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– Introducción
– Semiconductores extrínsecos: tipo
                         p y tipo n.
     -Semiconductores Intrínsecos.
 Objetivo
Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco
  dopados
 Motivo
Poder determinaran los comportamientos característicos
  tensión/corriente de los dispositivos.
 Esquema



              Densidad de Estados          Densidad de
                          x                 de
              portadores
              Probabilidad de ocupación
 Concepto: Equilibrio térmico
Es el estado en que un proceso es acompañado por otro, igual y
  opuesto (estado dinámico), mientras que el sistema se mantiene a la
  misma temperatura, sin intercambios de energía con el exterior.
   Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo
    pequeñas cantidades de impurezas
   a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su
    comportamiento eléctrico al alterar la
   densidad de portadores de carga libres.
   Estas impurezas se llaman dopantes. Así, podemos
    hablar de semiconductores dopados.
   En función del tipo de dopante, obtendremos
    semiconductores dopados tipo p o tipo n.
   Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de
    la columna V, y tipo p los de la III.
 Tipo n:
En general, los elementos de la columna V convierten al Si en
  tipo n. Estos elementos tienen cinco electrones de valencia en
  su última capa y se les llama impurezas dadoras.
 Tipo p:
En general, los elementos de la columna III convierten al Si en
  tipo p. Estos elementos tienen tres electrones de valencia en
  su última capa y se les llama impurezas aceptoras.
   Concepto: un semiconductor intrínseco es un semiconductor
    puro, cuando se le aplica una tensión externa los electrones libres
    fluyen hacia el terminal positivo de la batería y los huecos hacia el
    terminal negativo de la batería.
    semiconductor extrínseco: es aquel que se puede dopar parta tener
    un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. aquí
    encontraremos dos tipos de unión en el que es la unión tipo p y la
    unión tipo n.
    sucede que los semiconductores intrínsecos actúan como un
    aislante en el caso del silicio cuando es un cristal puro, ahora
    cuando lo dopamos con impurezas se llega al material extrínseco y
    en ese caso tendremos un material semiconductor por ejemplo un
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Semiconductores intrínsecos y extrínsecos

  • 1. – Introducción – Semiconductores extrínsecos: tipo p y tipo n. -Semiconductores Intrínsecos.
  • 2.  Objetivo Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados  Motivo Poder determinaran los comportamientos característicos tensión/corriente de los dispositivos.  Esquema Densidad de Estados Densidad de x de portadores Probabilidad de ocupación  Concepto: Equilibrio térmico Es el estado en que un proceso es acompañado por otro, igual y opuesto (estado dinámico), mientras que el sistema se mantiene a la misma temperatura, sin intercambios de energía con el exterior.
  • 3. Los semiconductores extrínsecos se forman añadiendo pequeñas cantidades de impurezas  a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento eléctrico al alterar la  densidad de portadores de carga libres.  Estas impurezas se llaman dopantes. Así, podemos hablar de semiconductores dopados.  En función del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n.  Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III.
  • 4.  Tipo n: En general, los elementos de la columna V convierten al Si en tipo n. Estos elementos tienen cinco electrones de valencia en su última capa y se les llama impurezas dadoras.  Tipo p: En general, los elementos de la columna III convierten al Si en tipo p. Estos elementos tienen tres electrones de valencia en su última capa y se les llama impurezas aceptoras.
  • 5. Concepto: un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, cuando se le aplica una tensión externa los electrones libres fluyen hacia el terminal positivo de la batería y los huecos hacia el terminal negativo de la batería. semiconductor extrínseco: es aquel que se puede dopar parta tener un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. aquí encontraremos dos tipos de unión en el que es la unión tipo p y la unión tipo n. sucede que los semiconductores intrínsecos actúan como un aislante en el caso del silicio cuando es un cristal puro, ahora cuando lo dopamos con impurezas se llega al material extrínseco y en ese caso tendremos un material semiconductor por ejemplo un diodo.