Memoria del computador FeRAM Autor: VEINTIMILLA CALVOPIÑA FRANKLIN HUMBERTO estudiante del 4 curso de electromecánica de la UTC

1. UNIVERSIDAD
TECNICA DE
COTOPAXI
INGENIERIA ELECTROMECANICA

2. SISTEMAS DIGITALES
 NOMBRE: FRANKLIN VEINTIMILLA
 CICLO: 4 “A”

3. MEMORIAS FERAM
 La RAM ferroeléctrica (FeRAM, F-RAM o FRAM) es una memoria de
estado sólido, similar a la memoria RAM, pero que tiene un
funcionamiento más parecido a las antiguas memorias de ferrita.

4.  Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un
microscópico condensador, contiene dentro moléculas que
preservan la información por medio de un efecto ferroeléctrico.

5. CARACTERISTICAS
 Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen
velocidades (del orden de la centena de nanosegundos) que las
habilitan para trabajar como memoria principal con la mayoría de
los microprocesadores.
 Lectura destructiva: como todas las memorias ferroeléctricas, la
lectura es destructiva. Esto no representa un problema, ya que el
chip se encarga de reescribir los datos luego de una lectura.

6.  Encapsulados: se consiguen hoy en día tanto en variedades para
trabajo en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en
serie (como memoria de apoyo).

7.  La memoria FeRAM ofrece alta velocidad de escritura y bajo
consumo de energía, y la capacidad de retener los datos incluso
cuando se apaga el equipo.

8.  Se espera que los recuerdos Feram juegan un papel central en las
tecnologías de la "computación en cualquier lugar", especialmente
en la gestión de las redes inalámbricas, el comercio electrónico y la
información de seguridad. En la medida en que estas nuevas
tecnologías se transforman en productos, acercándose al futuro en
el que las personas pueden hacer pagos de forma segura sólo lleva
en el bolsillo un chip electrónico, donde se encripta toda tu
información.

9.  Pero ahora en esto, los recuerdos Feram permiten ordenadores
portátiles, PDAs y teléfonos móviles están equipados con
características reconfigurables que les permitan interactuar con
otros equipos, cualquiera que sea el protocolo o el método de
comunicación utilizado.

10. VENTAJAS DE FERAM
 Alta velocidad: 30 veces más rápido que la memoria EEPROM.
 Alta durabilidad: la durabilidad de mil millones de veces (1012
veces garantizan) superior a EEPROM.
 Bajo consumo de energía: Consumo de energía 200 veces inferior a
la EEPROM
 Excelente resistencia a la manipulación indebida: los datos
registrados en FRAM no se puede detectar mediante un examen
físico.

11.  resistencia a la radiación: el FRAM es altamente resistente a
lacampos y radiaciones magnéticas.
 Rango de temperatura de funcionamiento: -40 ° C a 85 ° C
 La retención de datos: Diez años sin batería.

12. APLICACIONES
 La demanda de FRAM está aumentando rápidamente en muchas
aplicaciones
que requieren alto rendimiento, bajo consumo de energía y alta resistencia.
FRAM es una excelente alternativa a la EEPROM para aplicaciones de registro
datos con bajo consumo de energía, que es esencial para evitar cualquier
pérdida de datos, incluso en caso de corte de energía. otro
Las aplicaciones incluyen tarjetas inteligentes, RFID, seguridad, sistemas industriales,
automatización industrial y equipos de medición. Los materiales ferroeléctricos
el FRAM es altamente resistente a los campos de radiación y magnéticos,
por lo que es ideal para aplicaciones en medicina, la industria aeroespacial,
y los alimentos.