SlideShare una empresa de Scribd logo
1 de 16
REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
                       INSTIITUTO UNIVERSITARIO POLITECNICO
                                 SANTIAGO MARIÑO”
                                EXTENSION MATURIN
                        INGENIERIA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA




 MODELO HÍBRIDO DEL BJT




Profesora: Mariangela Pollonais

                                                          Bachilleres:

                                                          Jesús Romero CI: 20.567.720

                                                          Javier Blanco CI: 23.016.972

                                                              Julio Soto   CI: 22.719.061



                                  Maturín, febrero del 2013
ÍNDICE


                                                            Pá
                                                            g.
INTRODUCCIÓN                                                2
MODELO HÍBRIDO DEL BJT                                      3
Modelo Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común        3
ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN CON CE, CON MODELO   7
HÍBRIDO
Cálculo de Zi                                               8
Cálculo de Zo                                               9
Cálculo de Av                                               9
Cálculo de Ai                                               10
ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN SIN CE, CON MODELO   10
HÍBRIDO
Cálculo de Zi                                               12
Cálculo de Zo                                               12
Cálculo de Av                                               13
Cálculo de Ai                                               13
CONCLUSIONES                                                14




                                    INTRODUCCIÓN
El análisis a pequeña señal consiste en usar un modelo del BJT basado en una red de
dos puertas, el cual es reemplazado en la configuración amplificadora, para así determinar
la ganancia, resistencia de entrada y salida del sistema. En este documento primero se
definen los parámetros h, se muestra el modelo del BJT a pequeña señal para finalmente
plantear un ejemplo de análisis.
MODELO HÍBRIDO DEL BJT:

       El modelo híbrido o equivalente híbrido del transistor es un modelo circuital que
combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de
híbrido.

        La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en
base a la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos.

       La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en c.a.
permite la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje (Av),
ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).

       Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no
considera este aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera.

NOTA: los parámetros hie, hre, hfe y hoe se denominan parámetros híbridos y son
componentes de un circuito equivalente de pequeña señal que se describirá en breve. Los
parámetros que relacionan las cuatro variables se denominan parámetros “h” debido a la
palabra “hibrido”. El parámetro hibrido se selecciono debido a la mezcla de variables “V e
I” en cada ecuación, ocasiona un conjunto “hibrido” de unidades de medición para los
parámetros h

Modelo Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común:

       El transistor BJT NPN en configuración emisor común se muestra en la figura 1.




       Se observa de la figura 1 que el transistor en esta configuración es una red de dos
puertos, un puerto de entrada y un puerto de salida, por tanto puede tratarse como tal.

       Una red de dos puertos en general (figura 2) se describe por el siguiente juego de
ecuaciones:
                                                                                         3
Vi = h11ii + h12 Vo

io = h21ii + h22 Vo




       Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que
relacionan estas variables son los parámetros híbridos, h.

        Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:

V BE = h11iB + h12 VCE         Ecuación 1

iC = h21iB + h22 VCE                  Ecuación 2

El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables.

Si Vce=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que h11 =



        Este parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce como impedancia de entrada con
salida en corto y en BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hie.




De la ecuación 2, se tiene el cual es un parámetro hibrido sin unidades.

Conocido como relación de transferencia directa entre la corriente de salida y la corriente
de entrada, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hfe.




Si ib=0 (entrada en circuito                              abierto)             en la ecuación
1     se   tiene    h12    =


                                                                                           4
Este parámetro h es adimensional y se conoce como relación de transferencia inversa de
voltajes, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hre.




De la ecuación 2, se tiene h22 = el cual es un parámetro híbrido medido en ° y se conoce
como admitancia de salida con entrada en circuito abierto, en el transistor BJT en
configuración emisor común recibe el nombre de hoe.




Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan como:

VBE = hie iB + hre VCE      Ecuación 3

iC = h fe iB + hoe VCE              Ecuación 4

        Cada ecuación puede representarse circuitalmente y la unión de los circuitos
resultantes corresponde al equivalente o modelo híbrido.

