El documento presenta un cuadro comparativo de diferentes tipos de redes basadas en su área de cobertura, incluyendo PAN, LAN, de campus, MAN y WAN. Describe las velocidades, distancias, medios, costos típicos y dificultad de instalación de cada red. Concluye que estas redes son muy útiles porque brindan servicio a quienes lo necesitan con amplia cobertura y a precios asequibles para empresas u organizaciones.
1. ACTIVIDAD: DIODOS FICHAS TÉCNICAS CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA ALUMNO: CRISTHIAN SANCHEZ LEYVA TUTOR: KELLY CONDORI ZAMORA 2014
2. DIODO DE RECTIFICADOR MOD: 1N5402D VOLTAJE REVERSO MÁXIMO RECURRENTE MÁXIMO (VRRM): 200V VOLTAJE MÁXIMO DEL RMS (VRMS): 140V VOLTAJE DE BLOQUEO DE LA C.C. DEL MÁXIMO (VDC): 200V CORRIENTE ADELANTE RECTIFICADA MEDIA MÁXIMA (IO): 3A SOBRETENSIÓN DELANTERA MÁXIMA (IFSM): 200A CORRIENTE REVERSA DE LA C.C. DEL MÁXIMO (IR): 5μA GAMA DE TEMPERATURAS DE FUNCIONAMIENTO: -65°C A +175°C TIPO SIN PLOMO ROHS OBEDIENTE PROPÓSITO-TIPO GENERAL
3. DIODO LÁSER INFRARROJO 980NM 300MW CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 400MA LONGITUD DE ONDA: 808NM, 980NM, 405NM, 445NM, 635NM, 650NM VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 2.4V ENERGÍA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW, 5000MW POTENCIA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW
4. 50W DE ALTA POTENCIA LED / DIODO DE ENERGÍA: 50 VATIOS EL MODELO NO.:LSP-520CWSA-G45- AC5B-BHT-55 VOLTAJE DE FUNCIONAMIENTO: 31~35 V CORRIENTE DE TRABAJO: 1500 MA TEMPERATURA DE COLOR: 5500~6500 K LÚMENES: 4000~4500 LM EL ÁNGULO DE VISIÓN: 100~120 DEG MEDIO AMBIENTE DE TRABAJO:- 20& DEG; C~+80& DEG; C DURACIÓN DE LA VIDA: @& @50, HRS 000
5. DIODO 3V CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 350MA TEMPERATURA DE COLOR: 2700-3200K VOLTAJE HACIA EL ÁNGULO DE VISIÓN: 120 GRADO ADELANTE: 3.0-3.6V VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 3.6V LUMIOUS FLUJO: 110-120ML EL CONSUMO DE ENERGÍA: 1W
6. DIODO ZENER HOJA DE DATOS MÁXIMO TÍPICO DE COEFICIENTE DE TEMPERATURA& DELTA; VBR = 0.1% X VBR@25& DEG; C X& DELTA; TÇ PASIVADO CHIP UNIÓN P600 EN EL PAQUETE 5000W PICO DEL PULSO EN CAPADILITY 10& VECES; 1000& MU; S DE FORMA DE ONDA, LA REPETICIÓN TASA DE( CICLOS DE TRABAJO): 0.01% RÁPIDO TIEMPO DE RESPUESTA: POR LO GENERAL MENOS DE 1.0PS DE 0 VOLTIOS A BV MIN IR MENOS DE 5& MU; POR ENCIMA DE UN 12V DE ALTA TEMPERATURA DE SOLDADURA GARANTIZA: 260& DEG; C/40 SEGUNDOS/ 0.375& Y RDQUO;,( 9.5MM) PLOMO LONGITUD, 5 LIBRAS.,( 2.3KG) LA TENSIÓN DE INFLAMABILIDAD
1. ACTIVIDAD: DIODOS FICHAS TÉCNICAS CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA ALUMNO: CRISTHIAN SANCHEZ LEYVA TUTOR: KELLY CONDORI ZAMORA 2014
2. DIODO DE RECTIFICADOR MOD: 1N5402D VOLTAJE REVERSO MÁXIMO RECURRENTE MÁXIMO (VRRM): 200V VOLTAJE MÁXIMO DEL RMS (VRMS): 140V VOLTAJE DE BLOQUEO DE LA C.C. DEL MÁXIMO (VDC): 200V CORRIENTE ADELANTE RECTIFICADA MEDIA MÁXIMA (IO): 3A SOBRETENSIÓN DELANTERA MÁXIMA (IFSM): 200A CORRIENTE REVERSA DE LA C.C. DEL MÁXIMO (IR): 5μA GAMA DE TEMPERATURAS DE FUNCIONAMIENTO: -65°C A +175°C TIPO SIN PLOMO ROHS OBEDIENTE PROPÓSITO-TIPO GENERAL
3. DIODO LÁSER INFRARROJO 980NM 300MW CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 400MA LONGITUD DE ONDA: 808NM, 980NM, 405NM, 445NM, 635NM, 650NM VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 2.4V ENERGÍA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW, 5000MW POTENCIA: 50MW, 100MW, 250MW, 300MW, 3000MW
4. 50W DE ALTA POTENCIA LED / DIODO DE ENERGÍA: 50 VATIOS EL MODELO NO.:LSP-520CWSA-G45- AC5B-BHT-55 VOLTAJE DE FUNCIONAMIENTO: 31~35 V CORRIENTE DE TRABAJO: 1500 MA TEMPERATURA DE COLOR: 5500~6500 K LÚMENES: 4000~4500 LM EL ÁNGULO DE VISIÓN: 100~120 DEG MEDIO AMBIENTE DE TRABAJO:- 20& DEG; C~+80& DEG; C DURACIÓN DE LA VIDA: @& @50, HRS 000
5. DIODO 3V CORRIENTE DELANTERA MÁXIMA: 350MA TEMPERATURA DE COLOR: 2700-3200K VOLTAJE HACIA EL ÁNGULO DE VISIÓN: 120 GRADO ADELANTE: 3.0-3.6V VOLTAJE DELANTERO MÁXIMO: 3.6V LUMIOUS FLUJO: 110-120ML EL CONSUMO DE ENERGÍA: 1W
