El documento habla sobre el transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Explica que es un dispositivo de estructura metal-óxido-semiconductor controlado por voltaje en la puerta que se usa para amplificar o conmutar señales. Describe el MOSFET de empobrecimiento y sus características de transferencia de corriente y polarización, incluyendo ejemplos de cómo determinar voltajes en diferentes circuitos de MOSFET.

1. Integrantes:
Gallo Vinicio
Lema Edwin
EL TRANSISTOR MOSFET

2. MOSFET
Un transistor MOSFET, es un dispositivo de estructura metal
oxido semiconductor. Es un transistor que se controla con
voltaje en la compuerta usado para amplificar o conmutar
señales. Actualmente, la versión de los transistores, el mas
utilizado ya que es la base para la mayoría de los circuitos
integrados

3. MOSFET de empobrecimiento
(D-MOSFET)

4. Característica de transferencia de
un D-MOSFET

5. Polarización de un D-
MOSFET
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉
𝐼 𝐷 = 𝐼 𝐷𝑆𝑆
𝑉𝐷𝑆 = −𝐼 𝐷 𝑅 𝑆 + 𝑉𝐷𝐷
𝐼 𝐷 = 𝐼 𝐷𝑆𝑆 1 +
IDRS
𝑉𝑃
2

6. Determine el voltaje de drenaje a fuente en el circuito, donde MOSFET da
𝑉𝐺𝑆(apagado) = −8𝑉 e 𝐼 𝐷𝑆𝑆 = 12𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 10.6𝑉

7. CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
DE MOSFET TIPO EMPOBRECIMINETO
𝑉𝐺𝑆 𝑄
= +𝑉𝐺𝐺
𝑉𝐷𝑆 = −𝐼 𝐷 𝑅 𝑆 + 𝑉𝐷𝐷

9. Determinar 𝐼 𝐷 𝑄
, 𝑉𝐺𝑆 𝑄
𝑦 𝑉𝐷 en el siguiente circuito

11. POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE DEL
MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO (Y MESFET)
𝑉𝐺 =
𝑅2 𝑉𝐷𝐷
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝑆 𝑅 𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼 𝐷(𝑅 𝐷 + 𝑅 𝑆)