El documento proporciona información sobre los transistores, incluyendo su historia, tipos (BJT, FET), y características. Explica que los transistores son dispositivos semiconductores que amplifican señales y se usan comúnmente en electrónica. Describe los transistores bipolares y de efecto campo, dando ejemplos de marcas y especificaciones técnicas.

1.  Curso: Física Electrónica
 Ciclo: IV- Ingeniería de Sistemas
 Alumno: Lecarnaque Flores Nilson Jampier
 Profesor: Condori Zamora Kelly
2014

2. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para producir una
señal de salida en respuesta a otra señal de
entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El
término «transistor» es la contracción en
inglés de transfer resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, etc.

3. Existen distintos tipos de transistores,
de los cuales la clasificación más
aceptada consiste en dividirlos en
transistores de bipolares o BJT
(Bipolar Junction Transistor) y
transistores de efecto de campo o
FET (Field Effect Transistor).
La familia de los transistores de
efecto de campo es a su vez
bastante amplia, englobando los
JFET, MOSFET, MISFET, etc...

4. Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unión de tres
cristales de semiconductor con dopajes diferentes e
intercambiados. Se puede tener por tanto transistores
PNP o NPN.
Tecnológicamente se desarrollaron antes los transistores
BJT que los FET. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus
siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio,
que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo
tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones
(cargas negativas) y la zona P de aceptadores o
“huecos” (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P
al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al
Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la característica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas (por lo general, el
emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento
semiconductor dependerá de dichas contaminaciones,
de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuántico de la unión.

5. Transistores Bipolares (NPN)
Marca/n
° de ref.
Tipo de
Transistor
Corriente
DC
máxima
del
Colector
Tensión
máxima
Colector -
Emisor
Disipaci
ón de
potenci
a
máxim
a
Gananci
a
Mínima
de
Corrient
e
Magnate
c
2SC1815
NPN 0.15A 50V 0.4W 70V
Panasoni
c
DSC5002
R0L
NPN 500mA 50V 150mW 120V

6. Transistor de contacto puntual
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J.
Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector.
La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se “ve” en el
colector, de ahí el nombre de “transfer
resistor”. Se basa en efectos de superficie,
poco conocidos en su día. Es difícil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió
con el transistor de unión (W. Shockley,
1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha
desaparecido.

7. Transistores Bipolares (NPN)
Marca/n
° de ref.
Tipo de
Transistor
Corriente
DC
máxima
del
Colector
Tensión
máxima
Colector -
Emisor
Configur
ación
Disipaci
ón de
potenci
a
máxima
Fairchild
Semicon
ductor
BC32740
BU
PNP -800mA -50V Único 0.625W
Analog
Devices
SSM2220
PZ
PNP 0.02A 36V Doble -

8. Transistor de Unión Unipolar
También llamado de efecto de campo de
unión (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la práctica. Lo forma una
barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto óhmico, tenemos así
un transistor de efecto de campo tipo N de
la forma más básica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se
conectan externamente entre sí, se
producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando a puerta
al surtidor, estableceremos una corriente, a
la que llamaremos corriente de drenador
con polarización cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensión
de estrangulamiento, cesa la conducción en
el canal.

9. El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una
familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia de potencial.
El transistor de efecto de campo fue patentado
por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil
en 1934, pero los dispositivos semiconductores
fueron desarrollados en la práctica mucho
después, en 1947 en los Laboratorios Bell,
cuando el efecto transistor pudo ser observado y
explicado. El equipo detrás de estos
experimentos fue galardonado con el Premio
Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su
fabricación por Van Nostrand (5 años después
de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible
hasta mediados de los años 80's ..

10. Marca/n° de
ref.
Tipo de
Canal
Corriente
Máxima
Continua de
Drenaje
Tensión Máxima
Drenador -
Fuente
Tensión
Máxima
Puerta -
Fuente
Tensión
Máxima
Puerta -
Drenador
NXP
PMBF439
3,215
N 30mA 40V -40V 40V
NXP
PMBFJ17
6,215
P 35mA 30V 30V <250

11. Description
TRANSISTOR MOSFET
The TPS1110 is a single, low-rDS(on), P-channel enhancement-mode power MOS transistor. The
device features extremely low-rDS(on) values coupled with logic-level gate-drive capability and
very low drain-source leakage current. With a maximum VGS(th) of -0.9 V and an IDSS of only -100
nA, the TPS1110 is the ideal high-side switch for low-voltage, portable battery-management
power-distribution systems where maximizing battery life is an important concern. The thermal
performance of the 8-pin small-outline (D) package has been greatly enhanced over the
standard 8-pin SOIC, further making the TPS1110 ideally suited for many power applications. For
compatibility with existing designs, the TPS1110 has a pinout common with other P-channel
MOSFETs in small-outline integrated circuit (SOIC) packages. The TPS1110 is characterized for an
operating junction temperature range, TJ, from -40°C to 150°C. The D package is available
packaged in standard sleeves or in taped and reeled formats. When ordering the tape-and-reel
format, add an R suffix to the device type number (e.g., TPS1110DR).

12. Marca/n° de
ref.
Tipo de
Canal
Corriente
Máxima
Continua de
Drenaje
Tensión
Máxima
Drenador -
Fuente
Tensión
Máxima
Puerta -
Fuente
Resistencia
Máxima
Drenador -
Fuente
STMicroelec
tronics
STP65NF0
6
N 60A 60V +- 20V Ω14
Internati
onal
Rectifier
IRF7240P
BF
P 10.5 A 40V +- 20V 0.015Ω

13. Marca/n° de
ref.
Corriente
Máxima
Continua de
Drenaje
Tensión
Máxima
Drenador -
Fuente
Tensión
Máxima
Puerta -
Fuente
Tensión
Máxima
Puerta –
Drenador
Tipo de
Encapsulado
Avago
Technol
ogies
ATF –
34143 - G
145mA 5.5V -5V 5V SOT - 343
Avago
Technol
ogies
ATF –
36163 - G
40mA 3V -3V -3.5V SOT - 363

14. Referencias electrónicas
 http://www.microelectronicash.com/
 http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
 http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
 http://burutek.org/es/transistores-funcion-tipos-y-seleccion-para-aplicaciones-
especificas/