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MEMORIAS
José M. Baña Souto
Santiago 02/02/12
Memorias de sólo lectura ( PROM)
PROM:     (Programmable Read Only Memory): El
proceso de escritura es eléctrico. Se puede grabar
posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia
de las anteriores que se graba durante la fabricación.
Permite una única grabación y es más cara que la
ROM.
       Es una memoria digital donde el valor de cada
bit depende del estado de un fusible (o antifusible),
que puede ser quemado una sola vez. Por esto la
memoria puede ser programada (pueden ser escritos
los datos) una sola vez a través de un dispositivo
especial, un programador PROM. Estas memorias
son utilizadas para grabar datos permanentes en
cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos
Memorias de sobre todo lectura
EPROM:    (ROM borrable programable). Es un tipo
de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero
Dov Frohman que retiene los datos cuando la fuente
de energía se apaga. En otras palabras, es no volátil.
EEPRO Mson: Es un tipo de memoria ROM que
puede ser programado, borrado y reprogramado
eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de
borrarse mediante rayos ultravioletas.
MEMORIA FLASH: Está basada en las memorias
EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y
es más barata y densa.
Memorias de Lectura/Escritura I
MEMORIA RAM         o Memoria e acceso Aleatorio (
Random Acces Memory ).Esta memoria es como un
escritorio al igual que los escritorios tienen cajones
donde ordenan la información, cuanto mas grande
sea el escritorio (plano de apoyo) mas cajones voy a
tener de tal suerte que el micro va a perder menos
tiempo en buscar y ordenar la información
        La importancia de esta memoria es tan grande
que si esta ausente la PC NO ARRANCA, Actúa
como si estuviera muerta no hay sonido ni cursor en
la pantalla ni luces que se enciendan o apaguen.
Para que sirve: Almacena las instrucciones que debe
ejecutar el micro en cada momento Este es el lugar
físico donde debe trabajar el procesador cuando
Memorias de Lectura/Escritura II
DRAM     (Dynamic Random Access Memory): Los
datos se almacenan como en la carga de un
condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es
necesario un proceso de refresco periódico. Son más
simples y baratas que las SRAM.
       Este tipo de memoria se utilizan des los años
80 hasta ahora en toda las computadoras Esta
memoria tiene una desventaja hay que estimularla
(Refresco) permanentemente porque se olvida de
todo. Como se estimula: requiere un procesador que
ordene el envió de cargas eléctricas, a este tipo de
memorias se lo conoce como memoria estáticas
Otras de las desventajas de esta memoria es que es
lenta y la ventaja es que es barata. Obviamente al
Memorias de Lectura/Escritura III
FPM    DRAM. La ventaja de este memoria consiste
en pedir permiso una sola vez u llevarse varios datos
consecutivos esto comenzó a usarse principios de os
años noventa y dio buenos resultados a estos
módulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y
pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en las
Pentium I lo que logro con esta tecnología es agilizar
el proceso de lectura, estas memorias ya no se
utilizan mas.
EDO DRAM Estas memorias aparecieron en el 95,
y se hicieron muy populares ya que estaban
presentes en todas las Pentium I MMX y tenia la
posibilidad de localizar un dato mientras transfería
otro de diferencia de las anteriores que mientras
Memorias de Lectura/Escritura IV
BEDO-RAM      (Burst Extended Data Output RAM):
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la
SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de
memoria que usaba generadores internos de
direcciones y accedía a más de una posición de
memoria en cada ciclo de reloj, de manera que
lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO.
Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros
fabricantes se decidieron por esquemas de memoria
sincrónicos que si bien tenían mucho del
direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades
distintas como señales de reloj.
Memorias de Lectura/Escritura V
RDRAM.     Es una memoria muy costosa y de
compleja fabricación y la utilizan procesador Pentim
IV para arriba corre a velocidades de 800 Mhz sus
módulos se denominan Rimm de 141 pines y con un
anho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de
64 bits hay que instalar 4 memorias, es posible que
estas memoria sean retiradas del mercado por ser
tan costosas
SDRAM: Esta Memoria entro en el mercado en los
años 97, y mejoro la velocidad siendo su ritmo de
trabajo igual a la velocidad de Bus (FSB) es decir que
tienen la capacidad de trabajar a la misma velocidad
de mother al que se conectan.
       Es tos módulos de 168 Pines son conocidos
Memorias de Lectura/Escritura VI
DDR    SDRAM: En este caso se consiguió que
pudiera realizar dos transferencia en una pulsación o
tic-tac de reloj, esta memoria pude alcanzar
velocidades de 200 a 266Mhz, Tiene una ventaja
mas trabaja en sincronía con el bus del mother si
este acelera la memoria también pero tiene una
desventaja son muy caras. Se conoce como DIMM
DDR SDRAM PC 1600 Y PC 2100.
SRAM (Static Random Access Memory): Los datos
se almacenan formando biestables, por lo que no
require refresco. Igual que DRAM es volátil. Son más
rápidas que las DRAM y más caras.
