La memoria RAM almacena temporalmente los programas, datos y resultados ejecutados por la computadora. Se pierde su contenido al apagar la computadora. Existen dos tipos principales, RAM dinámica y RAM estática, que se diferencian en la tecnología que usan para almacenar datos. La RAM dinámica necesita actualizarse constantemente mientras que la RAM estática no. Ambos tipos son volátiles y pierden su contenido al apagar la computadora.

1. MEMORIA RAM
La Memoria RAM (Random Access Memory o Memoria de Acceso Aleatorio)
Es un circuito integrado o chip que almacena los programas, datos y resultados
ejecutados por la computadora y de forma temporal, pues su contenido se pierde
cuando esta se apaga. Se llama de ACCESO ALEATORIO - o de acceso directo - porque
se puede acceder a cualquier posición de memoria sin necesidad de seguir un orden.
La Memoria RAM puede ser leída y escrita por lo que su contenido puede ser
modificado.
La memoria RAM es VOLÁTIL, porque su información se pierde al interrumpirse la
energía eléctrica.
Hay dos tipos básicos de memoria RAM
RAM dinámica (DRAM)
RAM estática (SRAM)
Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnología que utilizan para
guardar los datos, la memoria RAM dinámica es la más común.
La memoria RAM dinámica necesita actualizarse miles de veces por segundo,
mientras que la memoria RAM estática no necesita actualizarse, por lo que es más
rápida, aunque también más cara. Ambos tipos de memoria RAM son volátiles, es
decir, que pierden su contenido cuando se apaga el equipo.
Coloquialmente el término RAM se utiliza como sinónimo de memoria principal, la
memoria que está disponible para los programas, por ejemplo, un ordenador con 8M
de RAM tiene aproximadamente 8 millones de bytes de memoria que los programas
puedan utilizar.

2. ESTRUCTURA FISICA DE LA RAM
En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides
de ferrita, la corriente polariza la ferrita. Mientras esta queda polarizada el sistema
puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes no es posible
acceder. Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo
por válvulas de vacion, transistores y en las últimas generaciones por un material
solido dieléctrico. Dicho estado solido dieléctrico tipo DRAM permite que se pueda
tanto leer como escribir informacion.
FUNCIONAMIENTO DE LAS MEMORIAS RAM.
La memoria principal o RAM (acrónimo de Random Access Memory, Memoria de
Acceso Aleatorio) es donde el ordenador guarda los datos que está utilizando en el
momento presente. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la
información que está en la memoria en cualquier punto sin tener que accederá la
información anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente
mientras el ordenador está en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se
apaga.
TÉRMINOS TÉCNICOS DE MEMORIA
Tiempo de refresco o latencia
Es el retardo en nanosegundos para acceder a una celda de datos, internamente los
datos en la memoria se organizan por filas, columnas y tableros. Por eso el valor se
especifica con 3 números distintos. Cuando accedes a un dato tienes la latencia, que es
por fila, otra que es por columna, así como otra por tablero. Entre más pequeños son
estos valores mejor y más rápida es la memoria.
Tiempo de acceso
Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se lanza la operación de lectura
en la memoria y el instante en que se lanza la operación de lectura en la memoria y el

3. instante en que se dispone de la primera información buscada. En la memoria
principal, este tiempo es, en principio, independiente de la dirección en la que se
encuentre la información a la cual queremos acceder.
Buffer de datos
El buffer es la parte de la memoria RAM que utiliza el sistema operativo o algún
software para realizar un trabajo o proceso mas rápido. El buffer en una computadora,
es el proceso que realiza el hardware o el software para realizar algún trabajo más
rápidamente sin necesidad de recurrir a la lectura o escritura.
Paridad
Consiste en añadir a la (edo o bedo) un chip que realiza una operación con los datos
cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado, se ha
producido un error y los datos ya no son fiables. Dicho así, parece una ventaja, sin
embargo el ordenador solo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige.
Almacenamiento de la información en una memoria RAM
El más común es el disco magnético; el objeto de guardar datos en la memoria es que
tiene más cantidad de espacio para guardar datos.
Tipos de memoria RAM
Síncronas: Están en sincronía con el procesador.
Asíncronas: No están en sincronía con el procesador.
MÓDULOS DE MEMORIA RAM
DIP o Dual in-line package: Es una forma de encapsulamiento común en la
construcción de circuitos integrados. La forma consiste en un bloque con dos
hileras paralelas de pines, la cantidad de éstos depende de cada circuito. Por la
posición y espaciamiento entre pines, los circuitos DIP son especialmente
prácticos para construir prototipos en tablillas de protoboard.