6. DIODO ZENER HOJA DE DATOS MÁXIMO TÍPICO DE COEFICIENTE DE TEMPERATURA& DELTA; VBR = 0.1% X VBR@25& DEG; C X& DELTA; TÇ PASIVADO CHIP UNIÓN P600 EN EL PAQUETE 5000W PICO DEL PULSO EN CAPADILITY 10& VECES; 1000& MU; S DE FORMA DE ONDA, LA REPETICIÓN TASA DE( CICLOS DE TRABAJO): 0.01% RÁPIDO TIEMPO DE RESPUESTA: POR LO GENERAL MENOS DE 1.0PS DE 0 VOLTIOS A BV MIN IR MENOS DE 5& MU; POR ENCIMA DE UN 12V DE ALTA TEMPERATURA DE SOLDADURA GARANTIZA: 260& DEG; C/40 SEGUNDOS/ 0.375& Y RDQUO;,( 9.5MM) PLOMO LONGITUD, 5 LIBRAS.,( 2.3KG) LA TENSIÓN DE INFLAMABILIDAD
ACTIVIDAD: SEMICONDUCTORES
CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA
ALUMNO: CRISTHIAN SANCHEZ LEYVA
TUTOR: KELLY CONDORI ZAMORA
2014
SEMICONDUCTORES
El Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GasAs, Pln, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a empezar también el azufre. La características común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica.
Semiconductores Intrínsecos
En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Semiconductores Intrínsecos
Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones caer, desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno se le denomina recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante. Siendo “n” la concentración de electrones (carga negativas) y “p” la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
Siendo 𝒏_¡ la Concentración Intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de 𝒏_¡ a temperatura ambiente (27°c):
𝒏_¡(Si)=1.5 〖𝟏𝟎〗^𝟏𝟎 〖𝒄𝒎〗^(−𝟑) 𝒏_¡ (𝑮𝒆)=𝟏.𝟕𝟑〖 𝟏𝟎〗^𝟏𝟑 〖𝒄𝒎〗^(−𝟑) los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas.
Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la dirección contraria al campo electrónico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la ba
1. INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR
“SAN GABRIEL”
TEMA:
Cuadro Comparativo De Redes Basados En El Área De Cobertura
AUTOR:
MaríaBelén Bucay Parreño
AÑO:
2012
CIUDAD:
RIOBAMBA
2. CUADRO COMPARATIVO DE REDES
RED PAN (RED DE AREA PERONAL)
Tipo De Red Velocidad Distancia Medios Costo Dificultad
PAN 10 metros pero Funciona a los Alámbricos e a bajo costo y Si es fácil
esta velocidad 10 mts minino inalámbricos globalmente su
puede ser (Cables USB, disponible instalación
ampliada por el bluetooth, mediante una
usuario infrarrojos, frecuencia de
UTP.) radio de corto
alcance
RED LAN (RED DE AREA LOCAL)
Tipo De Red Velocidad Distancia Medios Costo Dificultad
LAN Su velocidad Su distancia CABLEADO Varía desde Si es fácil su
no puede está limitada Cable: 500 usd hasta
superar los 3 físicamente a elemento de 50,000 usd o instalación
Km. un edificio o a transmisión, más.
un entorno de soporte físico
200 metros, por el que
con discurre la
repetidores información.
podría llegar a
la distancia de
un campo de 1
kilómetro.
3. RED DE CAMPUS
Tipo De Red Velocidad Distancia Medios Costo Dificultad
CAMPUS es una red de Hasta 40 mts No es fácil
alta velocidad para luego
(banda ancha) descender su
que da linealmente
instalación
cobertura en hasta 125 kbits
un área
Va desde los 5
geográfica Medios tales
dólares por
extensa, como fibra
hora de
proporciona óptica y
trabajo
capacidad de espectro
integración de disperso.
múltiples
servicios
mediante la
transmisión de
datos, voz y
vídeo
RED MAN (RED DE AREA METROPOLITANA)
Tipo De Red Velocidad Distancia Medios Costo Dificultad
MAN alcanza un Velocidades fibra óptica y Costos, No es fácil
diámetro que van desde par trenzado depende de la
entorno a los os 2Mbits/s de cobre tecnología, hay su
50 kms, hasta 155 enlaces
instalación
dependiendo Mbits/seg. LantoLan,
el alcance frameRelay,
entre nodos de MPLS, marca
red del tipo de de los
cable utilizado switches,
marca de los
routers. etc.
4. RED WAN
Tipo De Red Velocidad Distancia Medios Costo Dificultad
WAN Su velocidad 100 hasta Microondas Precio No es fácil
es tan extensa 1000 km,
que son proveyendo de Comunicación considerable), su
capaces de servicio a un por satélite las empresas y
instalación
conectar país o organizaciones
servidores a continente Fibra óptica que los utilizan
nivel mundial.
Conclusión:
Yo concluyo estas redes son muy buenas ya que prestan servicio para todos
los que necesitan dando su total cobertura y a precios que se pueda adquirir
para una empresa o lugar que lo necesite.