Este documento presenta conceptos básicos sobre transistores y circuitos de amplificación. Explica que los transistores tienen tres terminales (base, colector y emisor) y que existen dos tipos principales (PNP y NPN). Luego describe las configuraciones básicas de circuitos de amplificación (base común, colector común y emisor común), sus características y análisis. Finalmente, analiza circuitos específicos como emisor común autopolarizado y con compensación de temperatura.
1. *
Notas de estudio electrónica básica
A Workshop by RainbowFlag
Transistores
Los transistores son elementos electrónicos utilizados en diversas aplicaciones, los mas estudiados en
el curso son los BJT ó Bipolar Junction Transistor, se tienen de dos tipos PNP o NPN, cuenta con tres
terminales:
B: Base
C: Colector
E: Emisor
Figura 1: Tipos de transistor con su simbolo*
Configuraciones básicas
Base común
Esta configuración implica ganancia de voltaje, no presenta ganancia de corriente, una impedancia de entrada
baja y una de salida alta, utilizada en circuitos de entrada.
Colector común
Esta configuración solo amplifica corriente, tiene una ganancia de voltaje unitaria, se utiliza para acoplamiento
de impedancia, tiene una impedancia de entrada alta y una de salida baja.
Emisor común
Esta configuración tiene amplificación en voltaje, corriente y potencia. Al igual que la base común posee una
impedancia de entrada baja y una de salida alta.
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2. Configuraciones de estudio
Base común
Emisor común con dos fuentes de polarización
Emisor común autopolarizado
Emisor común con compensación a temperatura
Emisor común independiente de beta (Divisor de voltaje)
Colector común (Divisor de voltaje)
Colector común con compensación
La terminal común es aquella donde no hay señal AC de entrada(amplificable) ni de salida(amplificada), es
común a las señales de entrada y salida del circuito.
Para todos los circuitos de entrada y salida se realiza el análisis de mallas, se utilizó la ley de voltajes de
Kirchhoff (LVK) donde “la suma algebraica de las caídas de voltajes en un circuito cerrado o malla es igual
a cero”, obteniendo las ecuaciones de estos circuitos equivalentes, es importante siempre verificar la correcta
polarización del circuito con el análisis DC.
Para el análisis DC en estas configuraciones
1. Se debe reemplazar los capacitores por circuitos abiertos.
2. Definir y analizar el circuito de entrada y el de salida.
Para el análisis AC en estas configuraciones (Se realiza después de verificar que
la configuración esta bien polarizada)
1. Para este análisis se anulan las fuentes DC.
2. Los capacitores se reemplazan por cortocircuitos.
3. Las resistencias en paralelo con capacitores se reemplazan por cortos.
Consideraciones Universales
Como parámetros universales se tienen:
TGe: Transistor de germanio
TSi: Transistor de silicio
Min: Mínim@
Máx: Máxim@
Sat: Saturación
i: input→entrada
o: output→salida
||: Paralelo
|||: Exactamente igual
α: Factor de amplificación en cortocircuito de base común (AC)
β: Factor de amplificación de corriente en emisor común (AC)
e: Señal AC
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3. I :Corriente
V = E :Voltaje
R :Resistencia
Z :Impedancia
C :Capacitor
Av = Ae :Ganancia de voltaje
Ai :Ganancia de corriente
Ap :Ganancia de potencia
Av = Ae = V oltaje de salida
V oltaje de entrada = eo
ei
Ai = Corriente de salida
Corriente de entrada = Io
Ii
Ap = Ae · Ai
EEE
ECC
Fuentes DC de polarización
hib
hob
hie
hoe
hic
hoc
Datos de impedancia interna del transistor obtenidos en datasheet’s
Para hib y hob se recomienda consultar con el docente pues estos no se consiguen fácilmente.
EEBQ = 0,5V ó EEBQ = 0,7V (Según sea el criterio del lector)
α = β
β+1 β = α
1−α
Ecuación fundamental del transistor:
IE = IC + IB
En emisor común y colector común:
IE = (β + 1)IB
IC = (β + 1)IB
*Los asteriscos en imágenes implican una autoría externa del arte grafico, el autor de este documento no
se atribuye ni se lucra de estos trabajos artísticos y reconoce el valioso aporte de estos, cualquier duda o
referencia sobre la autoría de estos puede ser fácilmente verificada en el buscador de imágenes de Google*
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4. Curvas características
Curvas características
A continuación se aprecian las curvas características de las configuraciones, las curvas características
del emisor común son las mismas para la configuración de colector común, es importante notar que en las
curvas de entrada para base común en el eje Y se tiene IE mientras que para emisor común IB, el resto
de configuraciones derivadas de las 3 principales presentan las mismas curvas características. En las graficas
de salida el numero de curvas varía, si el transistor esta fabricado en silicio tiene 8 curvas, si esta hecho de
germanio posee 6.