        La ecuación 3 se representa a través de circuito en serie (malla), mientras que la
ecuación 4 se representa a través de un circuito en paralelo (nodo), tal como muestra la
figura 3.




       La                                                                    unión de los
dos circuitos                                                                (Figura 4)

                                                                                        5
se hace tomando en cuenta que i E = iC + iB y en c.c. se tiene I E = IC + IB = (β + 1)I B . El
valor de β medido en c.c es aproximado al valor de hfe el cual es un parámetro híbrido
medido en c.a., así: β ≅ h fe con lo que ahora i E = (hfe + 1)iB.




Los valores de hoe y hre son tan pequeños que pueden despreciarse originando un modelo
híbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5.




       El valor de vBE en hre es muy pequeño comparado con vCE, por lo que hre≈0. Este
hecho anula la fuente de voltaje dependiente hrevCE del modelo híbrido de la figura 4.

       En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una admitancia cero hoe≈0 y una admitancia
nula es equivalente a una resistencia infinita; por esta razón en el modelo híbrido
simplificado no aparece hoe.




ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN CON CE, CON MODELO
HÍBRIDO:


                                                                                            6
La figura 6 muestra el circuito amplificador emisor común con CE.




El análisis con parámetros híbridos se realiza a partir del equivalente en c.a. del circuito el
cual es mostrado en la figura 7.




La                                                                           sustitución
del símbolo del BJT por su modelo híbrido (figura 8) permite determinar los valores: Zi,
Zo, Av y Ai.




El                                                                       circuito
equivalente del amplificador emisor común con CE utilizando el modelo híbrido queda
como: (figura 9).




                                                                                             7
Despreciando hre y hoe, el circuito de la figura 9 se representa ahora como el que se indica
en la figura 10, en base al cual se realizan los cálculos de Zi, Zo, Av y Ai.




Cálculo de Zi

La impedancia de entrada Zi se mide como la relación entre el voltaje de entrada y la
corriente de entrada del amplificador, Zi = vi/ii, en el circuito se observa como aquella
impedancia vista por la fuente vi a partir de la línea punteada.




                                                                                           8
Cálculo de Zo: La impedancia de salida Zo se mide como la relación entre el voltaje de
salida y la corriente de salida del amplificador, Zo = vo/ io. Para el cálculo de Zo en el
circuito de la figura 10 se




requiere el uso de una fuente de prueba vo y la eliminación de la
fuente de entrada independiente vi, tal como muestra la figura 11.

Si Vi=0, entonces iB=0 y por tanto hfeiB=0, resultando el circuito de
la figura 12.



Del circuito de la figura 12 se tiene que Zo = RC, la cual es la impedancia vista desde los
terminales de salida del circuito.




Cálculo de Av:

        La ganancia de voltaje del amplificador
es la relación entre el voltaje de salida vo y el
voltaje de entrada vi, Av = VL/Vi.

El valor de Av negativo es indicativo del
desfasaje entre la señal de salida y la señal
de entrada del amplificador emisor
común.
                                                                                          9
Cálculo de Ai:

      La ganancia de corriente del amplificador es la relación entre la corriente de salida i L
y la corriente de entrada ii, Ai = iL/ii.

      La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo.



ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN SIN CE, CON MODELO
HÍBRIDO:

El circuito amplificador emisor común sin CE se muestra en la figura 13.




      El análisis con parámetros híbridos se realiza a partir del equivalente en c.a. del
circuito el cual es mostrado en la figura 14.

      La determinación de Zi, Zo, Av y Ai se logra con la sustitución del símbolo del BJT
por su modelo híbrido (figura 15).




                                                                                            10
El circuito equivalente del amplificador emisor común sin CE utilizando el modelo
híbrido queda como: (figura 16).




      Utilizando el modelo híbrido simplificado, hre≈0 y hoe≈0, el circuito de la figura 16




se representa ahora como: (figura 17)



      Este circuito puede modificarse empleando un método conocido como “reflexión
hacia la base”, con lo que se obtendría un esquema mucho más sencillo de analizar.

      El método permite reflejar o llevar hacia el circuito de entrada (base) los parámetros
de voltaje y corriente que unen a los dos circuitos (entrada y salida).

Se observa de la figura 17 que VE = i E RE, pero iE = iC + iB también puede escribirse como:

iE = (hfe + 1)iB . Así v E = (h fe + 1)i BRE, con lo que el circuito de la figura 17 es equivalente
a este nuevo esquema. (Figura 18).




                                                                                                11
En base al circuito de la figura 18 se realizan los cálculos de Zi, Zo, Av y Ai.

Cálculo de Zi:

La impedancia de entrada Zi se mide como la relación entre el voltaje de entrada y la
corriente de entrada del amplificador, Zi = vi ii , en el circuito se observa como aquella
impedancia vista por la fuente vi a partir de la línea punteada.

Zi =vi/ii→[Zi = RB // hie + (h fe + 1)RE]

Cálculo de Zo:

La impedancia de salida Zo se mide como la relación entre el voltaje de salida y la corriente
de salida del amplificador, Zo = vo/io. Para el cálculo de Zo en el circuito de la figura 10 se
requiere el uso de una fuente de prueba vo y la eliminación de la fuente de entrada
independiente Vi, tal como muestra la figura 19.




Si Vi=0, entonces iB=0 y por tanto hfeiB=0, resultando
el mismo caso planteado para el cálculo de Zo en el
amplificador emisor común con CE, mostrado en la
figura 12. Por tanto aquí también se obtiene: Z o = RC,
la cual es la impedancia vista desde los terminales de
salida del circuito.




                                                                                            12
Cálculo de Av:

La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida Vo y el
voltaje de entrada Vi, Av = VL/Vi.




El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de
entrada del amplificador emisor común.



Cálculo de Ai:

La ganancia de corriente del amplificador es la relación
entre la corriente de salida iL y la corriente de entrada ii, Ai
= i L/ii.




La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo.

                                      CONCLUSIONES



      El análisis a pequeña señal permite determinar la ganancia, resistencia de entrada y
salida de un amplificador con transistores BJT. Al reemplazar el modelo del dispositivo, el
circuito electrónico se transforma en una red lineal, pudiendo utilizar todas las herramientas
en análisis disponibles para tal efecto.




                                                                                           13
Cálculo de Av:

La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida Vo y el
voltaje de entrada Vi, Av = VL/Vi.




El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de
entrada del amplificador emisor común.



Cálculo de Ai:

La ganancia de corriente del amplificador es la relación
entre la corriente de salida iL y la corriente de entrada ii, Ai
= i L/ii.




La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo.

                                      CONCLUSIONES



      El análisis a pequeña señal permite determinar la ganancia, resistencia de entrada y
salida de un amplificador con transistores BJT. Al reemplazar el modelo del dispositivo, el
circuito electrónico se transforma en una red lineal, pudiendo utilizar todas las herramientas
en análisis disponibles para tal efecto.




                                                                                           13
Cálculo de Av:

La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida Vo y el
voltaje de entrada Vi, Av = VL/Vi.




El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de
entrada del amplificador emisor común.



Cálculo de Ai:

La ganancia de corriente del amplificador es la relación
entre la corriente de salida iL y la corriente de entrada ii, Ai
= i L/ii.




La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo.

                                      CONCLUSIONES



      El análisis a pequeña señal permite determinar la ganancia, resistencia de entrada y
salida de un amplificador con transistores BJT. Al reemplazar el modelo del dispositivo, el
circuito electrónico se transforma en una red lineal, pudiendo utilizar todas las herramientas
en análisis disponibles para tal efecto.




