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Ingeniería de Sistemas 
Informática 
SEMICONDUCTORES 
ALUMNO: Guillermo Pardavé Montalvan 
CURSO: Física Electrónica 
PROFESOR: Condori Zamora Kelly
 CONCEPTO: 
Semiconductor es un elemento que se 
comporta como un conductor o como 
un aislante dependiendo de diversos 
factores, como por ejemplo el campo 
eléctrico o magnético, la presión, la 
radiación que le incide, o la 
temperatura del ambiente en el que 
se encuentre. Los elementos químicos 
semiconductores de la tabla periódica 
se indican en la siguiente tabla:
 TIPOS: 
1. Semiconductor intrínseco 
Se dice que un semiconductor es 
“intrínseco” cuando se encuentra en 
estado puro, o sea, que no contiene 
ninguna impureza, ni átomos de otro 
tipo dentro de su estructura. En ese 
caso, la cantidad de huecos que dejan 
los electrones en la banda de valencia 
al atravesar la banda prohibida será 
igual a la cantidad de electrones 
libres que se encuentran presentes en 
la banda de conducción.
Como se puede observar en la 
ilustración anterior, en el caso 
de los semiconductores el 
espacio correspondiente a la 
banda prohibida es mucho 
más estrecho en comparación 
con los materiales aislantes. 
La energía de salto de banda 
(Eg) requerida por los 
electrones para saltar de la 
banda de valencia a la de 
conducción es de 1 eV 
aproximadamente. En los 
semiconductores de silicio 
(Si), la energía de salto de 
banda requerida por los 
electrones es de 1,21 eV, 
mientras que en los de 
germanio (Ge) es de 0,785 eV.
Cuando se conecta un 
generador a un semiconductor 
intrínseco, los electrones 
libres se mueven hacia 
el polo positivo del generador 
y los electrones del polo 
negativo del generador, saltan 
a los huecos del 
semiconductor y se mueven 
también hacia el polo positivo 
saltando de hueco en hueco. 
Esto último equivale 
a decir que los huecos se 
mueven hacia el polo negativo 
del generador. 
Se dice pues que la corriente 
que 
circula por un semiconductor 
posee dos contribuciones: 
una debida a movimiento de 
electrones (con carga 
negativa) hacia el polo 
positivo y otra debida a 
movimiento de huecos (con 
carga positiva) hacia el polo 
negativo. La carga positiva 
del hueco es en realidad la 
carga positiva del núcleo del 
átomo del cual ha saltado 
el electrón debido a la 
energía térmica.
2. Semiconductor dopado 
Otro tipo de semiconductores que se 
obtienen artificialmente añadiendo 
impurezas a los 
semiconductores intrínsecos. Estos 
nuevos semiconductores se denominan 
dopados. Existen dos clase de 
semiconductores dopados: 
semiconductores N y semiconductores P. 
Un semiconductor N se obtiene 
añadiendo un pequeño número de 
átomos pentavalentes (con cinco 
electrones en su última capa) a un 
semiconductor intrínseco. 
Estos átomos pueden ser de P, As o Sb. De 
los cinco electrones, cuatro realizan 
enlaces covalentes con los átomos del 
semiconductor intrínseco y el otro será 
libre. A temperatura ambiente los 
electrones libres de un semiconductor N 
provienen de los electrones sobrantes de 
las impurezas y de los electrones 
térmicos (o liberados por energía 
térmica). 
La corriente eléctrica en el 
semiconductor N es también debida a 
electrones y huecos. Los electrones son 
portadores mayoritarios y los huecos son 
portadores minoritarios.
Un semiconductor tipo P es el 
resultado de añadir un 
pequeño número de átomos 
trivalentes (con tres 
electrones en la última capa) 
a un semiconductor 
intrínseco. Estos tres 
electrones formaran enlaces 
covalentes con los átomos del 
semiconductor intrínseco. 