Figura 2: Curva de entrada configuración base co-
mún*
Figura 3: Curva de entrada configuración emisor co-
mún*
Figura 4: Curva de salida configuración base común*
De la figura 4 se tiene:
ECBQ = ECC
2
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5. Curvas características Base Común
Figura 5: Curva de salida configuración emisor común(puede presentar curvas adicionales o ausencia de alguna
para Si o Ge)*
De la figura 5 se tiene:
ECEQ = ECC
2
Base Común
Figura 6: Configuración
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6. Base Común
Análisis DC
Figura 7: Equivalente DC
Figura 8: Circuito DC eq. de entrada Figura 9: Circuito DC eq. de salida
Análisis circuito de entrada(LVK)
EEE = IERE + EEB
IEQ = EEE−EEBQ
RE
Análisis circuito de salida(LVK)
ICQ = IEQ
ECC = RCIC + ECB
ECBQ = ECC − RCICQ
Teniendo en cuenta la figura 4 y su ecuación de operación en el punto Q encontramos que:
ECBQ = ECC
2
Si al encontrar ECB lo anterior no se cumple es decir ECB 6= ECC
2 es necesario rediseñar pues no
esta en el punto de operación Q.
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7. Base Común
REDISEÑO ETAPA AMPLIFICADORA
Del análisis anterior se debe cumplir:
ECBQ = ECC
2
en el circuito de salida, para realizar el rediseño se tiene:
ECC = RCIC + ECB
ICQ = ECC−ECBQ
RC
EEE = IERE + EEB
RE = EEE−EEBQ
IEQ
Análisis AC
Figura 10: Circuito eq. AC
*En el cálculo del paralelo entre resistores se aproxima al resistor mas pequeño
Zi = hib||RE ≈ hib
Zo = RC||hob ≈ RC
Ai = Io
Ii
= IC
IE
= hfb = α
Ae = eo
ei
= ICzo
IEzi
= RCIC
hibIE
= RC
hib
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8. Emisor común con dos fuentes de polarización
Emisor común con dos fuentes de polarización
Figura 11: Configuración
Análisis DC
Figura 12: Equivalente DC
8 A Workshop by RainbowFlag
9. Emisor común con dos fuentes de polarización
Figura 13: Circuito DC eq. de entrada Figura 14: Circuito DC eq. de salida
Análisis circuito de entrada(LVK)
EBB = IBRB + EBE
IBQ = EBB−EBEQ
RB
ICQ = βIBQ
Análisis circuito de salida(LVK)
ECC = RCIC + ECE
ECEQ = ECC − RCICQ
De la figura 5 tenemos:
ECEQ = ECC
2
Si al encontrar ECE lo anterior no se cumple es decir ECE 6= ECC
2 es necesario rediseñar pues no
esta en el punto de operación Q.
El análisis AC de esta configuración es el mismo de la configuración del autopolarizado.
9 A Workshop by RainbowFlag
10. Emisor común autopolarizado
Emisor común autopolarizado
Figura 15: Configuración
Análisis DC
Figura 16: Equivalente DC
10 A Workshop by RainbowFlag
11. Emisor común autopolarizado
Figura 17: Circuito DC eq. de entrada Figura 18: Circuito DC eq. de salida
Análisis circuito de entrada(LVK)
ECC = IBRB + EEB
IBQ = ECC−EEBQ
RB
ICQ = βIBQ
Análisis circuito de salida(LVK)
ECC = RCIC + ECE
ECEQ = ECC − RCICQ = ECC
2
Análisis AC (para las dos configuraciones recién vistas)
Figura 19: Circuito eq. AC
*En el cálculo del paralelo entre resistores se aproxima al resistor mas pequeño
Zi = RB||hie ≈ hie
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12. Emisor común autopolarizado
Zo = hoe||RC ≈ RC
Ai = Io
Ii
= β = IC
IB
= hfe
Ae = eo
ei
= RC
hie
β
Ap = Ai · Ae = β2 RC
hie
De la figura 5 tenemos:
ECEQ = ECC
2
Si al encontrar ECE lo anterior no se cumple es decir ECE 6= ECC
2 es necesario rediseñar pues no
esta en el punto de operación Q.
