1. UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES
FACULTAD DE TECNOLOGIA
DIODOS ESPECIALES
PRE INFORME #3
NOMBRE: CHURA CACHI JOSE MANUEL
DOCENTE: LIC. PORFIRIO SOTO GARCIA
FECHA: 22/SEPTIEMBRE/2021
LA PAZ - BOLIVIA
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I
D
1. MATERIALES Y EQUIPOS
Protoboard y alambres de conexión
Tres pares de chicotillos con pinzas tipo cocodrilo
Un multímetro
Un osciloscopio
Un generador de funciones
Una fuente de voltaje
Un transformador de 220V/12Vrms de 500mA
4 diodos de silicio 1N4007
1 diodo de Germanio
2. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Desarrollo del laboratorio:
a) Verificación del Dispositivo
Usando el óhmetro, compruebe que cada uno de los diodos se encuentra en
buenas condiciones identificando ánodo (A) y cátodo (K); verifique las mediciones
en polarización directa y polarización inversa.
Diodo Zpolarización directa (Ω) Zpolarización inversa (Ω)
Germanio 530 OL
LED 470-1000 OL
Schottky 530 OL
Zener 350 OL
b) Curva Característica
Arme el siguiente circuito para cada uno de los diodos; mida voltaje y corriente en
el diodo (aplique ley de Ohm para determinar la corriente midiendo el voltaje en la
resistencia), llene la tabla para cada caso.
470
Vi V
D
Grafique los datos experimentales colocando en el eje (x) el voltaje y en el eje (y)
la corriente (VD vs ID), de forma que todas las curvas queden en una misma gráfica
(cada curva de diferente color); el gráfico mostrará la curva característica de cada
diodo.
6. Las siguientes tablas corresponden para cada diodo semiconductor.
GERMANIO LED ZENER
V1 Vd (v) Id(mA) V1 Vd (v) Id(mA) V1 Vd (v) Id(mA)
0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0.5 0.5 1 0.5 0.5 1 0.5 0.5
2 0.55 1.45 2 0.55 1.45 2 0.55 1.45
3 0.58 2.42 3 0.58 2.42 3 0.58 2.42
4 0.59 3.4 4 0.59 3.4 4 0.59 3.4
5 0.61 4.39 5 0.61 4.39 5 0.61 4.39
6 0.62 5.38 6 0.62 5.38 6 0.62 5.38
7 0.63 6.37 7 0.63 6.37 7 0.63 6.37
8 0.63 7.39 8 0.63 7.39 8 0.63 7.39
9 0.64 8.35 9 0.64 8.35 9 0.64 8.35
10 0.65 9.35 10 0.65 9.35 10 0.65 9.35
c) Tiempo de Recuperación Inverso
Arme el circuito para cada uno de los diodos (excepto túnel y Zener) y eleve
gradualmente la frecuencia en el generador de funciones hasta observar claramente el
tiempo de transición entre conducción y no conducción, reporte el tiempo de
recuperación inversa en cada caso.
Frecuencia diodo silicio
5 t tau(us) 15
10 t tau(us) 16.5
15 t tau(us) 16.7
20 t tau(us) 16.85