SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E
         INTRÍNSECOS

La conductividad de los semiconductores también puede ser elevada
introduciendo una concentración muy baja de impurezas
seleccionadas cuidadosamente. Estos semiconductores reciben el
nombre de semiconductores extrínsecos o dopados. Los
semiconductores como el Si puro (sin ningún dopaje) se denominan
semiconductores intrínsecos.
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
       E INTRÍNSECOS
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E
                 INTRÍNSECOS
   Consideremos un cristal de Si que tiene Ga como impureza. El Ga tiene
    un electrón de valencia menos que el Si, de modo que habrá un enlace
    Si-Ga que tendrá una deficiencia de un electrón. El nivel de energía
    asociado con este enlace no forma parte de la banda de valencia, sino
    que se ubica como un nivel de energía localizado cercano al borde
    superior de la banda de valencia. Estos niveles se conocen con el
    nombre de “niveles aceptores”
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E INTRÍNSECOS
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E INTRÍNSECOS

   Debido a la pequeña diferencia de energía entre la
    banda de valencia y los niveles aceptores, es muy fácil
    promover electrones a estos niveles y generar
    “huecos” positivos en la banda de valencia. Esto
    permitirá a los electrones con energías próximas a la
    parte superior de la banda de valencia conducir la
    electricidad. Un semiconductor extrínseco como este,
    dopado con un elemento que tiene un número de
    electrones menor, se denomina
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E INTRÍNSECOS
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E INTRÍNSECOS



Estos niveles localizados se encuentran tan cerca del borde inferior de la banda de
   conducción, de modo tal que pueden saltar con facilidad a la banda de
   conducción y conducir la electricidad. Un semiconductor extrínseco como este,
   dopado con un elemento que tiene un electrón más se denomina
   “semiconductor tipo n”
SEMICONDUCTOR DOPADO

Si aplicamos
una tensión al
cristal de
silicio, el
positivo de la
pila intentará
atraer los
electrones y el
negativo los
huecos
favoreciendo
así la
aparición de
una corriente
a través del
circuito
Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos
    los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio.
    Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades:

•     Aplicar una tensión de valor superior
•     Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
Bandas en Semiconductores Dopados


               DOPADOS
   La aplicación de la teoría de bandas a los
    semiconductores de tipo N y Tipo P
    Muestra que los niveles adicionales se
    han añadido por las impurezas. En el
    material de tipo n hay electrones con
    niveles de energía cerca de la parte
    superior de la banda prohibida, de modo
    que pueden ser fácilmente excitados
    hacia la banda de conducción. En el
    material de tipo p, los huecos adicionales
    en la banda prohibida, permiten la
    excitación de los electrones de la banda
    de valencia, dejando huecos móviles en la
    banda de valencia.
TIPOS DE SEMICONDUCTOR DOPADOS


                 TIPO N                                        TIPO P
   Se llama material tipo N al que posee      Se llama así al material que tiene átomos de
    átomos de impurezas que permiten la         impurezas que permiten la formación de
    aparición de Electrones sin huecos          huecos sin que aparezcan electrones
    asociados a los mismos. Los átomos de       asociados a los mismos, como ocurre al
    este tipo se llaman donantes ya que         romperse una ligadura. Los átomos de este
                                                tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o
    "donan" o entregan electrones.
                                                toman un electrón. Suelen ser de
                                                valencia tres, como el aluminio, el indio o el
                                                Galio.
SEMICONDUCTOR INTRINSECOS
SEMICONDUCTOR INTRINSECOS

          INTRINSECOS
   El cristal de silicio es diferente de
    un aislante porque a cualquier
    temperatura por encima del cero
    absoluto, existe una probabilidad
    finita de que un electrón en la
    red sea golpeado y sacado de su
    posición, dejando tras de sí una
    deficiencia de electrones llamada
    “hueco".
SEMICONDUCTOR INTRINSECOS

   La conductividad de un semiconductor puede
    ser modelada en términos de la teoría de
    bandas de sólidos. El modelo de banda de un
    semiconductor sugiere que, a temperaturas
    ordinarias hay una posibilidad finita de que los
    electrones pueden alcanzar la banda de
    conducción, y contribuir a la conducción
    eléctrica.
SEMICONDUCTOR INTRINSECOS

   El término intrínseco aquí, distingue entre las
    propiedades del silicio puro "intrínseco", y las
    propiedades radicalmente diferentes del
    semiconductor dopado tipo N o tipo P.
ALEX GUEVARA L.
Física Electrónica.