Queda por lo tanto un 
electrón del semiconductor 
intrínseco sin emparejar para 
formar el enlace covalente. 
Esto es, habrá un hueco 
donde cabría un electrón. 
Los átomos que se añaden 
pueden ser de Al, B o Bi.
El número de huecos será por lo tanto 
mayor en un semiconductor dopado P 
que en el correspondientes 
semiconductor intrínseco. Al conectar 
un generador externo, los huecos se 
moverán hacia 
el polo negativo del generador y los 
electrones libres hacia el polo 
positivo. 
Los huecos serán los portadores 
mayoritarios y los electrones térmicos 
los portadores minoritarios.
REFERENCIAS: 
 http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor 
 http://www.uv.es/~navasqui/Tecnologia/Tema3.pdf 
 http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_ 
semiconductor_4.htm 
 http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp

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Trabajos semiconductores intrínsecos y dopados

  • 1. Ingeniería de Sistemas Informática SEMICONDUCTORES ALUMNO: Guillermo Pardavé Montalvan CURSO: Física Electrónica PROFESOR: Condori Zamora Kelly
  • 2.  CONCEPTO: Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la siguiente tabla:
  • 3.  TIPOS: 1. Semiconductor intrínseco Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.
  • 4. Como se puede observar en la ilustración anterior, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.
  • 5.
  • 6. Cuando se conecta un generador a un semiconductor intrínseco, los electrones libres se mueven hacia el polo positivo del generador y los electrones del polo negativo del generador, saltan a los huecos del semiconductor y se mueven también hacia el polo positivo saltando de hueco en hueco. Esto último equivale a decir que los huecos se mueven hacia el polo negativo del generador. Se dice pues que la corriente que circula por un semiconductor posee dos contribuciones: una debida a movimiento de electrones (con carga negativa) hacia el polo positivo y otra debida a movimiento de huecos (con carga positiva) hacia el polo negativo. La carga positiva del hueco es en realidad la carga positiva del núcleo del átomo del cual ha saltado el electrón debido a la energía térmica.
  • 7. 2. Semiconductor dopado Otro tipo de semiconductores que se obtienen artificialmente añadiendo impurezas a los semiconductores intrínsecos. Estos nuevos semiconductores se denominan dopados. Existen dos clase de semiconductores dopados: semiconductores N y semiconductores P. Un semiconductor N se obtiene añadiendo un pequeño número de átomos pentavalentes (con cinco electrones en su última capa) a un semiconductor intrínseco. Estos átomos pueden ser de P, As o Sb. De los cinco electrones, cuatro realizan enlaces covalentes con los átomos del semiconductor intrínseco y el otro será libre. A temperatura ambiente los electrones libres de un semiconductor N provienen de los electrones sobrantes de las impurezas y de los electrones térmicos (o liberados por energía térmica). La corriente eléctrica en el semiconductor N es también debida a electrones y huecos. Los electrones son portadores mayoritarios y los huecos son portadores minoritarios.
  • 8.
  • 9. Un semiconductor tipo P es el resultado de añadir un pequeño número de átomos trivalentes (con tres electrones en la última capa) a un semiconductor intrínseco. Estos tres electrones formaran enlaces covalentes con los átomos del semiconductor intrínseco. Queda por lo tanto un electrón del semiconductor intrínseco sin emparejar para formar el enlace covalente. Esto es, habrá un hueco donde cabría un electrón. Los átomos que se añaden pueden ser de Al, B o Bi.
  • 10. El número de huecos será por lo tanto mayor en un semiconductor dopado P que en el correspondientes semiconductor intrínseco. Al conectar un generador externo, los huecos se moverán hacia el polo negativo del generador y los electrones libres hacia el polo positivo. Los huecos serán los portadores mayoritarios y los electrones térmicos los portadores minoritarios.
  • 11. REFERENCIAS:  http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor  http://www.uv.es/~navasqui/Tecnologia/Tema3.pdf  http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_ semiconductor_4.htm  http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp