La SRAM es un tipo de memoria RAM estática que mantiene sus datos mientras reciba energía, a diferencia de las DRAM que necesitan refrescarse periódicamente. Tiene un tiempo de acceso más rápido que las DRAM pero es más cara, menos densa y consume más energía. Se usa cuando se requiere un menor tiempo de acceso o consumo reducido, como en la memoria caché de los procesadores.

1. MEMORIA“SRAM”
(Memoria estática de acceso aleatorio)

2. CONCEPTO DE “SRAM”
Las “SRAM” son un tipo de memoria RAM. La
palabra "estática" indica que estas memorias
retienen su contenido el tiempo que reciben
energía, a diferencia de las RAM (DRAM) que
necesitan refrescarse periódicamente (SRAM no
debe ser confundida con las ROM y las
memorias flash, dado que es una
memoria volátil y preserva los datos sólo
cuando recibe energía).
Es un tipo de memoria que es más rápida y más
fiable que las más comunes DRAM.
SRAM tiene un tiempo de acceso de 10
nanosegundos, en cambio en las DRAM es de
60 nanosegundos.

3. CARACTERIATICAS DE UNA
“SRAM”
La memoria SRAM es más cara, pero más
rápida y con un menor consumo (especialmente
en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada,
por tanto, cuando es necesario disponer de un
menor tiempo de acceso, o un consumo
reducido, o ambos. Debido a su compleja
estructura interna, es menos densa que DRAM,
y por lo tanto no es utilizada cuando es
necesaria una alta capacidad de datos, como
por ejemplo en la memoria principal de los
computadores personales.

4. “ DISEÑO DE UNA SRAM”
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que
significa que las posiciones en la memoria
pueden ser escritas o leídas en cualquier orden,
independientemente de cual fuera la última
posición de memoria accedida.
Cada bit en una SRAM se almacena en
cuatro transistores, que forman un
biestable. Este circuito biestable tiene dos
estados estables, utilizados para
almacenar (representar) un 0 o un 1.

5. PARTES DE UNA “SRAM”
 1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál
están soldadas los componentes de la memoria.
 2.- Chips: son módulos de memoria volátil SRAM.
 3.- Conector (80 terminales): base de la memoria
que se inserta
en la ranura especial para
SRAM.
 4.- Muesca: indica la
posición correcta dentro de
la ranura de memoria

6. MODOS DE OPERACIÓN DE UNA
“SRAM”

7. PARTES DE UNA “SRAM”

8.  Reposo: Su bus de control (WL) no está activado, los
transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda de
los buses de datos. Los dos biestables formados por M1
– M4 mantendrán los datos almacenados, en tanto dure
la alimentación eléctrica
 Lectura: Se asume que el contenido de la memoria es
1, y está almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza
cargando los buses de datos con el 1 lógico, y luego
activa WL y los transistores de control. A continuación,
los valores almacenados en Q y Q se transfieren a los
buses de datos, dejando BL en su valor previo, y
ajustando BL a través de M1 y M5 al 0 lógico. En el caso
que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce
el efecto contrario: BL será ajustado a 1 y BL a 0.
 Escritura : Se inicia aplicando el valor a escribir en el
bus de datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a
1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los
valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el
bus WL, y el dato queda almacenado.

9. TIPOS DE “SRAM”
 SRAM no volátiles :Las memorias SRAM no
volátiles (NVRAM) presentan el funcionamiento
típico de las RAM, pero con la característica
distintiva de que los datos almacenados en ellas
son preservados aun cuando se interrumpe la
alimentación eléctrica. Se utilizan en situaciones
donde se requiere conservar la información
almacenada sin necesidad de alimentación
alguna, normalmente donde se desea evitar el
uso de baterías (o bien no es posible)

10.  SRAM asíncrona :Las SRAM asíncronas están
disponibles en tamaños desde 4Kb hasta
32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son
adecuadas para el uso en equipos de
comunicaciones, como switches, routers,
teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrónica
de automoción.
 Por tipo de transistor:
 Transistor Bipolar de Unión o BJT (de tipo TTL o
ECL) — muy rápidos, pero con un consumo
muy alto.
 Transitor MOSFET (de tipo CMOS) — consumo
reducido, los más utilizados actualmente.

11.  Por función:
 Asíncronas — independientes de la
frecuencia de reloj.
 Síncronas — todas las operaciones son
controladas por el reloj del sistema.

12. VENTAJAS Y
DESVENTAJAS DE LAS
“SRAM”
 VENTAJA:
 Mejor tiempo de acceso
 No necesita regenerar su contenido
 Son mas fáciles de usar
 DESVENTAJAS:
 Menor densidad y capacidad
 Mayor costo por bit
 Mayor consumo de potencia
 APLICACIÓN: Memoria Cache