2. 1.-FICHA TÉCNICA DEL
TRANSISTOR JFET 2SK161
El JFET
Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusión se
extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador queda
completamente cortado. A ese valor de VGS se
le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las
zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son
negativas, cortándose la corriente para
tensiones menores que Vp.
3. 2.-FICHA TÉCNICA DEL
TRANSISTOR NPN 2N2222;
2N2222A
El diodo rectificador es un dispositivos
de la familia de los diodos. El nombre
diodo rectificador” procede de la aplicación,
que consiste en separar ciclos positivos de
una señal de corriente alterna. Durante la
fabricación de los diodos rectificadores, se
consideran tres factores:
a.-la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función.
b.- la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo .
c.- las tensiones directa e inversa máximas que soportarán.
4. 3.-FICHA TÉCNICA DEL
FOTOTRANSISTOR
TDET500
debido a esto su flujo de corriente es regulado por medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
• Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).
• Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
5. 4.-FICHA TÉCNICA DEL
TRANSISTOR MOSFET
2SK161 El
transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o
MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas.
Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya
sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de
unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales
están basados en transistores MOSFET. Aunque el MOSFET es un
dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador
(D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está
conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales
similares a otros transistores de efecto de campo.
6. 5.-FICHA TÉCNICA DEL
TRANSISTOR DE
POTENCIA 2N3055 El
2N3055
es un transistor NPN de potencia
diseñado para aplicaciones de
propósito general. Fue introducido en
la década de 1960 por la firma
estadounidense RCA usando el
proceso hometaxial para transistores
de potencia, que luego paso a una
base epitaxial en la década de 1970.
Su numeración sigue el estándar
JEDEC. Es un transistor de potencia
muy utilizado en una gran variedad
de aplicaciones
7. 6.-FICHA TÉCNICA DEL
TRANSISTOR BJT
2N4401
El transistor de unión bipolar (del inglés
Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de
estado sólido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre sí, que permite
controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales
Un transistor de unión bipolar está
formado por dos Uniones PN en un
solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres
regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras
dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores
de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha,
que separa el emisor del colector.
• Colector, de extensión mucho
mayor.
