El documento describe los diferentes tipos de memorias utilizadas en computadoras, incluyendo DIMM, RIMM, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4. Cada tipo de memoria tiene características como velocidad, voltaje, capacidad y organización lógica que la hacen más rápida y eficiente que la anterior. El documento explica las mejoras tecnológicas que cada generación de memoria introdujo para aumentar el rendimiento de los sistemas de computo.

1. Colegio De Educación Profesional Técnica
Del Estado De México
TLALNEPANTLA 1
“TIPOS DE MEMORIAS”
Elaboro: SánchezPérez Gabriela
Grupo: 203
Carrera: P.T.B. Informática
Turno: Matutino
Modulo: Mantenimiento De Cómputo Básico.

2. DIMM
Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line memory module,
traducible como «módulo de memoria con contactos duales») son,
al igual que sus precedentes.Los módulos DIMM son reconocibles
externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras
separado del opuesto de la otra, a diferenciade los SIMM en que
cada contacto está unido a su opuesto.La disposiciónfísicade los
DIMM duplica el número de contactos diferenciados con el bus.
Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 (y algunos a 72
bits), a diferenciade los 32 bits de los SIMM.
El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de
64 bits, explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos
DIMM poseencircuitos de memoria en ambos lados de la placa de
circuito impresa, y poseena la vez, 84 contactos de cada lado, lo
cual suma un total de 168 contactos.Además de ser de mayores
dimensiones que los módulos SIMM (130x25
estos módulos poseenuna segunda muesca que evita confusiones.
Las DIMM frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o
de "doble lado", refiriéndose ala ubicación de los chips de memoria
que están en uno o en ambos lados del chip DIMM. Estos términos
pueden causar confusiónya que no se refieren necesariamente a
cómo están organizados lógicamente los chips DIMM o a qué
formas hay de accedera ellos.
Son filas son accedidas mediante señales «chip select» (CS). Por lo
tanto para un módulo de dos filas, las dos DRAM con los bits de
datos entrelazados pueden ser accedidas mediante una señal CS
por DRAM.

3. RIMM
RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que
traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado
(este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos,
direcciones ycontrol de gran velocidad en la propia tarjeta de
memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus
Dynamic Random Access Memory"):es decir,también están
basadas en almacenamiento por medio de y en uno de sus lados
tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de
las ranuras especiales para memoriade la tarjeta principal.
Este tipo de memorias siempre debenir por pares, no funcionan si
se colocasolamente un módulo de memoria.
Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.
Cuentan con 2 muescas centrales en el conector,para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.
Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que
estos tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador
de calor.
Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras
asignadas para ellas estén ocupadas.
A pesar de tener la tecnologíaRDRAMniveles de rendimiento muy
superiores a la tecnologíaSDRAM y las primeras generaciones de
RAM, debido al alto costo de esta tecnologíano tuvo gran
aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar
durante el periodo de introducción del para el cual se diseñaron las
primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar
equipos más económicos decidiólanzar placas base con soporte
para SDRAMy más adelante para DDR RAM desplazando esta
última tecnologíaa los módulos RIMM del mercado que ya no
ofrecíanninguna ventaja.

4. DDR
La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory,RAM)
se utiliza como memoria de trabajo d y otras unidades del
computador.
Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o
escribiren una posiciónde memoria con un tiempo de esperaigual
para cualquier posición,no siendo necesario seguir un orden para
acceder(acceso secuencial)a la información de la manera más
rápida posible.
Durante el encendido de la computadora, la rutina verifica que los
módulos de RAM estén conectados de manera correcta. En el caso
que no existan o no se detectenlos módulos,la mayoría de tarjetas
madres emiten una serie de sonidos que indican la ausencia de
memoria principal. Terminado ese proceso,la memoria puede
realizar un test básico sobre la memoria RAM indicando fallos
mayores en la misma.
Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en de
material ferromagnéticode algunos milímetros de diámetro, lo que
resultaba en dispositivos conuna capacidad de memoriamuy
pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban de varios tipos
construidas para implementar las funciones de memoria principal
con o sin acceso aleatorio.

5. DDR 2
Los módulos DDR2 funcionan con 4 por ciclo, es decir 2 de
ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando
sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma
frecuencia de tradicional (si una DDR a 200 MHz reales
entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos
200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema
funciona debido a que dentro de las memorias hay un
pequeño que es el que guarda la información para luego
transmitirla fuera del módulo de memoria. En el caso de la
DDR convencional este buffer tomaba los 2 bits para
transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia
final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego
enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin
necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos
de memoria.
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR
(Double Data Rate), que permitenque los búferes de
entrada/salida funcionen al doble de la frecuenciadel núcleo,
permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro
transferencias.
Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los
puntos de 0 y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía
en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR,
que funcionaban a 0 y 2,5 voltios.
Terminación de señal de memoria dentro del de la memoria
("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de
transmisión de señal reflejada.

6. DDR 3
Se preveía, que la tecnologíaDDR3 pudiera ser dos veces más
rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometíaofrecer
DDR3 era la mejor opciónpara la combinaciónde un sistema con
procesadoresDUAL CORE y ,quead y hexa-core (2, 4 y 6 núcleos
por microprocesador).Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V
frente 1,8 V de DDR2)ofrecenuna solucióntérmica y energética
más eficientes.
Teóricamente,estos módulos podíantransferir datos a una tasa de
reloj efectiva de 800-2600MHz, comparado con el rango del DDR2
de 400-1200MHZ O 200-5033 MHz del DDR. Existen módulos de
memoria DDR y DDR2 de mayor frecuenciapero no estandarizados
por JEDEC.
Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-5-15 para el
estandar JEDEC para dispositivos DDR3 son7-7-7-20 para DDR3-
1066 Y 9-9-9-24 y para DDR3-1333.

7. DDR4
Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288
pines. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s
hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.
Las memorias DDR4 SDRAMtienen un mayor rendimiento y menor
consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran
ancho de banda en comparacióncon sus versiones anteriores.
Sus principales ventajas en comparacióncon y son una tasa más
alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a
4266 MT/s en comparacióncon DDR3 de 1600Mhz a 2.133MT/s),la
tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4
y 1,5 a 1,2 para DDR3)DDR4 también apunta un cambio en la
topologíadescartando los enfoques de doble y triple canal, cada
controlador de memoriaestá conectado a un módulo único.
En principio cabe pensar en la idea de que toda la memoriade
trabajo DRAM deba ser sustituida completamente porla memoria
SRAM, para así permitir intervalos de acceso más breves.
Desgraciadamente la fabricaciónde este tIpo de chips resulta
mucho más cara que en el caso de la DRAM. Por esta razón es por
lo que se utiliza memoria caché en cantidades limitadas: 128, 256,
512 o 1024 Kbytes.
La celda de memoria se carga de una corriente eléctricaalta
cuándo indica el valor 1.
La celda de memoria se carga de una corriente eléctricabaja
cuándo indica el valor 0.
Al apagar la computadora,las cargas desapareceny por ello toda
la informaciónse pierde.