Memorias de Lectura/Escritura VII
MEMORIA CACHÉ        o SRAM: La memoria caché
trabaja igual que la memoria virtual, tenemos caché
en el procesador, en los discos y en el mother y nos
guarda direcciones de memoria.
       Si ejecutamos un programa en principio, lo
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Es mucho más rápida cuando ya usamos un
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       Existen 3 tipos de memoria caché:
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Módulos de Memoria
Los   módulos de memoria RAM son tarjetas de
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implementación DRAM se basa en una topología de
Circuito eléctrico que permite alcanzar densidades
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Además de DRAM, los módulos poseen un integrado
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        La conexión con los demás componentes se
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Trabajo Memorias

  • 1. MEMORIAS José M. Baña Souto Santiago 02/02/12
  • 2.
  • 3.
  • 4.
  • 5. Memorias de sólo lectura ( PROM) PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es eléctrico. Se puede grabar posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricación. Permite una única grabación y es más cara que la ROM. Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos
  • 6. Memorias de sobre todo lectura EPROM: (ROM borrable programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos cuando la fuente de energía se apaga. En otras palabras, es no volátil. EEPRO Mson: Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioletas. MEMORIA FLASH: Está basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es más barata y densa.
  • 7. Memorias de Lectura/Escritura I MEMORIA RAM o Memoria e acceso Aleatorio ( Random Acces Memory ).Esta memoria es como un escritorio al igual que los escritorios tienen cajones donde ordenan la información, cuanto mas grande sea el escritorio (plano de apoyo) mas cajones voy a tener de tal suerte que el micro va a perder menos tiempo en buscar y ordenar la información La importancia de esta memoria es tan grande que si esta ausente la PC NO ARRANCA, Actúa como si estuviera muerta no hay sonido ni cursor en la pantalla ni luces que se enciendan o apaguen. Para que sirve: Almacena las instrucciones que debe ejecutar el micro en cada momento Este es el lugar físico donde debe trabajar el procesador cuando
  • 8. Memorias de Lectura/Escritura II DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco periódico. Son más simples y baratas que las SRAM. Este tipo de memoria se utilizan des los años 80 hasta ahora en toda las computadoras Esta memoria tiene una desventaja hay que estimularla (Refresco) permanentemente porque se olvida de todo. Como se estimula: requiere un procesador que ordene el envió de cargas eléctricas, a este tipo de memorias se lo conoce como memoria estáticas Otras de las desventajas de esta memoria es que es lenta y la ventaja es que es barata. Obviamente al
  • 9. Memorias de Lectura/Escritura III FPM DRAM. La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarse varios datos consecutivos esto comenzó a usarse principios de os años noventa y dio buenos resultados a estos módulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en las Pentium I lo que logro con esta tecnología es agilizar el proceso de lectura, estas memorias ya no se utilizan mas. EDO DRAM Estas memorias aparecieron en el 95, y se hicieron muy populares ya que estaban presentes en todas las Pentium I MMX y tenia la posibilidad de localizar un dato mientras transfería otro de diferencia de las anteriores que mientras
  • 10. Memorias de Lectura/Escritura IV BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM): Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.
  • 11. Memorias de Lectura/Escritura V RDRAM. Es una memoria muy costosa y de compleja fabricación y la utilizan procesador Pentim IV para arriba corre a velocidades de 800 Mhz sus módulos se denominan Rimm de 141 pines y con un anho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de 64 bits hay que instalar 4 memorias, es posible que estas memoria sean retiradas del mercado por ser tan costosas SDRAM: Esta Memoria entro en el mercado en los años 97, y mejoro la velocidad siendo su ritmo de trabajo igual a la velocidad de Bus (FSB) es decir que tienen la capacidad de trabajar a la misma velocidad de mother al que se conectan. Es tos módulos de 168 Pines son conocidos
  • 12. Memorias de Lectura/Escritura VI DDR SDRAM: En este caso se consiguió que pudiera realizar dos transferencia en una pulsación o tic-tac de reloj, esta memoria pude alcanzar velocidades de 200 a 266Mhz, Tiene una ventaja mas trabaja en sincronía con el bus del mother si este acelera la memoria también pero tiene una desventaja son muy caras. Se conoce como DIMM DDR SDRAM PC 1600 Y PC 2100. SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no require refresco. Igual que DRAM es volátil. Son más rápidas que las DRAM y más caras.
  • 13. Memorias de Lectura/Escritura VII MEMORIA CACHÉ o SRAM: La memoria caché trabaja igual que la memoria virtual, tenemos caché en el procesador, en los discos y en el mother y nos guarda direcciones de memoria. Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la memoria caché nos guarda la ubicación (dirección) en el disco, cuando lo ejecuté, y lo que hicimos con el programa. Es mucho más rápida cuando ya usamos un programa Existen 3 tipos de memoria caché: Cache L1: Esta dividido en dos bloques uno contiene las instrucciones y otro los datos y cuando se habla de su capacidad de almacenamiento se dice
  • 14.
  • 15. Módulos de Memoria Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementación DRAM se basa en una topología de Circuito eléctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Megabits. Además de DRAM, los módulos poseen un integrado que permiten la identificación de los mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicación SPD. La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo