1. Ary Jared Zarate Farías
IV CICLO
Ingeniería de Sistemas e Informática

2. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
 En un semiconductor intrínseco(puro), basado en
GE o Si, la conductividad se obtiene con un
campo eléctrico suficientemente fuerte como para
sacar un e-, pasa de banda de valencia a la
conducción.
 Se produce por : Movilidad del e- libre y Movilidad
del hueco positivo(por el método de vacancias
electrónicas)

3. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
 Indica un material semiconductor
extremadamente puro contiene
una cantidad insignificante de
átomos de impurezas. Se cumple

4. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Modelo de bandas de energía : conducción intrínseca
Estructura de un semiconductor
Estructura de un
metal

5. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
 Practicamente nos interesa controlar la
concentracion de portadores en un
semiconductor N o P.
 Para esto se procede con el proceso de
DOPADO.
 Esto funciona tomando atomos de SC
intrinseco se sustituye por atomos de otro
elemento (impurezas o dopantes).
 De este modo podemos favorecer la
aparcicion de electrones (semiconductores
Tipo N: donde n>p), y
huecos(semiconductores Tipo P: donde p>n).

6. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
 Ejemplo de Material Extrínseco TIPO N:
Se agregaron elementos con 5 e-, e su ultima capa :
IMPUREZA DONADORA
Cuando se forma la estructura cristalina, el ultimo
electrón no estará liga a ningún enlace covalente, con
muy poca energía, el electrón se separa del átomo y
pasa a la banda de conducción
La impureza fija en todo el espacio queda IONIZADA
(CARGA POSITIVA)
ELEMENTO
SILICIO
En un semiconductor tipo N: los dopantes contribuyen a la existencia “EXTRA” de electrones,
lo cual aumenta enormemente la conductividad de los electrones

7. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
 Ejemplo de Material Extrínseco TIPO P:
Cuando se sustituye un átomo por otro, que contenga
3 e- en su ultima capa : IMPUREZA ACEPTADORA
Al formarse el cristal, los 3e-, forman un enlace
covalente con los átomos del elemento, pero esto
deja un hueco (enlace vacante).
A ese hueco se pueden mover otros e-, dejaran a su
ves otros huecos en la banda de valencia.
La impureza fija en el espacio quedara cargada
negativamente.
En un semiconductor tipo P: los dopantes contribuyen a la existencia “EXTRA” de Huecos,
esto causa que la banda de conducción no tenga electrones.

8. Donadores y aceptadores del
silicio
ACEPTADORES
DONADORES