1. TESH 01/08/2014
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TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES
DE HUIXQUILUCAN
CLASE A DISTANCIA DE MATERIALES
SEMICONDUCTORES
PROFESOR:
DANIEL AGUILAR CUEVAS
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Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a
la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor
más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después
del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.
Que los alumnos aprendan a utilizar los diversos dispositivos semiconductores los
cuales les permitirán tener un mejor manejo de lo que es la electrónica y al
implementación de la misma.
Introducción
Objetivo general:
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Hasta ahora la demanda de materiales semiconductores ha hecho que se hayan
desarrollado tanto las técnicas de obtención de sustancias puras y mono cristalinas,
semiconductores intrínsecos, cómo las técnicas de dopado de semiconductores
inorgánicos y orgánicos, semiconductores extrínsecos. Por ahora, los más importantes
son los inorgánicos. Indiquemos algunos elementos y compuestos:
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Un semiconductor cristalino y sin impurezas ni defectos en su red se denomina
intrínseco. A 0 K su BV está llena de electrones, su BC está vacía y su Eg < 2eV. A
temperatura de 0 K es un aislante. Al crecer la temperatura la agitación térmica rompe
algunos enlaces que quedan incompletos. Cada enlace roto crea un par de portadores,
electrón y hueco. El semiconductor se transforma en un débil conductor. Los
electrones liberados suben a la BC y se mueven por toda la red cristalina. Los enlaces
incompletos, con un solo electrón, denominados huecos, h+, se mueven en la BV en el
sentido de que el enlace roto se va intercambiando entre enlaces de átomos
adyacentes.
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Independientemente de los portadores de origen térmico pueden existir en un cristal
semiconductor electrones y/o huecos generados por dopado.
“El dopado” consiste en la introducción controlada de impurezas en la red. Se sustituye
un elemento por otro que tenga:
· Un electrón más de valencia que el sustituido, impureza donadora, que ionizada,
genera un electrón móvil por la red.
· Un electrón menos de valencia que el sustituido, impureza aceptora, que ionizada,
genera un enlace incompleto móvil por la red, que es un portador virtual denominado
hueco.
Cada impureza donadora genera un e- libre y se transforma en un ion positivo fijo en
la red, origina un semiconductor tipo-n, que:
MATERIALES SEMICONDUCTORES
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Cada impureza aceptara genera un h+ y se transforma en un ion negativo fijo en la red,
origina un semiconductor tipo-p, que:
FUENTES DE INFORMACIÓN
1. Schilling & Belove. Circuitos Electrónicos, Ed. Mc Graw Hill
2. Sedra. Dispositivos Electrónicos y Amplificadores de Señales, Ed.
Interamericana
3. Boylestad, Robert & Nashelsky, Louis. Electrónica teoría de circuitos. Ed.
Prentice Hall
4. Malvino, Paul. Principios de electrónica. Ed. Mc Graw Hill
5. Savant, Roden y Carpenter. Diseño electrónico. Ed. Adison-Wesley
Iberoamericana
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