4. SIPP o Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple):
Consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se
montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa
(de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito,
que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa
base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo.
SIMM (siglas de Single In-line Memory Module): Es un formato para módulos de
memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se
montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en zócalos
sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta
es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs.

5. DIMM o Dual In-line Memory Module (Módulo de Memoria en línea doble):
Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata
de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta
directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles
externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a
diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado
están unidos con los del otro.
Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo
predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel
Pentium dominaron el mercado.

6. RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module (Módulo de Memoria en
Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una
tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de
los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de
rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y
133 MHz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas
frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una
placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos
de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz
(PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16
bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR.
MÓDULOS RAM PARA PORTÁTILES
SO-DIMM (Small Outline DIMM): consisten en una versión compacta de los
módulos DIMM convencionales. Los módulos SO-DIMM tienen 100, 144 ó 200
pines. Los de 100 pines soportan transferencias de datos de 32 bits, mientras
que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Los SO-DIMM tienen más o menos las
mismas características en voltaje y potencia que las DIMM corrientes,
utilizando además los mismos avances en la tecnología de memorias (por
ejemplo existen DIMM y SO-DIMM con memoria PC2-5300 (DDR2.533/667)
con capacidades de hasta 2 GB y Latencia CAS (de 2.0, 2.5 y 3.0).

7. Micro DIMM: Es la mas pequeña de las DIMM. Posee 214 pines.
SO-RIMM: Tecnología, particularmente para Cuadernos y otras computadoras
portables una desarrolladas. Los módulos son substancialmente más
compactos por lo tanto que RIMM y tienen 160 contactos.
TECNOLOGÍAS
1. MEMORIAS ASÍNCRONAS.
DRAM: el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin
estados de espera; el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj
externa.

8. FPM-RAM (Fast Page Mode): Memoria muy popular, ya que era la que se
incluía en los antiguos 386, 486 y primeros Pentium. Alcanza velocidades de
hasta 60 ns. Se encuentra en los SIMM de 30 contactos y los posteriores de 72.
EDO-RAM (Extended Data Output): La memoria EDO, a diferencia de la FPM
que sólo podía acceder a un solo byte al tiempo, permite mover un bloque
completo de memoria a la memoria caché del sistema, mejorando así las
prestaciones globales. De mayor calidad, alcanza velocidades de hasta 45 ns. Se
encuentra en los Pentium, Pentium Pro y primeros Pentium II en SIMM de 72
contactos y en los primeros DIMM de 168 contactos, funcionando a 5 y 3,3
voltios.
BEDO-RAM (Burst Extended Data Output): Diseñada originalmente para los
chipset HX, permite transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj,
aunque no de forma continuada, sino a ráfagas, reduciendo los tiempos de
espera del procesador, aunque sin conseguir eliminarlos del todo.
2. MEMORIAS SINCRONAS.
SDR SDRAM (Synchronous DRAM): Memoria asíncrona que se sincroniza con
la velocidad del procesador, pudiendo obtener información en cada ciclo de
reloj, evitando así los estados de espera que se producían antes. La SDRAM es
capaz de soportar las velocidades del bus a 100 y 133 MHz, alcanzando
velocidades por debajo de 10 ns. Se encuentra en la práctica mayoría de los
módulos DIMM de 168 contactos.
PC66: 64 bits, 168 contactos, frecuencia de reloj de 66,66 MHz y con modulo
DIMM (144 contactos en modulo SODIMM).
PC100: Es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas
referentes a calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos establecidas

