Transistores

2. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor electrónico utilizado para
producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. .Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en Ingles de transfer resistor ( resistencia de transferencia»). Actualmente
se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios,
televisores , reproductores de audio y video , relojes de cuarzo, computadoras ,
lámparas fluorescentes , tomógrafos , teléfonos móviles celulares etc,etc

3. El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EE.UU, en
diciembre de 1947 por John Bardeen,Walter Houser Brattain y William
Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de
Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos,
o tríodo.
con los transistores?
Debemos primero definir y conocer la construcción y estructura física de un transistor
para saber bien lo que vamos a medir. Como todos saben o han escuchado o leído,
los transistores “bipolares” se concentran en dos grandes grupos: los N-P-N y los PN-P, siendo su simbología también muy conocida y vista en cada lugar que se hable
de circuitos electrónicos.

4. Tipos de transistores según fabricación
Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de
construcción y uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos
de fabricación son:
•Transistores de punta de contacto : El transistor original fue de esta clase y
consistía en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeño bloque de
germanio llamado base.El material de la base podía ser de tipo N y del tipo P y
L
era un cuadrado de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la
dificultad de controlar las características de este frágil dispositivo, ahora se le
considera obsoleto.

5. Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente
sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arsenio de galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones N-P.La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsenio (As) o Fosforo (P).

6. Transistor de Efecto de Campo
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor
de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más
básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y sera de
material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A
uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que
llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo o , FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
•Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
•Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se
aísla del canal mediante un dieléctrico

7. Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
•Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
•Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

8. El transistor de efecto de campo metal-óxidosemiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxidesemiconductor Field-effect transistor)
Es un transistor utilizado para amplificar
o conmutar señales electrónicas. Es el
transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho
más
popular
en
otro
tiempo.
Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.

9. El transistor de potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es
idéntico al de los transistores normales, teniendo como características
especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar
y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
IGBT.

10. Parámetros
MOS
Bipolar
Impedancia de entrada
Alta (1010 ohmios)
Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10-100)
Resistencia ON
(saturación)
Media / alta
Baja
Resistencia OFF (corte)
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Máxima temperatura de
operación
Alta (200ºC)
Media (150ºC)
Frecuencia de trabajo
Alta (100-500 Khz)
Baja (10-80 Khz)
Coste
Alto
Medio

11. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
El transistor de unión bipolar se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, los cuales tienen
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales
y los aislantes como el diamante.

12. TRANSISTOR DE UNIÓN UNIPOLAR O DE EFECTO
DE CAMPO
El transistor de unión unipolar, o también llamado JFET, fue el primer
transistor de efecto en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P.