REDISEÑO ETAPA AMPLIFICADORA (para las dos configuraciones recién vistas)
Nuestro criterio de diseño será:
ECEQ = ECC
2
De la ecuación del circuito de salida:
IC = ECC−ECE
RC
IBQ = ICQ
β
RB = ECC−EBEQ
IBQ
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13. Emisor común con compensación a temperatura
Emisor común con compensación a temperatura
Figura 20: Configuración
Si aumenta la temperatura también aumenta la corriente de base IB(saliendose del punto Q de operación)
y esta aumenta consigo EEB, por ello se debe disminuir el voltaje EEB para que IB también disminuya y
regrese al punto Q de operación, como IB aumenta, también lo hace IE por ende IC, como consecuencia
aumenta la caída de voltaje en el emisor, es decir aumenta EE lo que disminuye EEB este a su vez disminuye
IB y así esta regresa al punto Q.
T %Z=⇒ IB %Z=⇒ EEB %Z=⇒ IE %Z=⇒ IC %Z=⇒ EE %Z=⇒ EEB Z=⇒ IB
Expresión resumida:
IB %Z=⇒ IE %Z=⇒ IC %Z=⇒ EE %Z=⇒ EEB Z=⇒ IB
Si disminuye la temperatura tambien lo hace corriente de base IB(saliendose del punto Q de operación)
y consigo disminuye EEB, esto implica la disminucion de IC y con esta corriente disminuye IE por lo que
tambien EE decrece de tal forma que EEB aumenta regresando IB al punto Q.
T Z=⇒ IB Z=⇒ EEB Z=⇒ IC Z=⇒ IE Z=⇒ EE Z=⇒ EEB %Z=⇒ IB %
Expresión resumida:
IB Z=⇒ IC Z=⇒ IE Z=⇒ EE Z=⇒ EEB %Z=⇒ IB %
A los procesos anteriores se les conoce como ciclos regenerativos.
En la figura 22 se aprecian mejor las variables involucradas, se recomienda al lector imaginar la corriente
del colector entrando por su respectiva terminal ya que en esta figura solo se tiene en cuenta el circuito de
entrada y los análisis anteriores implican la participación de toda la configuración.
13 A Workshop by RainbowFlag
14. Emisor común con compensación a temperatura
Análisis DC
Figura 21: Equivalente DC
Figura 22: Circuito DC eq. de entrada
En la figura 22 se aprecia el circuito de entra-
da equivalente, pero para facilitar la comprensión del
analisis de mallas se utilizo otro circuito simplificado
en la figura 23.
ECC = IBRB + EB
Se define EE = 0
EB = EBE +
0
EE
De la amplificación del transistor se sabe:
IE = (β + 1)IB
EE = IERE = (β + 1)IBRE
ECC = IBRB + IERE + EBE
14 A Workshop by RainbowFlag
15. Emisor común con compensación a temperatura
Figura 23: Circuito DC eq. de entrada(simplificado) Figura 24: Circuito DC eq. de salida
Análisis circuito de entrada(LVK)
ECC = IB(RB + [(β + 1)RE) + EBE
Si EE = 0 entonces RE(β + 1) = 0
IBQ =
ECC−
:0,5
EBEQ
RB+
:0
RE(β+1)
IBQ = ECC−0,5
RB
Análisis circuito de salida(LVK)
IE ≈ IC
ECC = RCIC + ECE + REIE
ECC = IC(RC + RE) + ECE
ECEQ = ECC − ICQ(RC + RE)
De la figura 5 se tiene: ECEQ = ECC
2
Si al encontrar ECE lo anterior no se cumple es decir ECE 6= ECC
2 es necesario rediseñar pues no
esta en el punto de operación Q.
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16. Emisor común con compensación a temperatura
Análisis AC
Aquí aplica uno de los principios mencionados arriba, al tener el resistor del emisor un capacitor en
paralelo esta se convierte en corto circuito.
