SEMICONDUCTORES

1. SEMICONDUCTORES
OLIVER ANTONIO PALO CHAVEZ

2. • 1. SEMICONDUCTORES Ingresa a los siguientes links,
descarga la información relacionada con los
semiconductores. a) Infórmate 1 b) Infórmate 2
Realiza una presentación en Power Point sobre los
semiconductores intrínsecos y los semiconductores
dopados, como máximo 16 diapositivas. publica tu
presentación en: www.slideshare.net Envía la
dirección de tu publicación a tu profesor. Importante:
En tus presentaciones, haz referencia a la fuente de
información de donde has obtenido las imágenes. Esto
demostrará que has realizado una buena investigación.

3. • •2. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR? Es un elemento
que se comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores , como por Ejem: el
campo eléctrico o magnético , la presión ,la radicación
que le incide ,o la temperatura del ambiente en el que
se encuentre .los elementos químicos semiconductores
de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta. El
elemento mas usado es el silicio ,el segundo el
germanio .posteriormente se ha comenzado a emplear
también el azufre .la características común a todos
ellos es que son tetralentes ,teniendo el silicio una
configuración electrónica s2 p2.

4. • 3. IIIA IVA VA B C N IIB AI Si P Zn Ga Ge As Cd
In Sn Sb Hg Ti Pb Bi Semiconductores de la
tabla periódica química Semiconductores

5. • 4. ¿Qué es un semiconductor intrínseco?
Cuando se encuentra en estado ,puro ósea ,
que no contiene ninguna impureza, ni átomos
de otro tipo dentro de su estructura . En ese
caso , la calidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia al atravesar
la banda prohibida sea igual a la cantidad de
electrones libres que se encuentran presentes
en la banda de conclusión

6. • 5. Semiconductores intrínsecos : Como se puede
observar en la induración , en el caso de los
semiconductores el espacio correspondiente a la
banda prohibida es mucho mas estrecho en
comparación con los materiales aislantes . La
energía de salto de banda (Eg)requerida por los
electrones para saltar de la banda de valencia a la
de conducción es de 1eV aproximadamente .en
los semiconductores de silicio (SI),la energía de
salto de banda requerida por los electrones es de
1,21 eV, mientras que en los de germanio(Ge)es
de 0,785eV.

7. • 6. Semiconductor intrínsecos: Estructura
cristalina de u semiconductor intrínseco
compuesta solamente por átomos de silicio (si)
que forman una celosía ,como se puede observar
en la ilustración ,los átomos de silicio (que solo
poseen cuatro electrones en la ultima orbita o
banda de valencia ), se unen formando enlaces
covalentes para completar 8 electrones y crear
así un cuerpo solido semiconductor .en esos
condiciones el cristal de silicio se comportara
igual que si fuera un cuerpo aislante

8. • 7. Semiconductores dopados: El numero de átomos dopantes
necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequeña cuando se
agregan un pequeño numero de átomos )entonces se dice que el
dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos (en
el orden de 1 cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es
alto o pesado .este dopado pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P + para material de
tipo P. Tipo N: se llama material tipo N que posee átomos de
impureza que permiten la aparición de electrones sin huecos
asociados a los mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes
ya que «donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 ,
como el arsénico y el fosforo de esta forma , no se han
desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido
al semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones
que huecos ,por lo que los primeros serán los portadores
mayoritarias y los últimos los minoritarios . La calidad de portadores
mayoritarios será funciones directa de la calidad de átomos de
impureza introducidos.

9. • 8. Semiconductores dopado: Es un ejemplo de
dopaje de silicio por el fosforo (dopaje N). En
el caso del fosforó ,se dona un electrón

10. • 9. Semiconductores dopados : Tipo P: Se llama así al
material que tiene átomos de impureza que permiten
formación de huecos sin que aparescan electrones
asociados a los mismos , como ocurre al romperse una
ligadura . Los átomos de este tipo se llaman aceptores , ya
que «aceptan «o toman un electrón . Suelen ser de valencia
tres ,como el aluminio ,el indio o el galio .nuevamente .el
átomo introduciendo es neutro ,por lo que no modificara la
neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que solo
tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia , a
parecerá una ligadura rota. que tendera a tomar electrones
s de los átomos próximos ,generando finalmente mas
huecos que electrones , por lo que los primeros serán los
portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios

11. • 10. Dopantes : Tipo P: Un ejemplo de dopaje
de silicio por el boro (P dopaje ). En el caso del
boro le falta un electrón y ; por tanto .es
donado un hueco de electrón.

12. • 11. INFORMACION:
http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf
Htp:// es
wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop
ado .asp. http://es
.wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconducto
res¡ntr.C3.Adnsecos
http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semicond
uctor/ke _semiconducto
http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje
%28semicoductores %29

13. • HASTA LUEGO