1. Carrera: Ingeniería de sistemas e
informática.
Alumna: Angie Stefany Ramírez
Guivar.
Tema: Semiconductores

2. Semiconductores intrínsecos
Intrínseco indica un material semiconductor
extremadamente puro contiene una cantidad insignificante
de átomos
de impurezas. En él se cumple:
n =·p = n!
n: nº eléctrones/m3
p: nº eléctrones/m3
n,: densidad
intrínseca
de portadores

3. A simple vista es imposible que un semiconductor permita el
movimiento de electrones
a través de sus bandas de energía Idealmente, a T=0ºK,el
semiconductor es un aislante
porque todos lose- están formando enlaces.

4. Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper
y quedar libre un e-para moverse en la estructura cristalina.

5. El hecho de liberarse un e-deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en
la estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor en
contraemos el electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de
portador: el hueco (h+)

6. CONDUNCIÓN INTRISECA
p = n = ni --> Donde p y
n son las
concentraciones de
huecos y electrones
respectivamente, y ni es
la concentración de
portadores intrínsecos.
Este fenómeno de la
conducción asociada a
la formación de pares
en el semiconductor se
denomina conducción
intrínseca. Se cumple
que

7. SEMICONDUCTOR
DOPADOSi aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila
intentará atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo
así la aparición de una corriente a través del circuito.
Sentido del movimiento de un
electrón y un hueco en el silicio
Ahora bien, esta corriente que
aparece es de muy pequeño
valor, pues son pocos los
electrones que podemos arrancar
de los enlaces entre los átomos
de silicio. Para aumentar el valor
de dicha corriente tenemos dos
posibilidades: 1).Aplicar una
tensión de valor superior.
2).Introducir previamente en el
semiconductor electrones o
huecos desde el exterior…

8. PROCESO S DE DOPADOS
La impurificación de cristales es de total necesidad en Electrónica.
En muchos casos el dopaje se realiza a la vez del crecimiento (del lingote o
crecimiento epitaxial) impurificación uniforme de la oblea (aunque no del lingote).
Además, en el curso de la fabricación de dispositivos es necesario introducir
nuevas impurezas para modificar las propiedades electrónicas.

9. El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de
otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de
impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al
semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de
semiconductores.
• Semiconductor tipo P • Semiconductor tipo N

10. Difusión
Hornos de difusión:
El primer horno de difusión fue patentado
en 1957:

11. Implantación Iónica
La implantación iónica es un método de impurificación tanto de Silicio como de
GasS .
• Es el método dominante de dopaje utilizado hoy día a pesar de sus
desventajas.
• Es un proceso más costoso y complejo que la difusión y una alternativa a
la misma