                                                                                           13

Más contenido relacionado

La actualidad más candente

Practica 8 lab elect i curva del bjt final...
Practica 8 lab elect i curva del bjt final...Practica 8 lab elect i curva del bjt final...
Practica 8 lab elect i curva del bjt final...Israel Chala
 
Problemario circuitos electricos
Problemario circuitos electricosProblemario circuitos electricos
Problemario circuitos electricosClai Roman
 
Amplificadores multietapa
Amplificadores multietapaAmplificadores multietapa
Amplificadores multietapaKarenAche
 
Recortadores Serie Y Paralelo
Recortadores Serie Y ParaleloRecortadores Serie Y Paralelo
Recortadores Serie Y ParaleloUisraelCircuitos
 
Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común con un TBJ ...
Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común  con un TBJ          ...Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común  con un TBJ          ...
Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común con un TBJ ...Jesse Chuquimarca
 
Informe subir dc-dc-reductor
Informe subir dc-dc-reductorInforme subir dc-dc-reductor
Informe subir dc-dc-reductorMauricio Naranjo
 
2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertos
2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertos2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertos
2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertosJoseUriel01
 
Rectificadores De Onda Completa Con Tap Central
Rectificadores De Onda Completa Con Tap CentralRectificadores De Onda Completa Con Tap Central
Rectificadores De Onda Completa Con Tap CentralUisraelCircuitos
 
Diseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacion
Diseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacionDiseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacion
Diseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacionMiguel Angel Peña
 
TRANSFORMADA DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLC
TRANSFORMADA  DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLCTRANSFORMADA  DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLC
TRANSFORMADA DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLCJOe Torres Palomino
 
2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de Diodos
2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de Diodos2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de Diodos
2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de DiodosOthoniel Hernandez Ovando
 
Amplificadores operacionales
Amplificadores operacionalesAmplificadores operacionales
Amplificadores operacionalesJomicast
 

La actualidad más candente (20)

transformada z
transformada ztransformada z
transformada z
 
Convertidor boost
Convertidor boostConvertidor boost
Convertidor boost
 
Practica 8 lab elect i curva del bjt final...
Practica 8 lab elect i curva del bjt final...Practica 8 lab elect i curva del bjt final...
Practica 8 lab elect i curva del bjt final...
 
Problemario circuitos electricos
Problemario circuitos electricosProblemario circuitos electricos
Problemario circuitos electricos
 
Amplificadores multietapa
Amplificadores multietapaAmplificadores multietapa
Amplificadores multietapa
 
Recta de carga para señal
Recta de carga para señalRecta de carga para señal
Recta de carga para señal
 
Recortadores Serie Y Paralelo
Recortadores Serie Y ParaleloRecortadores Serie Y Paralelo
Recortadores Serie Y Paralelo
 
Conexión darlington transistor
Conexión darlington transistorConexión darlington transistor
Conexión darlington transistor
 
Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común con un TBJ ...
Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común  con un TBJ          ...Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común  con un TBJ          ...
Diseño de Amplificador en configuración de Emisor Común con un TBJ ...
 
Informe subir dc-dc-reductor
Informe subir dc-dc-reductorInforme subir dc-dc-reductor
Informe subir dc-dc-reductor
 
2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertos
2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertos2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertos
2.3 interconexion-de-redes-de-dos-puertos
 
Filtros activos en general
Filtros activos en generalFiltros activos en general
Filtros activos en general
 
Clase MSI
Clase MSIClase MSI
Clase MSI
 
Rectificadores De Onda Completa Con Tap Central
Rectificadores De Onda Completa Con Tap CentralRectificadores De Onda Completa Con Tap Central
Rectificadores De Onda Completa Con Tap Central
 
Diseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacion
Diseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacionDiseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacion
Diseño de amplificador emisor seguidor (colector comun) bjt y simulacion
 
TRANSFORMADA DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLC
TRANSFORMADA  DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLCTRANSFORMADA  DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLC
TRANSFORMADA DE LAPLACE PARA CIRCUITOS RLC
 
Problemas sistemas lti
Problemas sistemas ltiProblemas sistemas lti
Problemas sistemas lti
 
8 2 convertidor-analogico_-digital
8 2 convertidor-analogico_-digital8 2 convertidor-analogico_-digital
8 2 convertidor-analogico_-digital
 
