Este documento describe las características de diferentes tipos de módulos de memoria, incluyendo DIMM, RIMM, DDR1, DDR2, DDR3 y DDR4. Explica que cada tipo tiene un número específico de pines y una velocidad de transmisión de datos, y que los avances en las generaciones han llevado a mayores anchos de banda y menores consumos de energía.

1. Colegio de Educación Profesional Técnica
del Estado de México.
Plantel Tlalnepantla 1.
“Caracteristicas e imágenes de montaje”
Elaboró: Evelyn Antonio Velasco.
Grupo: 203
Asignatura: Mantenimento de computo basico.
Carrera: P.T. Bachiller en informática.

2. Características e imágenes de montaje.
DIMM: Proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que
traducido significa módulo de memoria de línea dual (este
nombre es debido a que sus contactos de cada lado son
independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta
de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuáles pueden tener
chips de memoria en ambos lados de la tarjeta o solo de un
lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales
para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cabe
destacar que la característica de las memorias de línea dual,
es precursora de los estándares modernos RIMM y DDR-X),
por ello no es de extrañarse que también se les denomine
DIMM - SDRAM tipo RIMM ó DIMM - SDRAM DDR-X.
RIMM: RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"),
lo que traducido significa módulo de memoria de línea con
bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su
propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad
en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias
RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access
Memory"): es decir, también están basadas en
almacenamiento por medio de capacitores), que integran
circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las
terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las
ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal
(Motherboard).

3. DDR 1: También llamada memoria DDR1, las siglas DDR
provienen de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa
transmisión doble de datos (este nombre es debido a que
incorpora dos canales para enviar los datos de manera
simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips
de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un
conector especial de 184 terminales para ranuras de la
tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina
DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores
físicamente independientes por ambas caras como el primer
estándar DIMM.

4. DDR 2: DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que
traducido significa transmisión doble de datos segunda
generación (este nombre es debido a que incorpora dos
canales para enviar y además recibir los datos de manera
simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips
de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un
conector especial de 240 terminales para ranuras de la
tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina
DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores
físicamente independientes por ambas caras como el primer
estándar DIMM.
DDR 3: DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que
traducido significa transmisión doble de datos tercer
generación: son el más moderno estándar, un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de
capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en
ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3,
debido a que cuentan con conectores físicamente
independientes por ambas caras como el primer estándar
DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayoría de
modelos con disipadores de calor, debido a que se
sobrecalientan.

5. DDR4: Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un
total de 288 pines DIMM. La velocidad de datos por pin, va de
un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de
3,2 GT/s. Las memorias DDR4 SDRAM tendrán un mayor
rendimiento y menor consumo que las memorias DDR
predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en
comparación con sus versiones anteriores.