gfd

1. Colegio de educación profesional técnica del estado de México
Plantel Tlalnepantla 1
Componentes
Elaboro: Michael Rodrigo Zamora Rosado
Grupo:203
Turno: Matutino

2. Memoria Dimm
Los módulos DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMM como el tipo predominante de memoria cuando
los micro procesadores Intel Pentium tomaron dominio del mercado.
Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de los 32 bits de
los SIMM.
El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica por qué no necesitan
emparejamiento. Los módulos DIMM poseen circuitos de memoria en ambos lados de la placa de circuito
impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Además
de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25 mm), estos módulos poseen una
segunda muesca que evita confusiones.
Memoria Rimm Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a
sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que
recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades
de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus
de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento
similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.
Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados enIntel Pentium 4.
Rambus no manufactura módulos RIMM sino que tiene un sistema de licencias para que éstos sean
manufacturados por terceros, siendo Samsung el principal fabricante de éstos.

3. Memoria DDR
También llamada memoria DDR1, las siglas DDR provienen de ("Dual Data
Rate"), lo que traducido significa transmisión doble de datos (este nombre es
debido a que incorpora dos cana espera enviar los datos de manera
simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados
de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras
de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR,
debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por
ambas caras como el primer estándar DIMM.
DDR2 Los módulos DDR2 funcionan con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta
en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma
frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400
MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales).
Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es
el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria. En el
caso de la DDR convencional este buffer tomaba los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo
ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego
enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar

4. DDR3 Los DDR3 tienen 240 contactos, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una
ubicación diferente de la muesca
.
 El principal beneficio de instalar DDR3 es la posibilidad de hacer transferencias de datos más
rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas que las
versiones DDR2.
 Proporciona significativas mejoras de rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que conlleva una
disminución global del consumo eléctrico.
DDR4 Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM
La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo
inicial de 3,2 GT/s.4
Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las
memorias DDR predecesoras.
Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus
versiones anteriores]
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de
frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparación con
DDR3 de 1600Mhz a 2.133MT/s) la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a
1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología
descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está
conectado a un módulo único.
No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y
otros factores. Tiene una mayor latencia lo que reduce su rendimiento
La JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), empezó a trabajar en el desarrollo
de DDR4 en el año 2005,9
2 años antes del lanzamiento de DDR3 (2007)