2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de Diodos
2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de Diodos2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de Diodos
2.3. Configuraciones en Paralelo y Serie-Paralelo de Diodos
 
Amplificadores operacionales
Amplificadores operacionalesAmplificadores operacionales
Amplificadores operacionales
 

Similar a Modelo híbrido del bjt

Electronica modelo hibrido bjt
Electronica modelo hibrido bjtElectronica modelo hibrido bjt
Electronica modelo hibrido bjtGherardo Díaz
 
modelaje-transistores-bjt
modelaje-transistores-bjt modelaje-transistores-bjt
modelaje-transistores-bjt Brady Martinez
 
AMPLIFICADOR CON BJT.pdf
AMPLIFICADOR CON BJT.pdfAMPLIFICADOR CON BJT.pdf
AMPLIFICADOR CON BJT.pdfjaxpk
 
Notas transistores
Notas transistoresNotas transistores
Notas transistoresNaggydolphin
 
Trabajo de eleectronica ralch
Trabajo de eleectronica ralchTrabajo de eleectronica ralch
Trabajo de eleectronica ralchralch1978
 
Amplificadores TBJ
Amplificadores TBJAmplificadores TBJ
Amplificadores TBJBertha Vega
 
tema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdf
tema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdftema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdf
tema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdfAbdias13
 
Tema 1 Transistores para universidad UNITEC
Tema 1 Transistores para universidad UNITECTema 1 Transistores para universidad UNITEC
Tema 1 Transistores para universidad UNITECFrancescoReinaga1
 
Amplificador de base comun y colectivo
Amplificador de base comun y colectivoAmplificador de base comun y colectivo
Amplificador de base comun y colectivoWilson Aigaje
 
Amplificadores operacionales 2
Amplificadores operacionales 2Amplificadores operacionales 2
Amplificadores operacionales 2Leopata
 
transistores en conmutación electrronica de potencia
transistores en conmutación electrronica de potenciatransistores en conmutación electrronica de potencia
transistores en conmutación electrronica de potenciaJUANARIASPORTUGUEZ
 
Amplificador de lata potencia
Amplificador de  lata potenciaAmplificador de  lata potencia
Amplificador de lata potenciaLuis Dunn
 
Modelo hibrido ruben gonzalez
Modelo hibrido ruben gonzalezModelo hibrido ruben gonzalez
Modelo hibrido ruben gonzalezRuben Gonzalez
 
Comunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdf
Comunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdfComunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdf
Comunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdfTIMOTHYRUSSELLBEDNAZ
 

Similar a Modelo híbrido del bjt (20)

Modelaje Hibrido bjt
Modelaje Hibrido bjtModelaje Hibrido bjt
Modelaje Hibrido bjt
 
Electronica modelo hibrido bjt
Electronica modelo hibrido bjtElectronica modelo hibrido bjt
Electronica modelo hibrido bjt
 
modelaje-transistores-bjt
modelaje-transistores-bjt modelaje-transistores-bjt
modelaje-transistores-bjt
 
AMPLIFICADOR CON BJT.pdf
AMPLIFICADOR CON BJT.pdfAMPLIFICADOR CON BJT.pdf
AMPLIFICADOR CON BJT.pdf
 
Notas transistores
Notas transistoresNotas transistores
Notas transistores
 
Trabajo de eleectronica ralch
Trabajo de eleectronica ralchTrabajo de eleectronica ralch
Trabajo de eleectronica ralch
 
Ampemisorcomun
AmpemisorcomunAmpemisorcomun
Ampemisorcomun
 
Amplificadores TBJ
Amplificadores TBJAmplificadores TBJ
Amplificadores TBJ
 
tema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdf
tema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdftema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdf
tema-5-teoria-amplificadores Bjt-electronica.pdf
 
Ganancia beta..............
Ganancia beta..............Ganancia beta..............
Ganancia beta..............
 
