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Subido porEdgar Martinez
Dispositivos De Potencia 20042
Este documento describe las características de conmutación de diversos dispositivos de potencia como diodos semiconductores, transistores bipolares, MOSFET y IGBT. Explica la distribución de portadores en las junturas PN y los diferentes tiempos involucrados en las conmutaciones de estos dispositivos, como los tiempos de recuperación, crecimiento y caída. También evalúa cómo estos tiempos dependen de los parámetros físicos de cada dispositivo y los métodos para corregirlos.
![Contamina[1]..](https://cdn.slidesharecdn.com/ss_thumbnails/contamina1-090518181803-phpapp02-thumbnail.jpg?width=640&height=640&fit=bounds)