Figura 25: Circuito eq. AC
*En el cálculo del paralelo entre resistores se aproxima al resistor mas pequeño
Zi = RB||hie ≈ hie
Zo = hoe||RC ≈ RC
Ae = eo
ei
= RC
hie
β
Ai = β = Io
Ii
= IC
IB
= hfe
16 A Workshop by RainbowFlag
17. Para los divisores de voltaje se tienen análisis parecidos
Para encontrar el parámetro de diseño de la equivalencia de resistores, se realizo el siguiente análisis:
Ecuaciones del circuito DC equivalente de salida:
ECC = IC(RC + RE) + EEC
ECQ = ECC − IC(RC + RE) = ECC
2
Del criterio de diseño:
EEQ = ECC
10 → ECC = 10EEQ
La obtención de las ecuaciones anteriores se revisara mas adelante.
Reemplazando EEQ en ECC:
5EEQ = IC(RC + RE)
EEQ = REIE ≈ ICRE
5ICRE = IC(RC + RE)
5ICRE = IC(RC + RE)
5RE − RE = RC
4RE = RC
La relación 4RE = RC se cumple para ambos divisores de voltaje.
17 A Workshop by RainbowFlag
18. Emisor común independiente de beta (Divisor de voltaje)
Emisor común independiente de beta (Divisor de voltaje)
Figura 26: Configuración
Análisis DC
En el circuito de entrada se debe cumplir la condición:
10RB2 (β + 1)RE
Figura 27: Circuito eq. divisor de voltaje
Del divisor de voltaje en la figura 27 se obtiene:
18 A Workshop by RainbowFlag
19. Emisor común independiente de beta (Divisor de voltaje)
ERB2 = EB = EBQ = ECC
RB2
RB1+RB2
Figura 28: Circuito DC eq. de entrada Figura 29: Circuito DC eq. de salida
Análisis circuito de entrada(LVK)
EBQ = EBEQ + EEQ
IEQ = EEQ
RE
IE = (β + 1)IB ≈ βIB ≈ IC
Análisis circuito de salida(LVK)
ECC = RCIC + EEC + REIE
ECC = IC(RC + RE) + EEC
EECQ = ECC − ICQ(RC + RE) = ECC
2
Análisis AC
Figura 30: Circuito eq. AC
*En el cálculo del paralelo entre resistores se aproxima al resistor mas pequeño
19 A Workshop by RainbowFlag
20. Emisor común Colector común
zi = RB1
||RB2
||hie ≈ hie
zo = RC||hoc ≈ RC
Ae = ICzo
IBzi
= βRC
hic
Ai = IE
IB
= IC
IB
= β
Colector común (Divisor de voltaje)
Figura 31: Configuración
Análisis DC
En el circuito de entrada se debe cumplir a condición:
10RB2 (β + 1)RE
20 A Workshop by RainbowFlag
21. Colector común (Divisor de voltaje)
Figura 32: Circuito eq. divisor de voltaje
Del divisor de voltaje en la figura 32 se obtiene:
ERB2 = EB = EBQ = ECC
RB2
RB1+RB2
Figura 33: Circuito DC eq. de entrada Figura 34: Circuito DC eq. de salida
Análisis circuito de entrada(LVK)
EBQ = EBEQ + EEQ
IEQ = EEQ
RE
IE = (β + 1)IB ≈ βIB ≈ IC
Análisis circuito de salida(LVK)
ECC = RCIC + EEC + REIE
ECC = IC(RC + RE) + EEC
EECQ = ECC − ICQ(RC + RE) = ECC
2
21 A Workshop by RainbowFlag
22. Colector común (Divisor de voltaje)
Análisis AC
Figura 35: Circuito eq. AC
*En el cálculo del paralelo entre resistores se aproxima al resistor mas pequeño
zi = RB1
||RB2
||hic + RE(β + 1) ≈ RE(β + 1)
zo = RE||hoc ≈ RE
Ae = ICzo
IBzi
= β RE
hic+RE(β+1) ≈ β RE
RE(β+1)
Ae = βRE
REβ = 1
Ai = IE
IB
= IC
IB
= β
22 A Workshop by RainbowFlag
23. DISEÑO EC/CC UNIVERSAL
Se opta por una configuración CC ó EC.