Tema 1 Transistores para universidad UNITEC
Tema 1 Transistores para universidad UNITECTema 1 Transistores para universidad UNITEC
Tema 1 Transistores para universidad UNITEC
 
Amplificador de base comun y colectivo
Amplificador de base comun y colectivoAmplificador de base comun y colectivo
Amplificador de base comun y colectivo
 
Amplificadores operacionales 2
Amplificadores operacionales 2Amplificadores operacionales 2
Amplificadores operacionales 2
 
transistores en conmutación electrronica de potencia
transistores en conmutación electrronica de potenciatransistores en conmutación electrronica de potencia
transistores en conmutación electrronica de potencia
 
Amplificador de lata potencia
Amplificador de  lata potenciaAmplificador de  lata potencia
Amplificador de lata potencia
 
Modelo hibrido ruben gonzalez
Modelo hibrido ruben gonzalezModelo hibrido ruben gonzalez
Modelo hibrido ruben gonzalez
 
T3 Transistor BJT
T3 Transistor BJTT3 Transistor BJT
T3 Transistor BJT
 
Comunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdf
Comunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdfComunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdf
Comunidad_Emagister_5896_transistor_2.pdf
 
BJT.pptx
BJT.pptxBJT.pptx
BJT.pptx
 
Clase inicial transistores
Clase inicial transistoresClase inicial transistores
Clase inicial transistores
 

