El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo JFET, MOSFET, BJT, FET y MESFET. Explica sus características principales como el número de terminales, cómo se polarizan y sus usos comunes.

2. Transistor JFET
El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de
efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).
La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.

3. Características
Este tipo de transistor se polariza de
manera diferente al transistor bipolar. La
terminal de drenaje se polariza
positivamente con respecto al terminal de
fuente (Vdd) y la compuerta se polariza
negativamente con respecto a la fuente (-
Vgg).
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las
curvas características del transistor JFET. Las curvas
características típicas para estos transistores se
encuentran en la imagen, nótese que se distinguen tres
zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte y la
zona de saturación.

4. Transistor MOSFET
Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.
Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica
totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en
transistores MOSFET.
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de
material semiconductor dopado en el que, mediante
técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de
tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace
crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de
conductor.
Funcionamiento :

5. Características
Existen dos tipos de transistores MOS:
• MOSFET de canal N o NMOS y
• MOSFET de canal P o PMOS.
A su vez, estos transistores pueden ser de
acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion);
en la actualidad los segundos están prácticamente en
desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de
acumulación también conocidos como de
enriquecimiento.

6. Transistor FET
Tienen también 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmente
dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
Croquis de un FET con canal N

7. Características
Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.
• La Figura muestra un esquema que ayudará a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso
se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.
• La puerta está polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unión P-N entre ellas se
encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
• Si el material de la puerta está más dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estará formada
por el canal.
• Si al tensión de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son
uniformes a todo lo largo de la unión.

8. Transistor Bipolar de Unión (BJT)
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso
de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

9. Características
Los transistores bipolares son los transistores más
conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de
electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la
región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P
en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del
semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B)
o colector (C), según corresponda.
Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN. Donde se
puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la
base-emisor.

10. Transistor MESFET
MESFET significa transistor de efecto de campo de metal semiconductor . Es muy similar a
un JFET en la construcción y terminología. La diferencia es que en lugar de utilizar una unión pn para una
puerta, una Schottky ( de metal - semiconductor ) unión se utiliza. MESFET se construyen normalmente en
las tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivación de alta calidad de la
superficie.

11. Características
Numerosas posibilidades de fabricación MESFET se han
explorado para una amplia variedad de sistemas de
semiconductores. Algunas de las principales áreas de
aplicación son:
 Comunicaciones militares
 Como amplificador de ruido bajo extremo delantero de
los receptores de microondas en los dos militares de
radar y dispositivos de comunicación.
 Comercial optoelectrónica
 comunicaciones por satélite
 Como amplificador de potencia para la etapa de salida
de los enlaces de microondas.
 Como un oscilador de potencia.