1) El documento describe los diferentes tipos de módulos y memorias presentes en un equipo, incluyendo la memoria RAM, ROM, caché y de almacenamiento secundario. 2) Explica que los módulos de memoria se conectan a las ranuras de la placa base y pueden clasificarse por el número de pines, como SIMM, DIMM y otros. 3) Detalla las características y usos de diferentes tecnologías de memoria a través de los años, como EDO, SDRAM, DDR, DDR2 y D

1. MEMORIAS

2. Los módulos de memoria presentes en un equipo están distribuidos en función de la tarea que desarrollan: MEMORIA VIRTUAL : Es la memoria que necesita alimentación eléctrica para mantenerse activa, como; la RAM, la MEMORIA CACHÉ y los REGISTROS, que son utilizados por el sistema operativo para guardar y almacenar datos temporalmente.

3. MEMORIA DE ALMACENAMIENTO SECUNDARIO: aquellas que mantienen la información de un modo permanente, aunque la computadora no esté encendida. Ej: LA ROM

4. Los chip de memoria no se instalan de uno en uno sino en módulos. Los módulos de memoria tienen el aspecto de pequeñas cajas negras, que suelen ir soldadas en grupos en una placa con pines o contactos. Una forma de clasificar estos módulos es precisamente por el número de pines: 30 y 72 pins que se denominan SIMM (Single In-line Memory Module) Y 168 pins, conocido como DIMM (Dual In-line Memory Module)

5. Los módulos se introducen en las ranuras o slots que hay reservadas para ellos en la placa base. En los equipos portátiles se utiliza otro módulo de memoria, la Small Outline DIMM o DIMM de perfil pequeño, con 72 pines.

7. Almacena las instrucciones que debe ejecutar el micro en cada momento. La Ram es como un pizarrón donde se copian datos.

8. En la Ram se copian programas que coordinan el funcionamiento de la PC. La primera parte de la Ram esta reservada para guardar las instrucciones de los dispositivos electrónicos. En este lugar no se puede guardar nada ya que lo utiliza el sistema para saber como manejar los dispositivos.

10. Llamada también de almacenamiento masivo, secundaria o externa. Este tipo es, al igual que la memoria ROM, no volátil (no se pierde la información al quitarle la energía), y permite guardar información en grandes cantidades. Entre las alternativas de este tipo de almacenamiento están: los disquetes, la cinta magnética, los discos duros, los CD-ROM.

11. Se trata de una memoria volátil complementaria de otros módulos de memoria, tenemos caché en la CPU, en los discos y en el mother y nos guarda direcciones de memoria.

12. Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la memoria caché nos guarda la ubicación (dirección) en el disco, cuando lo ejecuté, y lo que hicimos con el programa. Es mucho más rápida cuando ya usamos un programa. Para que este sistema sea eficiente, la caché debe ser más rápida que el propio dispositivo, aunque con una capacidad menor de almacenamiento.

14. Cache L1 Esta dividido en dos bloques uno contiene las instrucciones y otro los datos y una capacidad de almacenamiento de 2x16 Kb . El cache L1 se encuentra dentro del interior del procesador y funciona a la misma velocidad que el micro con capacidades que van desde 2x8 hasta 2x64K.

15. Cache L2 interno y externo La primeras memoria caché estaban ubicadas en el mother luego se construyeron en el procesador, pero no dentro del dado del procesador por lo que es mas lento que el caché L1, mientras que el externo lo encontramos en la mother. La computadoras que tienen las tres tecnologías de caché van a ser mas rápidas. Cache L3 Algunos micro soportan un nivel de caché más , el L3 , que esta localizado en la mother ,EL AMD 6k-3 soporta este caché.

16. Es una memoria solamente de lectura, allí reside la información primaria que permite iniciar la PC. Se trata de una memoria estática, ya que su contenido no se modifica a lo largo de la vida del ordenador, y de pequeña capacidad ya que sólo contiene un pequeño conjunto de instrucciones de inicialización .

17. Esta memoria es el centro de intercambio entre la CPU y el resto de dispositivos, donde cada módulo deja la información para que otro dispositivo lo recoja. Por ello es muy importante que sea una memoria rápida y de una moderna capacidad.

18. El estándar para una computadora actual se sitúa entre los 256 MB para una gama media y a partir de 512MB para una gama alta .

19. Cuando ocurre el proceso de acceso a la RAM, cada "flasheo o strobing" toma una cantidad de tiempo preestablecida de la siguiente manera: LATENCIA EN UNA MEMORIA tCL: (t = time, CL = CAS Latency, CAS = Column Address Strobe) Latencia del flasheo a la dirección de la columna. Esto quiere decir, el número de ciclos de reloj que se requieren para tener acceso a una columna específica de datos en la RAM.