Modelo híbrido del bjt

  • 1. REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA INSTIITUTO UNIVERSITARIO POLITECNICO SANTIAGO MARIÑO” EXTENSION MATURIN INGENIERIA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA MODELO HÍBRIDO DEL BJT Profesora: Mariangela Pollonais Bachilleres: Jesús Romero CI: 20.567.720 Javier Blanco CI: 23.016.972 Julio Soto CI: 22.719.061 Maturín, febrero del 2013
  • 2. ÍNDICE Pá g. INTRODUCCIÓN 2 MODELO HÍBRIDO DEL BJT 3 Modelo Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común 3 ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN CON CE, CON MODELO 7 HÍBRIDO Cálculo de Zi 8 Cálculo de Zo 9 Cálculo de Av 9 Cálculo de Ai 10 ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN SIN CE, CON MODELO 10 HÍBRIDO Cálculo de Zi 12 Cálculo de Zo 12 Cálculo de Av 13 Cálculo de Ai 13 CONCLUSIONES 14 INTRODUCCIÓN
  • 3. El análisis a pequeña señal consiste en usar un modelo del BJT basado en una red de dos puertas, el cual es reemplazado en la configuración amplificadora, para así determinar la ganancia, resistencia de entrada y salida del sistema. En este documento primero se definen los parámetros h, se muestra el modelo del BJT a pequeña señal para finalmente plantear un ejemplo de análisis.
  • 4. MODELO HÍBRIDO DEL BJT: El modelo híbrido o equivalente híbrido del transistor es un modelo circuital que combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de híbrido. La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos. La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en c.a. permite la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje (Av), ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo). Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no considera este aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera. NOTA: los parámetros hie, hre, hfe y hoe se denominan parámetros híbridos y son componentes de un circuito equivalente de pequeña señal que se describirá en breve. Los parámetros que relacionan las cuatro variables se denominan parámetros “h” debido a la palabra “hibrido”. El parámetro hibrido se selecciono debido a la mezcla de variables “V e I” en cada ecuación, ocasiona un conjunto “hibrido” de unidades de medición para los parámetros h Modelo Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común: El transistor BJT NPN en configuración emisor común se muestra en la figura 1. Se observa de la figura 1 que el transistor en esta configuración es una red de dos puertos, un puerto de entrada y un puerto de salida, por tanto puede tratarse como tal. Una red de dos puertos en general (figura 2) se describe por el siguiente juego de ecuaciones: 3
  • 5. Vi = h11ii + h12 Vo io = h21ii + h22 Vo Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que relacionan estas variables son los parámetros híbridos, h. Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en: V BE = h11iB + h12 VCE Ecuación 1 iC = h21iB + h22 VCE Ecuación 2 El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables. Si Vce=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que h11 = Este parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce como impedancia de entrada con salida en corto y en BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hie. De la ecuación 2, se tiene el cual es un parámetro hibrido sin unidades. Conocido como relación de transferencia directa entre la corriente de salida y la corriente de entrada, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hfe. Si ib=0 (entrada en circuito abierto) en la ecuación 1 se tiene h12 = 4
  • 6. Este parámetro h es adimensional y se conoce como relación de transferencia inversa de voltajes, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hre. De la ecuación 2, se tiene h22 = el cual es un parámetro híbrido medido en ° y se conoce como admitancia de salida con entrada en circuito abierto, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hoe. Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan como: VBE = hie iB + hre VCE Ecuación 3 iC = h fe iB + hoe VCE Ecuación 4 Cada ecuación puede representarse circuitalmente y la unión de los circuitos resultantes corresponde al equivalente o modelo híbrido. La ecuación 3 se representa a través de circuito en serie (malla), mientras que la ecuación 4 se representa a través de un circuito en paralelo (nodo), tal como muestra la figura 3. La unión de los dos circuitos (Figura 4) 5
  • 7. se hace tomando en cuenta que i E = iC + iB y en c.c. se tiene I E = IC + IB = (β + 1)I B . El valor de β medido en c.c es aproximado al valor de hfe el cual es un parámetro híbrido medido en c.a., así: β ≅ h fe con lo que ahora i E = (hfe + 1)iB. Los valores de hoe y hre son tan pequeños que pueden despreciarse originando un modelo híbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5. El valor de vBE en hre es muy pequeño comparado con vCE, por lo que hre≈0. Este hecho anula la fuente de voltaje dependiente hrevCE del modelo híbrido de la figura 4. En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una admitancia cero hoe≈0 y una admitancia nula es equivalente a una resistencia infinita; por esta razón en el modelo híbrido simplificado no aparece hoe. ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN CON CE, CON MODELO HÍBRIDO: 6
  • 8. La figura 6 muestra el circuito amplificador emisor común con CE. El análisis con parámetros híbridos se realiza a partir del equivalente en c.a. del circuito el cual es mostrado en la figura 7. La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido (figura 8) permite determinar los valores: Zi, Zo, Av y Ai. El circuito equivalente del amplificador emisor común con CE utilizando el modelo híbrido queda como: (figura 9). 7
