1. UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN CRISTOBAL DE HUAMANGA
CÁLCULO DE BANDA DE ENERGÍA
UNSCH PROHIBIDA DE CdTe POR EL MÉTODO DE
PUNTO DE INFLEXION
Oswaldo Morales Morales,
Kleber Janampa Quispe ,
Octavio Cerón Balboa
Julio Oré García,
(CER-UNSCH ) wal23do@gmail.com

2. OBJETIVO:
Calcular la banda de energía prohibida del semiconductor hecho
de teluro de cadmio (CdTe )

3. INTRODUCCIÓN:
CdTe
•Como material puro:
Semiconductor Intrínseco.
•Dopado:
Semiconductor tipo “p”.
Ampliamente utilizado en la fabrica-
ción de células solares CdTe/CdS y
otros dispositivos optoelectrónicos

4. Banda de Energía prohibida
B.C
Eg Banda Prohibida
B.V

5. MÉTODOS Y MATERIALES
1. Implementación del sistema CSS
2. Preparación de muestra
3. Deposición de lámina fina de CdTe.
4. Mediciones

6. MÉTODOS Y MATERIALES
1. Implementación del sistema CSS.
Horno para sublimar el teluro de cadmio

7. MÉTODOS Y MATERIALES
2. Preparación de muestra

8. MÉTODOS Y MATERIALES
3. Deposición de lámina fina de CdTe
Vacío: 300 mTorr; T=520 o C; t=15 min, enfriamiento.

9. RESULTADOS Y DISCUSION
4. Mediciones : DRX 50000
CdTe
40000
(111)
30000
ua
20000
10000
(220) (311) (422) (511)
(400) (331)
0
20 30 40 50 60 70 80
0
2 ( )
Lámina, semiconductor de CdTe
depositado sobre vidrio.
Difracción de rayos X de CdTe

10. RESULTADOS Y DISCUSION B
100
Mediciones: T
80
CdTe
Transmitancia %
60
40
20
0
350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950 1000
Longitud de onda (nm)
Curva de Transmitancia de CdTe

11. RESULTADOS Y DISCUSION
Cálculo de la banda hv  Ec  Ev  E g ( o )
Prohibida de CdTe
hc
Eg  Eg (o ) 
o
Material λ (nm) Eg(eV)
CdTe 825.9450 1.5010

12. CONCLUSIONES:
1. El valor de la banda de energía prohíba encontrado para el
teluro de cadmio, en este trabajo, es de .
2. El método de punto de inflexión, para el cálculo de la
banda de energía prohíba de semiconductores, en este
caso mostró ser eficiente por su sencillez y operaciones
fáciles involucrados; el valor obtenido concuerda muy bien
con los valores estándares que se encuentra en la literatura
de semiconductores.

13. CONCLUSIONES:
3. Se mostró la importancia y la sencillez del método de
punto de inflexión para el cálculo de bandas de energía
prohibida de semiconductores que presentan punto de
inflexión en su curva de transmitancia.
4. Para la determinación de la banda de energía prohibida de
CdTe con el método de punto de inflexion, no fue
necesario calcular el coeficiente de absorción, como ocurre
con otros métodos.

14. REFERENCIA BIBLIOGRÁFICA:
1. Bonnet, D., Rabenhorst H. (1972). New results on the evelopment of a thin film p-
CdTe–n-CdS heterojunction solar cell. In: Proceedings of the 9th Photovoltaic
Specialists Conference, 129–131.
2. Guimarães, Luciano de Moura. Electrodeposição galvanostática de Telureto de
Cádmio sobre silício monocristalino (111). (2006). 67 f. Disertação de Mestrado.
Universidade federal de Viçosa. Brasil.
3. Hamaguchi, C. (2009). Basic Semiconductor Physics. Sec. Edit. Osaka. Japan.
4. Morales, O. (2011). Construção e caracterização de células solares de filmes finos de
CdTe. Disertação de Mestrado, Universidade Estadual Paulista de São Paulo-Ilha
Solteira, Brasil.
5. Romeo, N., Bosio, A., Canevari, V., Podesta, A.. (2004). Recent progress on CdTe/CdS
thin film solar cells. Solar Energy 77, 795–801.
6 Shalinova, K.V. (1975) Física de los semiconductores. Moscú. Ed. MIR..

15. GRACIAS POR
LA
ATENCIÓN