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MEMORIA“SRAM”




(Memoria estática de acceso aleatorio)
CONCEPTO DE “SRAM”

 Las “SRAM” son un tipo de memoria RAM. La
palabra "estática" indica que estas memorias
retienen su contenido el tiempo que reciben
energía, a diferencia de las RAM (DRAM) que
necesitan refrescarse periódicamente (SRAM no
debe ser confundida con las ROM y las
memorias flash, dado que es una
memoria volátil y preserva los datos sólo
cuando recibe energía).
Es un tipo de memoria que es más rápida y más
fiable que las más comunes DRAM.
SRAM tiene un tiempo de acceso de 10
nanosegundos, en cambio en las DRAM es de
60 nanosegundos.
CARACTERIATICAS DE UNA
       “SRAM”
La memoria SRAM es más cara, pero más
rápida y con un menor consumo (especialmente
en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada,
por tanto, cuando es necesario disponer de un
menor tiempo de acceso, o un consumo
reducido, o ambos. Debido a su compleja
estructura interna, es menos densa que DRAM,
y por lo tanto no es utilizada cuando es
necesaria una alta capacidad de datos, como
por ejemplo en la memoria principal de los
computadores personales.
“ DISEÑO DE UNA SRAM”
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que
significa que las posiciones en la memoria
pueden ser escritas o leídas en cualquier orden,
independientemente de cual fuera la última
posición de memoria accedida.
Cada bit en una SRAM se almacena en
cuatro transistores, que forman un
biestable. Este circuito biestable tiene dos
estados estables, utilizados para
almacenar (representar) un 0 o un 1.
PARTES DE UNA “SRAM”
 1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál
   están soldadas los componentes de la memoria.
 2.- Chips: son módulos de memoria volátil SRAM.
 3.- Conector (80 terminales): base de la memoria
   que se inserta
en la ranura especial para
SRAM.
 4.- Muesca: indica la
posición correcta dentro de
la ranura de memoria
MODOS DE OPERACIÓN DE UNA
         “SRAM”
PARTES DE UNA “SRAM”
 Reposo: Su bus de control (WL) no está activado, los
  transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda de
  los buses de datos. Los dos biestables formados por M1
  – M4 mantendrán los datos almacenados, en tanto dure
  la alimentación eléctrica
 Lectura: Se asume que el contenido de la memoria es
  1, y está almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza
  cargando los buses de datos con el 1 lógico, y luego
  activa WL y los transistores de control. A continuación,
  los valores almacenados en Q y Q se transfieren a los
  buses de datos, dejando BL en su valor previo, y
  ajustando BL a través de M1 y M5 al 0 lógico. En el caso
  que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce
  el efecto contrario: BL será ajustado a 1 y BL a 0.
 Escritura : Se inicia aplicando el valor a escribir en el
  bus de datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a
  1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los
  valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el
  bus WL, y el dato queda almacenado.
TIPOS DE “SRAM”
 SRAM no volátiles :Las memorias SRAM no
 volátiles (NVRAM) presentan el funcionamiento
 típico de las RAM, pero con la característica
 distintiva de que los datos almacenados en ellas
 son preservados aun cuando se interrumpe la
 alimentación eléctrica. Se utilizan en situaciones
 donde se requiere conservar la información
 almacenada sin necesidad de alimentación
 alguna, normalmente donde se desea evitar el
 uso de baterías (o bien no es posible)
 SRAM asíncrona :Las SRAM asíncronas están
  disponibles en tamaños desde 4Kb hasta
  32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son
  adecuadas para el uso en equipos de
  comunicaciones, como switches, routers,
  teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrónica
  de automoción.
 Por tipo de transistor: 
 Transistor Bipolar de Unión o BJT (de tipo TTL o
  ECL) — muy rápidos, pero con un consumo
  muy alto.
 Transitor MOSFET (de tipo CMOS) — consumo
  reducido, los más utilizados actualmente.
 Por función:
 Asíncronas — independientes de la
  frecuencia de reloj.
 Síncronas — todas las operaciones son
  controladas por el reloj del sistema.
VENTAJAS Y
   DESVENTAJAS DE LAS
         “SRAM”
 VENTAJA:
 Mejor tiempo de acceso
 No necesita regenerar su contenido
 Son mas fáciles de usar
 DESVENTAJAS:
 Menor densidad y capacidad
 Mayor costo por bit
 Mayor consumo de potencia
 APLICACIÓN: Memoria Cache

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Todo sobre SRAM: Características, partes y tipos de la memoria estática de acceso aleatorio

  • 2. CONCEPTO DE “SRAM” Las “SRAM” son un tipo de memoria RAM. La palabra "estática" indica que estas memorias retienen su contenido el tiempo que reciben energía, a diferencia de las RAM (DRAM) que necesitan refrescarse periódicamente (SRAM no debe ser confundida con las ROM y las memorias flash, dado que es una memoria volátil y preserva los datos sólo cuando recibe energía). Es un tipo de memoria que es más rápida y más fiable que las más comunes DRAM. SRAM tiene un tiempo de acceso de 10 nanosegundos, en cambio en las DRAM es de 60 nanosegundos.
  • 3. CARACTERIATICAS DE UNA “SRAM” La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.
  • 4. “ DISEÑO DE UNA SRAM” Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1.
  • 5. PARTES DE UNA “SRAM”  1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.  2.- Chips: son módulos de memoria volátil SRAM.  3.- Conector (80 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para SRAM.  4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria
  • 6. MODOS DE OPERACIÓN DE UNA “SRAM”
  • 7. PARTES DE UNA “SRAM”
  • 8.  Reposo: Su bus de control (WL) no está activado, los transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1 – M4 mantendrán los datos almacenados, en tanto dure la alimentación eléctrica  Lectura: Se asume que el contenido de la memoria es 1, y está almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lógico, y luego activa WL y los transistores de control. A continuación, los valores almacenados en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a través de M1 y M5 al 0 lógico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL será ajustado a 1 y BL a 0.  Escritura : Se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el dato queda almacenado.
  • 9. TIPOS DE “SRAM”  SRAM no volátiles :Las memorias SRAM no volátiles (NVRAM) presentan el funcionamiento típico de las RAM, pero con la característica distintiva de que los datos almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la alimentación eléctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar la información almacenada sin necesidad de alimentación alguna, normalmente donde se desea evitar el uso de baterías (o bien no es posible)
  • 10.  SRAM asíncrona :Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb hasta 32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones, como switches, routers, teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrónica de automoción.  Por tipo de transistor:   Transistor Bipolar de Unión o BJT (de tipo TTL o ECL) — muy rápidos, pero con un consumo muy alto.  Transitor MOSFET (de tipo CMOS) — consumo reducido, los más utilizados actualmente.
  • 11.  Por función:  Asíncronas — independientes de la frecuencia de reloj.  Síncronas — todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema.
  • 12. VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LAS “SRAM”  VENTAJA:  Mejor tiempo de acceso  No necesita regenerar su contenido  Son mas fáciles de usar  DESVENTAJAS:  Menor densidad y capacidad  Mayor costo por bit  Mayor consumo de potencia  APLICACIÓN: Memoria Cache