Se elige el transistor basado en los siguientes parámetros:
Se tiene en cuenta la restricción de corriente:
2ICQ ICMÁX
Se tiene en cuenta la restricción de voltaje:
EC ECEQ
Se tiene en cuenta la restricción de potencia:
ECEO
2 ICQ Potencia máxima disipada
Frecuencia de la operación
Para el circuito de salida se tiene:
ECEQ = ECC
2
EEQ = ECC
10
RE =
RC
4
EBQ = EBEQ + EEQ
Para calcular los resistores de la base
10RB2 RE
EBQ = ECC
RB2
RB1+RB2
Se calculan los condensadores
C = 1
2π·f·XC
Donde:
f: Frecuencia (Hz)
XC: Reactancia capacitiva en ohmios Ω
C: Capacitancia en Faradios F
Aunque se pueden utilizar condensadores de 200µF en adelante si no se calculan.
23 A Workshop by RainbowFlag
24. Colector común con compensación
Colector común con compensación
Figura 36: Configuración
Análisis DC
Figura 37: Equivalente DC
24 A Workshop by RainbowFlag
25. Colector común con compensación
−→
Figura 38: Circuito DC eq. de entrada Figura 39: Circuito DC eq. de entrada (Reorganizado)
Análisis circuito de entrada(LVK)
ECC = IBRB + EBE + IB(1 + β)RE
ECC − EBE = IB[RB + (1 + β)RE]
IB = ECC−EBE
RB+(1+β)RE
25 A Workshop by RainbowFlag
26. Colector común con compensación
Figura 40: Circuito DC eq. de salida
Análisis circuito de salida(LVK)
ECC = RCIC + EEC + REIE
ECC = IC(RC + RE) + EEC
EECQ = ECC − ICQ(RC + RE) = ECC
2
Análisis AC
Figura 41: Circuito AC eq. de salida
*En el cálculo del paralelo entre resistores se aproxima al resistor mas pequeño
zi = RB||hic + RE(β + 1) ≈ hic + RE(β + 1)
zo = RE||hoc ≈ RE
Ae = ICRE
IB[hic+(β+1)RE] ≈ βRE
hic+RE(β+1) ≈ β RE
RE(β+1) ≈ 1
Ai = Io
Ii
= IE
IB
= IC
IB
= β
26 A Workshop by RainbowFlag
27. Transistor como interruptor
El transistor como interruptor o conmutador
El transistor puede utilizarse como interruptor, al pasar rápidamente de corte a saturación o de forma
inversa, en corte se modela como interruptor abierto y en saturación se modela como interruptor cerrado por
lo que la operación no es lineal, opera entonces como un switch electrónico.
Figura 42: Circuito emisor común como transistor
De la curva en la figura 5 se sabe que para garantizar la operación del dispositivo en saturación:
IBSatMin ≥ ICSat
β
Ecuaciones del circuito de entrada:
ECC = IBRB + EBSat
RB ≤ ECC−Eσ
IBSat
En estas condiciones el transistor queda siempre saturado, por lo que siempre esta circulando IBSat, opera
entonces como un interruptor cerrado.
Para las ecuaciones de salida se tiene:
ECC = ICSatRC + ECESat
ECESat = ECC + ICESatRC ≈ 0
Los datos para el diseño de un transistor como interruptor son:
El voltaje que requiere la carga que se va a manejar
27 A Workshop by RainbowFlag
28. Transistor como interruptor
La corriente de excitación que se requiere
El voltaje ECC toma el valor del voltaje que requiere la carga, y la corriente de excitación de la carga define
la corriente ICSat, después se calcula IBSatMin y RB.
En el lugar de RC se coloca la carga, que puede ser un diodo LED, un bombillo, un relé(este), un dispositivo
buzzer, un motor, etc., se toman los valores de voltaje y corriente del datasheet del dispositivo, se ingresan
en los valores de ECC e ICSat.
Ejemplos:
Diodo LED Rojo −→ ECC = 1,8V ; ICSat = 20mA
Motor DC 12V, 0.75W −→ ECC = 12V ; ICSat = 63mA
Como paso adicional se selecciona el transistor a implementar.
En RB se puede hacer uso de un sensor, un ejemplo de esto seria una fotocelda, si el valor de la resistencia
en el sensor es mayor a RB calculado, la carga se mantendrá inactiva pues IC = (β +1)IB pero esta corriente
IC es inferior a la que requiere la carga para operar correctamente.
