Memoria del computador PRAM Autor: TAPIA CARRERA JORGE DAVID estudiante del 4 curso de electromecánica de la UTC

1. UNIVERSIDAD TECNICA DE
COTOPAXI
UNIDAD ACADEMICA DE CIENCIA DE LA INGENIERIA Y
APLICADAS
INGENIERIA ELECTROMECANICA
TEMA: P RAM
ALUMNO: JORGE TAPIA

2. P RAM
 La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, también llamada
PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory —memoria ovónica
unificada— y C-RAM, de calcógeno) es un tipo de memoria no volátil.
Utiliza vidrio calcógeno (anfígeno) que puede configurarse en uno de dos
estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de un
grupo de nuevas tecnologías de memoria que buscan competir con la
memoria Flash en el campo de las memorias no volátiles supliendo las
carencias de ésta.

3. PRAM vs. Flash
Precisamente es este tiempo de cambio el que hace a la PRAM y otras propuestas semejantes
un sustituto interesante de Flash. La sensibilidad a la temperatura de la PRAM es su mayor
desventaja, y podría requerir cambios en los procesos de producción de la misma.
La memoria Flash funciona modulando la carga electrónica almacenada en la puerta de un
transistor MOS. La puerta está diseñada para ser capaz de confinar carga eléctrica (bien en
puerta flotante o en trampas de aislante).
La memoria PRAM ofrece un desempeño mucho mejor en aplicaciones en las que la escritura
es importante, tanto por el menor tiempo de cambio del elemento como por el hecho de que los
cambios pueden realizarse a nivel de bit sin afectar a un bloque entero de celdas. Su velocidad
está miles de veces por encima de las de los discos duros convencionales. Esto la hace
especialmente útil para cubrir almacenamiento no volátil que en la actualidad viene limitado por
la velocidad de acceso a los datos.

4.  Por el momento, las PRAM fabricadas almacenan un bit por celda (las Flash pueden
modular la carga almacenada en una celda para almacenar varios bits,
típicamente dos).
 Pueden utilizarse varios elementos diferentes para seleccionar celdas en una
PRAM: diodos, BJT y MOSFET entre otros. El diodo proporciona la mayor corriente de
todos estos, aunque existe el problema de la inducción de corrientes parásitas en
celdas colindantes, así como mayores necesidades energéticas.

5.  El prototipo presenta un núcleo de 46,7 nm, que es mejor que cualquiera de las
Flash RAM en el mercado. Aunque Flash RAM ya tiene tiempo en el mercado y una
mayor capacidad (con módulos de 8 Gb saliendo al mercado), se prevé que PRAM
será un verdadero competidor en este sentido ya que tiene una densidad mucho
mayor y en un futuro se esperan capacidades enormes.