  • 9. Despreciando hre y hoe, el circuito de la figura 9 se representa ahora como el que se indica en la figura 10, en base al cual se realizan los cálculos de Zi, Zo, Av y Ai. Cálculo de Zi La impedancia de entrada Zi se mide como la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de entrada del amplificador, Zi = vi/ii, en el circuito se observa como aquella impedancia vista por la fuente vi a partir de la línea punteada. 8
  • 10. Cálculo de Zo: La impedancia de salida Zo se mide como la relación entre el voltaje de salida y la corriente de salida del amplificador, Zo = vo/ io. Para el cálculo de Zo en el circuito de la figura 10 se requiere el uso de una fuente de prueba vo y la eliminación de la fuente de entrada independiente vi, tal como muestra la figura 11. Si Vi=0, entonces iB=0 y por tanto hfeiB=0, resultando el circuito de la figura 12. Del circuito de la figura 12 se tiene que Zo = RC, la cual es la impedancia vista desde los terminales de salida del circuito. Cálculo de Av: La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida vo y el voltaje de entrada vi, Av = VL/Vi. El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de entrada del amplificador emisor común. 9
  • 11. Cálculo de Ai: La ganancia de corriente del amplificador es la relación entre la corriente de salida i L y la corriente de entrada ii, Ai = iL/ii. La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo. ANÁLISIS DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN SIN CE, CON MODELO HÍBRIDO: El circuito amplificador emisor común sin CE se muestra en la figura 13. El análisis con parámetros híbridos se realiza a partir del equivalente en c.a. del circuito el cual es mostrado en la figura 14. La determinación de Zi, Zo, Av y Ai se logra con la sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido (figura 15). 10
  • 12. El circuito equivalente del amplificador emisor común sin CE utilizando el modelo híbrido queda como: (figura 16). Utilizando el modelo híbrido simplificado, hre≈0 y hoe≈0, el circuito de la figura 16 se representa ahora como: (figura 17) Este circuito puede modificarse empleando un método conocido como “reflexión hacia la base”, con lo que se obtendría un esquema mucho más sencillo de analizar. El método permite reflejar o llevar hacia el circuito de entrada (base) los parámetros de voltaje y corriente que unen a los dos circuitos (entrada y salida). Se observa de la figura 17 que VE = i E RE, pero iE = iC + iB también puede escribirse como: iE = (hfe + 1)iB . Así v E = (h fe + 1)i BRE, con lo que el circuito de la figura 17 es equivalente a este nuevo esquema. (Figura 18). 11
  • 13. En base al circuito de la figura 18 se realizan los cálculos de Zi, Zo, Av y Ai. Cálculo de Zi: La impedancia de entrada Zi se mide como la relación entre el voltaje de entrada y la corriente de entrada del amplificador, Zi = vi ii , en el circuito se observa como aquella impedancia vista por la fuente vi a partir de la línea punteada. Zi =vi/ii→[Zi = RB // hie + (h fe + 1)RE] Cálculo de Zo: La impedancia de salida Zo se mide como la relación entre el voltaje de salida y la corriente de salida del amplificador, Zo = vo/io. Para el cálculo de Zo en el circuito de la figura 10 se requiere el uso de una fuente de prueba vo y la eliminación de la fuente de entrada independiente Vi, tal como muestra la figura 19. Si Vi=0, entonces iB=0 y por tanto hfeiB=0, resultando el mismo caso planteado para el cálculo de Zo en el amplificador emisor común con CE, mostrado en la figura 12. Por tanto aquí también se obtiene: Z o = RC, la cual es la impedancia vista desde los terminales de salida del circuito. 12
  • 14. Cálculo de Av: La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida Vo y el voltaje de entrada Vi, Av = VL/Vi. El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de entrada del amplificador emisor común. Cálculo de Ai: La ganancia de corriente del amplificador es la relación entre la corriente de salida iL y la corriente de entrada ii, Ai = i L/ii. La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo. CONCLUSIONES El análisis a pequeña señal permite determinar la ganancia, resistencia de entrada y salida de un amplificador con transistores BJT. Al reemplazar el modelo del dispositivo, el circuito electrónico se transforma en una red lineal, pudiendo utilizar todas las herramientas en análisis disponibles para tal efecto. 13
  • 15. Cálculo de Av: La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida Vo y el voltaje de entrada Vi, Av = VL/Vi. El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de entrada del amplificador emisor común. Cálculo de Ai: La ganancia de corriente del amplificador es la relación entre la corriente de salida iL y la corriente de entrada ii, Ai = i L/ii. La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo. CONCLUSIONES El análisis a pequeña señal permite determinar la ganancia, resistencia de entrada y salida de un amplificador con transistores BJT. Al reemplazar el modelo del dispositivo, el circuito electrónico se transforma en una red lineal, pudiendo utilizar todas las herramientas en análisis disponibles para tal efecto. 13
  • 16. Cálculo de Av: La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida Vo y el voltaje de entrada Vi, Av = VL/Vi. El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de entrada del amplificador emisor común. Cálculo de Ai: La ganancia de corriente del amplificador es la relación entre la corriente de salida iL y la corriente de entrada ii, Ai = i L/ii. La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es negativo. CONCLUSIONES El análisis a pequeña señal permite determinar la ganancia, resistencia de entrada y salida de un amplificador con transistores BJT. Al reemplazar el modelo del dispositivo, el circuito electrónico se transforma en una red lineal, pudiendo utilizar todas las herramientas en análisis disponibles para tal efecto. 13