2. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores , como por Ejem: el campo eléctrico o
magnético , la presión ,la radicación que le incide ,o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre .los elementos químicos semiconductores de la tabla
periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el germanio .posteriormente se ha
comenzado a emplear también el azufre .la características común a todos ellos
es que son tetralentes ,teniendo el silicio una configuración electrónica s2 p2.
Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores , como por Ejem: el campo eléctrico o
magnético , la presión ,la radicación que le incide ,o la temperatura del ambiente
en el que se encuentre .los elementos químicos semiconductores de la tabla
periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el germanio .posteriormente se ha
comenzado a emplear también el azufre .la características común a todos ellos
es que son tetralentes ,teniendo el silicio una configuración electrónica s2 p2.

3. IIIA IVA VA
B C N
IIB AI Si P
Zn Ga Ge As
Cd In Sn Sb
Hg Ti Pb Bi
Semiconductores de la tabla periódica química
Semiconductores

7. ¿Qué es un semiconductor intrínseco?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no contiene ninguna impureza,
ni átomos de otro tipo dentro de su estructura . En ese caso , la calidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida sea igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conclusión
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no contiene ninguna impureza,
ni átomos de otro tipo dentro de su estructura . En ese caso , la calidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida sea igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conclusión

8. Semiconductores intrínsecos
Como se puede observar en la induración , en el caso de los semiconductores
el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho mas estrecho en
comparación con los materiales aislantes . La energía de salto de banda
(Eg)requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de
conducción es de 1eV aproximadamente .en los semiconductores de silicio
(SI),la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio(Ge)es de 0,785eV.
Como se puede observar en la induración , en el caso de los semiconductores
el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho mas estrecho en
comparación con los materiales aislantes . La energía de salto de banda
(Eg)requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de
conducción es de 1eV aproximadamente .en los semiconductores de silicio
(SI),la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio(Ge)es de 0,785eV.

9. Semiconductor intrínsecos:
Estructura cristalina de u semiconductor intrínseco compuesta solamente
por átomos de silicio (si) que forman una celosía ,como se puede observar
en la ilustración ,los átomos de silicio (que solo poseen cuatro electrones en
la ultima orbita o banda de valencia ), se unen formando enlaces
covalentes para completar 8 electrones y crear así un cuerpo solido
semiconductor .en esos condiciones el cristal de silicio se comportara igual
que si fuera un cuerpo aislante
Estructura cristalina de u semiconductor intrínseco compuesta solamente
por átomos de silicio (si) que forman una celosía ,como se puede observar
en la ilustración ,los átomos de silicio (que solo poseen cuatro electrones en
la ultima orbita o banda de valencia ), se unen formando enlaces
covalentes para completar 8 electrones y crear así un cuerpo solido
semiconductor .en esos condiciones el cristal de silicio se comportara igual
que si fuera un cuerpo aislante

10. Semiconductores dopados
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en
las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña
cuando se agregan un pequeño numero de átomos )entonces se dice que
el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos (en el
orden de 1 cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o
pesado .este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que permiten la
aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos .los átomos de
este tipo se llaman donantes ya que «donan» o entregan electrones .suelen
ser de valencia 5 , como el arsénico y el fosforo de esta forma , no se han
desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al
semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones que
huecos ,por lo que los primeros serán los portadores mayoritarias y los
últimos los minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será
funciones directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.
El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en
las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña
cuando se agregan un pequeño numero de átomos )entonces se dice que
el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos (en el
orden de 1 cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o
pesado .este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para
material de tipo N, o P + para material de tipo P.
Tipo N:
se llama material tipo N que posee átomos de impureza que permiten la
aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos .los átomos de
este tipo se llaman donantes ya que «donan» o entregan electrones .suelen
ser de valencia 5 , como el arsénico y el fosforo de esta forma , no se han
desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al
semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones que
huecos ,por lo que los primeros serán los portadores mayoritarias y los
últimos los minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será
funciones directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.

11. Semiconductores dopado:
Es un ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo (dopaje N). En el caso del fosforó ,se
dona un electrón
Es un ejemplo de dopaje de silicio por el fosforo (dopaje N). En el caso del fosforó ,se
dona un electrón

12. Semiconductores dopados :
Tipo P:
Se llama así al material que tiene átomos de impureza que permiten
formación de huecos sin que aparescan electrones asociados a los
mismos , como ocurre al romperse una ligadura . Los átomos de este
tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman un electrón .
Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio ,el indio o el galio
.nuevamente .el átomo introduciendo es neutro ,por lo que no
modificara la neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que solo
tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia , a parecerá una
ligadura rota. que tendera a tomar electrones s de los átomos
próximos ,generando finalmente mas huecos que electrones , por lo
que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios
Se llama así al material que tiene átomos de impureza que permiten
formación de huecos sin que aparescan electrones asociados a los
mismos , como ocurre al romperse una ligadura . Los átomos de este
tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman un electrón .
Suelen ser de valencia tres ,como el aluminio ,el indio o el galio
.nuevamente .el átomo introduciendo es neutro ,por lo que no
modificara la neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que solo
tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia , a parecerá una
ligadura rota. que tendera a tomar electrones s de los átomos
próximos ,generando finalmente mas huecos que electrones , por lo
que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios

13. Dopantes :
Tipo P:
Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). En el caso del boro le
falta un electrón y ; por tanto .es donado un hueco de electrón.
Un ejemplo de dopaje de silicio por el boro (P dopaje ). En el caso del boro le
falta un electrón y ; por tanto .es donado un hueco de electrón.