20. tRCD: (t = time, RCD = RAS to CAS Delay, RAS = Row Address Strobe) Demora que toma el flasheo, de la dirección de la fila a la dirección de la columna. Esto quiere decir, el número de ciclos de reloj que se requieren para tener acceso entre una dirección de fila datos y una dirección de columna de datos en la RAM.

21. tRP (t = time, RP = RAS precharge, RAS = Row Address Strobe) Tiempo de precarga de la dirección de la fila. Esto quiere decir, el número de ciclos de reloj que se necesitan para cerrar una fila de datos en la memoria y abrir una nueva fila de datos en la RAM.

22. tRAS (t= time, RAS = Row Address Strobe) Tiempo de acceso a la dirección de la fila. Esto quiere decir el número de ciclos de reloj que se necesitan para tener acceso a una fila específica de datos dentro de la RAM.

23. Los términos que describimos anteriormente nos demuestran la forma en que se miden los tiempos de acceso a la memoria, esto quiere decir, que con los términos anteriores ya podemos descifrar cuánto tiempo toma cada uno de los procesos necesarios para tener acceso, por medio de flasheos, a direcciones específicas de datos que se encuentran adentro de la RAM.

24. Ahora que ya conocemos los cuatro términos que nos describen las latencias o ciclos de reloj en la nomenclatura específica de las memorias, vamos a tomar un ejemplo para describir cada uno de ellos. Memoria DDR2 800 PC6400 5-5-5-15 En la nomenclatura anterior podemos definir lo siguiente: Es una memoria SDRAM tipo DDR2, con una velocidad de reloj efectiva a 800MHZ y con un ancho de banda de 6.4GBps (6,400MBps). Así mismo, los números "5-5-5-15", en su respectivo orden significan: tCL de 5, tRCD de 5, tRP de 5 y tRAS de 15.

25. Async SRAM Es asíncrona, esto es, independiente de la frecuencia de reloj y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos. Podemos encontrar este tipo de memoria en la caché de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium.

26. Sync SRAM Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo de subida/bajada del reloj. La dirección, dato almacenado y otras señales de control se asocian a las señales del reloj. Es la siguiente generación, capaz de sincronizarse con el procesador y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5 nanosegundos. Muy utilizada en sistemas con bus a 66 MHz

27. Estas memorias comenzaron a usarse a principios de los años noventa y dieron buenos resultados. La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarse varios datos consecutivos. (Fast page mode)

28. A estos módulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en los Pentium I. Lo que se logro con esta tecnología fue agilizar el proceso de lectura. Estas memorias ya no se utilizan mas.

29. Memoria PROM: Cuando se compra está en blanco (vacía) y mediante un proceso el usuario graba la información en ella, pero sólo una vez. Memoria EPROM: (erasable PROM) Igual a la anterior pero que mediante la exposición de una ventana, en la parte superior del integrado, a la luz ultravioleta, por un periodo definido de tiempo, se puede borrar.

30. Memoria EEPROM: (electrical erasable PROM) Igual a la anterior pero el borrado se realiza eléctricamente. Memoria Flash: Tipo especial de EEPROM que puede ser borrada y reprogramada dentro de una computadora. Los EEPROM necesitan un dispositivo especial llamado lector de PROM.

32. Estas memorias aparecieron en el 95 Se hicieron muy populares ya que estaban presentes en todas las Pentium I MMX.

33. Tenían la posibilidad de localizar un dato mientras transferían otro, diferente a las anteriores memorias que mientras transfería un dato se bloqueaban. Estas EDO SIMM eran de 72 pines

34. Esta Memoria entro en el mercado en los años 97. Y mejoro la velocidad siendo su ritmo de trabajo igual a la velocidad de Bus (FSB), es decir que tienen la capacidad de trabajar a la misma velocidad de mother al que se conectaba.

35. Estos módulos de 168 Pines son conocidos como DIMM SDRAM PC 66 y 100, 133, obviamente si instalo una de 133, en un mother de 100 va a funcionar a 100Mhz.

37. Memoria almacenada en un tipo de encapsulado rectangular con dos filas de pines de conexión a cada lado. Pero rara vez se encuentran en presentaciones de mas de 40 patas, por esta razón han sido reemplazadas por encapsulados SMD(Surface Mounted Device)

38. Hay de dos tipos de 30 y de 72 pines. Los de 30 vienen en capacidades de 256K y 1Mb y ya casi no se usan.

39. Los de 72 vienen en versiones de 4, 8, 16, 32 . Su principal desventaja: trabajan en pares.

40. Un DIMM puede comunicarse con el PC a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez de los 32 bits de los SIMM. Se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y utiliza un conector de 168 contactos. Hay de varios tipos EDO, DRAM, SDRAM, PC100, PC133.

