://transistoresfetgoleoncom /dos htm
 http://www.unicrom .com/ fut_ transitores _MOSFET
 http://es wipedia org/wiki7transistor de uni%C3%83n bipolar
 http://www.unicrom.com/lut_transitores _MOSFET.asp