Semiconductores extrínsecos e intrínsecos

  • 1.
    SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E INTRÍNSECOS La conductividad de los semiconductores también puede ser elevada introduciendo una concentración muy baja de impurezas seleccionadas cuidadosamente. Estos semiconductores reciben el nombre de semiconductores extrínsecos o dopados. Los semiconductores como el Si puro (sin ningún dopaje) se denominan semiconductores intrínsecos.
  • 2.
  • 3.
    SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E INTRÍNSECOS  Consideremos un cristal de Si que tiene Ga como impureza. El Ga tiene un electrón de valencia menos que el Si, de modo que habrá un enlace Si-Ga que tendrá una deficiencia de un electrón. El nivel de energía asociado con este enlace no forma parte de la banda de valencia, sino que se ubica como un nivel de energía localizado cercano al borde superior de la banda de valencia. Estos niveles se conocen con el nombre de “niveles aceptores”
  • 4.
  • 5.
    SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS EINTRÍNSECOS  Debido a la pequeña diferencia de energía entre la banda de valencia y los niveles aceptores, es muy fácil promover electrones a estos niveles y generar “huecos” positivos en la banda de valencia. Esto permitirá a los electrones con energías próximas a la parte superior de la banda de valencia conducir la electricidad. Un semiconductor extrínseco como este, dopado con un elemento que tiene un número de electrones menor, se denomina
  • 6.
  • 7.
    SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS EINTRÍNSECOS Estos niveles localizados se encuentran tan cerca del borde inferior de la banda de conducción, de modo tal que pueden saltar con facilidad a la banda de conducción y conducir la electricidad. Un semiconductor extrínseco como este, dopado con un elemento que tiene un electrón más se denomina “semiconductor tipo n”
  • 8.
    SEMICONDUCTOR DOPADO Si aplicamos unatensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito
  • 9.
    Ahora bien, estacorriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades: • Aplicar una tensión de valor superior • Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
  • 10.
    Bandas en SemiconductoresDopados DOPADOS  La aplicación de la teoría de bandas a los semiconductores de tipo N y Tipo P Muestra que los niveles adicionales se han añadido por las impurezas. En el material de tipo n hay electrones con niveles de energía cerca de la parte superior de la banda prohibida, de modo que pueden ser fácilmente excitados hacia la banda de conducción. En el material de tipo p, los huecos adicionales en la banda prohibida, permiten la excitación de los electrones de la banda de valencia, dejando huecos móviles en la banda de valencia.
  • 11.
    TIPOS DE SEMICONDUCTORDOPADOS TIPO N TIPO P  Se llama material tipo N al que posee  Se llama así al material que tiene átomos de átomos de impurezas que permiten la impurezas que permiten la formación de aparición de Electrones sin huecos huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos. Los átomos de asociados a los mismos, como ocurre al este tipo se llaman donantes ya que romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o "donan" o entregan electrones. toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como el aluminio, el indio o el Galio.
  • 12.
  • 13.
    SEMICONDUCTOR INTRINSECOS INTRINSECOS  El cristal de silicio es diferente de un aislante porque a cualquier temperatura por encima del cero absoluto, existe una probabilidad finita de que un electrón en la red sea golpeado y sacado de su posición, dejando tras de sí una deficiencia de electrones llamada “hueco".
  • 14.
    SEMICONDUCTOR INTRINSECOS  La conductividad de un semiconductor puede ser modelada en términos de la teoría de bandas de sólidos. El modelo de banda de un semiconductor sugiere que, a temperaturas ordinarias hay una posibilidad finita de que los electrones pueden alcanzar la banda de conducción, y contribuir a la conducción eléctrica.
  • 15.
    SEMICONDUCTOR INTRINSECOS  El término intrínseco aquí, distingue entre las propiedades del silicio puro "intrínseco", y las propiedades radicalmente diferentes del semiconductor dopado tipo N o tipo P.
  • 16.