41. Las DIMM EDO, DRAM. SDRAM trabajan de 66 a 83 MHz, el PC100 a 100 MHz y el PC133 a 133 MHz Estos MHz se refieren a la velocidad del bus de datos de la tarjeta madre. El DIMM EDO trabaja a 45 ns, DRAM y SDRAM a 15 ns, PC100 a 10 ns y PC133 a 7 ns.

42. Es una memoria muy costosa y de compleja fabricación. La utilizan procesadores Pentium IV para arriba. Corre a velocidades de 800 MHz (Rambus)

43. Sus módulos se denominan Rimm de 141 pines y con un ancho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de 64 bits hay que instalar 4 memorias. Es posible que estas memoria sean retiradas de mercado por ser tan costosas.

44. Estos módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pins y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo.

45. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de: 300MHz (PC-600) 356 MHz (PC-700) 400 MHz (PC-800) 533 MHz (PC-1066)

47. En este caso se consiguió que pudiera realizar dos transferencia en una pulsación o tic-tac de reloj. Esta memoria puEde alcanzar velocidades de 200 a 266Mhz.

48. Tiene una ventaja más, trabaja en sincronía con el bus del mother si este acelera la memoria también. Su desventaja es que son muy caras. Se conoce como DIMM DDR SDRAM PC 1600 Y PC 2100.

49. Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj.

50. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GB.(2005) DDR2

52. Memorias DDR3 1375 MHz Las memorias vienen por ahora en módulos de 512 MB y 1 GB, aunque se venden en packs de 1 y 2 GB (dos módulos de 512 y dos de 1 GB respectivamente).

53. Los DIMM S DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

54. Tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,5 del DDR). DDR3

55. Son mucho más lentas porque utilizan una tecnología magnética o bien óptica para guardar la información, la ventaja de ellas reside en que pueden almacenar grandes cantidades de datos sin la necesidad de un suministro eléctrico constante.

57. Es lo que le permite al computador ejecutar programas más grandes y en una forma simultanea. El sistema de memoria virtual divide el programa en segmento pequeños llamados “páginas”, y lleva todas las páginas a una memoria que pueda caber en un área reservada de dicho programa.

58. Hay que tener en cuenta que, que cada vez que haya que acceder a una información guardada en esta zona virtual, el sistema deberá reemplazar una parte de la RAM con una parte residente en el disco para poder tener acceso a ella.

59. Es un pequeño dispositivo de almacenamiento que utiliza memoria flash para guardar la información. Dispositivo de control. Cuenta con un pequeño microprocesador y mínima memoria RAM y ROM.

60. Chip de memoria. Es donde se almacenan los datos; se compone de dos transistores llamados compuerta flotante y compuerta de control. Dentro hay millones de estas celdas que se conectan entre sí, por medio de un circuito de cables.

61. 1. Ficha/Conector USB 2 .Dispositivo de control de almacenamiento masivo USB 3.Puntos de Test 4.Chip de Memoria flash

62. 5.Oscilador de cristal 6.LED 7.Interruptor de seguridad contra escrituras 8.Espacio disponible para un segundo chip de memoria flash.

65. Tabla formatos de Memorias Nombre Sigla Dimensiones DRM PC Card PCMCIA 85.6 × 54 × 3.3 mm Ninguna CompactFlash I CF-I 43 × 36 × 3.3 mm Ninguna CompactFlash II CF-II 43 × 36 × 5.5 mm Ninguna SmartMedia SM / SMC 45 × 37 × 0.76 mm Ninguna Memory Stick MS 50.0 × 21.5 × 2.8 mm MagicGate Memory Stick Duo MSD 31.0 × 20.0 × 1.6 mm MagicGate Memory Stick Micro M2 M2 15.0 × 12.5 × 1.2 mm MagicGate Multimedia Card MMC 32 × 24 × 1.5 mm Ninguna Reduced Size Multimedia Card RS-MMC 16 × 24 × 1.5 mm Ninguna MMCmicro Card MMCmicro 12 × 14 × 1.1 mm Ninguna Secure Digital Card SD 32 × 24 × 2.1 mm CPRM miniSD Card miniSD 21.5 × 20 × 1.4 mm CPRM microSD Card microSD 11 × 15 × 1 mm CPRM xD-Picture Card xD 20 × 25 × 1.7 mm Ninguna Intelligent Stick iStick 24 x 18 x 2.8 mm Ninguna µ card µcard 32 x 24 x 1 mm Desconocida