El documento describe los principales tipos de materiales conductores eléctricos como superconductores, semiconductores e intrínsecos y extrínsecos. Los superconductores pueden ser de tipo I o II dependiendo de su comportamiento magnético. Los semiconductores conducen mejor que un aislante pero peor que un conductor, y su conductividad puede regularse mediante dopaje. Los semiconductores intrínsecos conducen por electrones y huecos liberados térmicamente, mientras que los extrínsecos se dopan con impurezas donantes o aceptoras para aumentar

1. Superconductores y Semiconductores Chico Marín Sandy Jessith Flórez Fonseca Cristhian Iván Garzón Muñoz José Luis Reyes Rodríguez Wilfrido Rafael UNIVERSIDAD CARTAGENA FACULTAD DE INGENIERIA PROGRAMA INGENIERIA QUIMICA

4. Superconductores

6. Vórtice

11. Elemento Grupo Electrones en la última capa Cd II B 2 e - Al , Ga , B , In III A 3 e - Si , Ge IV A 4 e - P , As , Sb V A 5 e - Se , Te , ( S ) VI A 6 e -

15. Al agente dopante se le conoce como Semiconductor tipo N Semiconductor Tipo P Se obtiene mediante un proceso de dopado que consiste en añadir un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (cargas negativas o electrones ). Se produce por medio de un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (cargas positivos o huecos ). Al momento de añadir el material dopante este entrega sus electrones mas débilmente vinculados a los atomo del semiconductor. Es también conocido como material donante puesto que da electrones. Cuando el dopante es añadido al semiconductor este libera los electrones que se encuentran mas débiles vinculados en los átomos del semiconductor. Al agente donante se le conoce como material aceptor y los átomos del semiconductor que perdieron el electrón se llaman huecos . El dopaje tipo n se da con el fin de producir abundancia de electrones portadores en el material. Los átomos de cinco electrones de valencia por poseer un electrón extra para dar son llamados átomos donadores. El material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero. Su propósito es de crear abundantes huecos. Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general