Si en el lugar de RB se tiene una operación de circuito abierto, un sensor apagado o switch abierto no
hay corriente de base y el voltaje en el nodo del colector es ECC, mientras que IC = 0 por lo que revisando
la curva de salida de la figura 5 el transistor esta en la región de corte y la carga se encuentra inactiva.
Figura 43: Componentes de analisis para el diseño
28 A Workshop by RainbowFlag
29. Transistor como interruptor
Para revisar este concepto se hace uso del siguiente ejemplo.
Asumiendo una carga de 1,8V , 20mA y un β = 100, encontrar el valorRB para que la carga se active.
Figura 44: Análisis del transistor para calculos de operación
Se define una señal de entrada para este caso 1V DC.
IBSatMin ≥ 20mA
100
IBSatMin ≥ 0,2mA
RB ≤ 1,8V −1V
0,2mA
RB ≤ 4kΩ
Con lo anterior entonces se define un sensor cuya resistencia sea mayor a la anterior bajo alguna cir-
cunstancia deseada, por ejemplo un termistor NTC TT6-10KC8-9-25(Datasheet al final del documento) que
alcanza un valor inferior a 4KΩ después de sobrepasar la temperatura los 52°C, por lo que si la carga fuese un
LED cuyas caracteristicas se usaron para el cálculo del ejemplo estaría encendido indicando que se sobrepaso
dicha temperatura, en la figura 45 se ve el circuito ya implementado.
29 A Workshop by RainbowFlag
30. Transistor como interruptor
Figura 45: Circuito con LED y termistor
Si la resistencia RB es mayor a la calculada entonces la corriente IB es menor a la calculada(0,2mA), por
lo que IC = (β + 1)IB es menor a 20mA y la corriente no debería ser suficiente para encender el LED, esto
último ya depende de la sensibilidad del dispositivo que se usa como carga.
30 A Workshop by RainbowFlag
31. Transistor como interruptor
También existe la topología con divisor de voltaje
Si el sensor esta en modo de conducción, el voltaje en el nodo de la base se vuelve cero, con lo que la
carga esta inactiva, si el sensor/interruptor opera como circuito abierto, el voltaje en el nodo de la base toma
el valor calculado para su activación según sea la señal de entrada, en el ejemplo anterior se uso una señal
DC pero esta puede ser una señal AC un pulso de reloj etc.
Figura 46: Componentes de analisis para el diseño Figura 47: Circuito con LED y fotocelda
En la figura 47 se aprecia un ejemplo, al estar la fotocelda encendida(detecta luz) esta permite el paso de
corriente por lo que el voltaje en el nodo de la base se vuelve cero y la carga esta inactiva, cuando la fotocelda
deja de recibir luz(en la noche por ejemplo) el voltaje en el nodo de la base toma el valor calculado para su
activación y el LED se enciende.
31 A Workshop by RainbowFlag
32. Consideraciones Finales
El autor de este documento no se responsabiliza por el uso que
puedan darle terceros al mismo, así como tampoco se
responsabiliza por errores que puedan existir en el contenido de
este.
Este documento es de libre consulta para todos aquellos que lo
necesiten en su formación educativa.
32 A Workshop by RainbowFlag
33. Dedicatoria
Este documento esta dedicado a las siguientes figuras fuente de
inspiración para mi y para muchos otros...
Alan Mathison Turing
Piotr Ilich Tchaikovski
Leonardo da Vinci
Michelangelo Buonarroti
Stephen John Fry
Ruth Coker Burks
Geertruida Wijsmuller-Meijer
33 A Workshop by RainbowFlag
34. TEWA TEMPERATURE SENSORS
HIGH PRECISION NTC THERMISTORS AND TEMPERATURE SENSORS
Tewa Temperature Sensors Ltd.
Przeskok 18, Tel. 00 48 81 532 10 79
20-403 Lublin, website: www.tewa-sensors.com
Poland email: info@tewa-sensors.com
Specification of Thin Film NTC Thermistor
PART NUMBER: TT6-10KC8-9-25
No. of pages: 6
Date: 19.02.2019
Revision: 00
FEATURES:
Element Thin Film NTC Thermistor
No-load resistance at 25°C 10 000
Tolerance at 25°C ± 1%
Beta(25/85) Constant 3 435K ±1%
Operating temperature range -30C ÷ 120C
DRAWING:
UNITS: [mm]
4.5
25 ± 1
20 ± 2
0.6 max
0.15
0.5
Thin film Thermistor
chip
Lead wire