9. por Intel. El objetivo es garantizar un funcionamiento estable en la memoria
RAM a velocidades de bus de 100 MHz.
PC133: Muy parecida a la anterior y de grandes exigencias técnicas para
garantizar que el módulo de memoria que la cumpla funcione correctamente a
las nuevas velocidades de bus de 133 MHz que se han incorporado a los
últimos Pentium III.
DDR SDRAM: Tiene datos que transfieren 64 bits a la vez, una velocidad de
transferencia máxima de 1600 MB / s y con modulo DIMM.
PC 1600 ó DDR200: Tiene una frecuencia de bus de 100 MHz, se transfieren
64 bits a la vez, con 184 contactos y con módulos DIMM.
PC 2100 ó DDR266: La memoria del reloj 133 MHz, El tiempo del ciclo 7.5 ns,
velocidad de datos 266 Mhz, de 184 contactos y con módulos DIMMs.
PC 2700 ó DDR333: La memoria del reloj 166 MHz, El tiempo del ciclo 6 ns,
velocidad de datos 333 MHz, con 184 contactos y módulos DIMMs.
PC 3200 ó DDR400: La memoria del reloj 200 MHz, El tiempo del ciclo 5 ns,
Velocidad de datos 200 MHz, con 184 contactos y módulos DIMMs.
PC -4200 ó DDR2-533: La memoria del reloj 133 MHz, El tiempo del ciclo 7.5
ns, velocidad de datos 4264 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.
PC -4800 ó DDR2-600: La memoria del reloj 150 MHz, el tiempo del ciclo 6,7
ns, velocidad de datos 4800 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.

10. PC -5300 ó DDR2-667: La memoria del reloj 166 MHz, el tiempo del ciclo 6
ns, velocidad de datos 5336 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.
PC -6400 ó DDR2-800: La memoria del reloj 200 MHz, el tiempo del ciclo 5 ns,
velocidad de datos 6400 MB/s, con 240 contactos y con módulos DIMMs.
DDR3: Velocidad del reloj 250 MHz, tiempo entre señales 4 ns, velocidad del
reloj de E/S 1000 MHz, velocidad de datos 1600 MB/s, con 240 contactos y
módulos DIMMs.
3. RDRAM: Su ancho de palabra es de 16 bits y trabaja a una velocidad mucho
mayora la de una SDRAM, llegando hasta los 400Mhz.Cuenta con 184 contactos
y módulos RIMM.
XDR DRAM: Soportan una capacidad máxima de 1 GB, velocidad del reloj: 400
MHz, 600 MHz, 800 MHz y 1 GHz y cuenta con una producción de datos: 8 bites
por frente de reloj o sea 3,2 Gbit/s a 400MHz.
XDR2 DRAM: La Frecuencia más alta es hasta de 800 MHz, transferencia de 16
bits por pasador por ciclo de reloj.
4. DRDRAM (Direct Rambus DRAM): Es un tipo de memoria de 64 bits que
alcanza ráfagas de 2 ns, picos de varios Gbytes/sg y funcionan a velocidades de
hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para las tarjetas gráficas AGP,
evitando los cuellos de botella entre la tarjeta gráfica y la memoria principal
durante el acceso directo a memoria para el manejo de las texturas gráficas.
5. SLDRAM (SyncLink DRAM): Se basa, al igual que la DRDRAM, en un protocolo
propietario, que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso
no dependen de la sincronización de múltiples líneas, por lo que este tipo de

11. memoria promete velocidades superiores a los 800 MHz, ya que además puede
operar al doble de velocidad del reloj del sistema.
6. SRAM: Es la abreviatura de Static Random Access Memory y es la alternativa a
la DRAM. No precisa de tanta electricidad como la anterior para su refresco y
movimiento de las direcciones de memoria, por lo que funciona más rápida,
aunque tiene un elevado precio. Hay de tres tipos:
Async SRAM: La memoria caché de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium,
asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns.
Sync SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el
procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns.
Pipelined SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en
cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos
con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns.
7. EDRAM: Tiempo de 35 ns, tiempo de lectura aleatoria de 15 nanosegundos.
8. ESDRAM (Enhanced SDRAM): Incluye una pequeña memoria estática en el
interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser
resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un
principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores.
9.VRAM: Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo
tiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica, para suavizar la
presentación gráfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismo
tiempo.

12. 10. SGRAM: Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sin
afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). Es
el tipo de memoria más popular en las nuevas tarjeta gráficas aceleradoras 3D.
11. WRAM: Permite leer y escribir información de la memoria al mismo tiempo,
como en la VRAM, pero está optimizada para la presentación de un gran número de
colores y para altas resoluciones de pantalla.