tipos de transistores

1. TRANSISTORES

2.  Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en
esta zona, y se comporta como una fuente de corriente
constante controlada por la intensidad de base
(ganancia de corriente).Este parámetro lo suele
proporcionar el fabricante dandonos un máximo y un
mínimo para una corriente de colector dada (Ic);
además de esto, suele presentar una variación acusada
con la temperatura y con la corriente de colector, por lo
que en principio no podemos conocer su valor.
Algunos polímetros son capaces de medir este
parámetro pero esta medida hay que tomarla
solamente como una indicación, ya que el polímetro
mide este parámetro para un valor de corriente de
colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en
el circuito.
 2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es
utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia,
circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como
un cortocircuito entre el colector y el emisor.  El transistor PNP es complemento del NPN de forma
que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los
 3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones del transistor NPN.
de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y
podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
practicamente nulas (y en especial Ic).  Para encontrar el circuito PNP complementario:
 3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar  1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
como carente de interés.
 2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

3.  El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio  Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad
de material semiconductor de tipo n con dos regiones drain o drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a
(islas) de material tipo p situadas a ambos lados. source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source o
fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte,
 Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una
denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de
(gate). un NJFET.
 En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de
canal n, en la 1.10.b el símbolo de este dispositivo y en la
1.10.c el símbolo de un JFET de canal P
 La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén
inversamente polarizadas.
 En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador
debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo
de corriente a través de canal.
 Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que
la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado
inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura
1.11.
 Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy
similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin
embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión
a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.

4.  MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
 Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP.
 El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
 Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o "sílica") es colocada del
lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)
 En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
 En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
 En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin
embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico).
En este caso no existe corriente de entrada.
 Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es
muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.

5.  Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo
de transistor bipolar. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la
radiación es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada
eléctricamente, usualmente la patilla correspondiente a la base no se incluye en el
transistor. El método de construcción es el de difusión. Este consiste en que se utiliza
silicio o germanio, así como gases, impurezas o dopantes. Por medio de la difusión, los
gases dopantes penetran la superficie sólida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual
ya ha ocurrido la difusión, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de
dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor está hecha de un material
llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiación hacia la base del
transistor.
En la figura 10 se puede observar el aspecto físico de un fototransistor.

6.  http://www.webelectronica.com.ar/news10/nota014/o
ptoelectronica2.htm
 http://www.unicrom.com/Tut_Caracteristicas_electric
as_JFET.asp
 http://html.rincondelvago.com/diodos-y-
transistores.html