tipos de transistores

1. Transistores
Ciclo: IV
Curso: Física Electrónica
Presenta: Utia López Becker

2. Transistores
• El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor
utilizado para entregar una
señal de salida en respuesta a
una señal de entrada.

3. Transistor JFET
• El JFET (transistor de efecto de campo
de juntura o unión) es un dispositivo
electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de
entrada, reacciona dando unos valores
de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo
eléctrico, estos valores de entrada son
las tensiones eléctricas, en concreto la
tensión entre los terminales S (fuente) y
G (puerta), VGS. Según este valor, la
salida del transistor presentará una
curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, óhmica y
saturación.

4. TRANSISTOR MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-
Semiconductor (MOS) son dispositivos de
efecto de campo que utilizan un campo
eléctrico para crear una canal de
conducción.
Son dispositivos más importantes que los
JFET ya que la mayor parte de los
circuitos integrados digitales se
construyen con la tecnología MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS:
MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET
de canal P o PMOS.

5. Transistor IGBT
• es un dispositivo semiconductor que
generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de
potencia. Este dispositivo posee la
características de las señales de puerta de
los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje
de saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitación del IGBT es como el
del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las
del BJT.

6. Transistor FET
Es en realidad una familia de transistores que
se basan en el campo eléctrico para controlar
la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia
de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando
las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la
oblea monocristalina semiconductora como la
región activa o canal.

7. Transistor BJT
• Es un dispositivo electrónico de estado
sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el
paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.