2. TT RAM
El TT-RAM es sinónimo de "Twin Transistor RAM" o "Twin
Transistor Random Access Memory" (memoria de acceso
aleatorio doble transistor) es un nuevo tipo de memoria de
la computadora en el desarrollo de Renesas.
El TT-RAM son conceptualmente similares a las DRAM,
pero, a diferencia de este último, que se caracteriza por el
uso de un condensador y un transistor para cada celda de
memoria, el TT-RAM se distinguen por el uso de dos
transistores, con la ventaja de eliminar el condensador y los
problemas que ello conlleva, como la actualización
periódica necesaria para evitar la pérdida de información.
3. COMPOSICION DE LA TT RAM
En el interior de las células de memoria TT-RAM, los
dos transistores conectados entre sí se colocan en una
capa de SOI.
TT-RAM con una señal de lectura de la celda de
memoria se ve como una diferencia en la corriente de
trabajo del transistor.
