La memoria RAM almacena temporalmente datos e instrucciones para que la CPU pueda procesarlos. Está compuesta de circuitos integrados con celdas que pueden leerse o escribirse de forma aleatoria. Su función es tener preparadas las instrucciones y datos para la CPU y almacenar temporalmente los resultados de las operaciones.

1. Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto

2.  Almacena datos e instrucciones de
programas en ejecución
 Permite acceso rápido a los datos
 Solo almacena la información mientras
tenga energía eléctrica (temporal)
 Compuesta por circuitos integrados, donde
cada uno contiene celdas que se puede leer
o escribir en cualquier orden (Aleatoria).
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3. Su función consiste en tener preparadas las
instrucciones y los datos para que la CPU pueda
procesarlos, y en almacenar temporalmente el
resultado de las operaciones realizadas por la
CPU.
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4. La lectura y almacenamiento de la información se realiza
mediante el uso del bus de datos y direcciones, en el
siguiente orden:
 Apuntar a la dirección de memoria que se desea leer o
escribir mediante el uso del bus de direcciones
 Selección del tipo de operación: Lectura o escritura.
 Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación
de escritura)
 Retener los datos de la memoria (en el caso de una
operación de lectura)
 Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva
operación.

5.  Conjunto de condensadores que almacenan
varias palabras binarias de n bits. Cada una
almacena 1 bit (celda de memoria)
 Las celdas o bits de memoria se ubican
mediante la fila y la columna
DRAM dinámica: una celda está compuesta por
un transistor y un condensador.
SRAM: una celda está compuesta por alrededor
de cinco transistores.
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6. El capacitor pueden almacenar
solamente un bit de información
El transistor MOS actúa como
el interruptor que permite al
controlador de memoria leer el
estado del capacitor o
cambiarlo.
Fig: Diagrama electrónico de una celda de memoria
Tiempo de refresco era de 80 ó
70ns. Se utilizó en la época de los
i386, en forma de módulos SIMM o
DIMM.
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7. El procesador puede dirigirse directamente a cualquier celda y
ver el contenido de la misma, simplemente debe conocer el
número de fila y columna o “dirección de memoria” de la
celda que está buscando
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8. Los módulos de memoria cuentan con una
serie de circuitos adicionales que se encargan
entre otras cosas de lo siguiente:
 identificar cada fila y columna
 llevar un registro de la secuencia de
actualización
 leer y restaurar la señal de una celda de
memoria
 indicarle a una celda si debe guardar una
carga o no
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10. Cuando el estado en la fila se
encuentra en alto, el transistor
entra en saturación y el dato
presente en el bus interno de
la memoria (columna) se
almacena en el condensador,
durante una operación de
escritura y se extrae en una
operación de lectura.
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12. El microprocesador debe saber exactamente la posición en memoria de cada
dato, por lo que las posiciones están identificadas por un número denominado
dirección de memoria. Cada posición de memoria almacena un byte, lo que
hace pensar en la gran cantidad de posiciones que serán necesarias para poder
almacenar instrucciones y datos
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13.  REFRESCO O LATENCIA: tiempo que tarda cargar
eléctricamente las celdas de memoria
 TIEMPO DE ACCESO: tiempo que tarda la
memoria en acceder a la información
almacenada en una dirección.
 VOLTAJE:
SIMM 5 voltios
DIMM SDRAM 3,3 voltios
DIMM SDRAM DDR 2,4 voltios
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15.  Memoria asíncrona (SIMM)
No trabajan en forma síncrona con el reloj del sistema,
es decir en un acceso a la memoria las señales
necesarias para llevar a cabo este proceso, no están
coordinadas con el reloj manejado por el sistema.
Ejemplo: FPM-RAM (modo de Página Rápida) ,
 Memoria síncrona (DIMM)
Utilizan un reloj para sincronizar la entrada y salida de
las señales necesarias durante un acceso a memoria,
este reloj trabaja de manera coordinada (sincronizada)
con el reloj del sistema. Ejemplo: SDR SDRAM, DDR
SDRAM
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16.  FPM-RAM (Fast Page Mode RAM, modo de página rápida):
 70 ó 60 ns.
 Usadas en la primera generación de Pentium.
 Incorpora un sistema de paginado debido a que considera
probable que el próximo dato a acceder este en la misma
columna, ganando tiempo en caso afirmativo.
 Mantiene constante la dirección de fila mientras se leen
consecutivamente los datos de varias columnas
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17.  EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
permite a la CPU acceder más rápido porque
envía bloques enteros de datos; con tiempos de
acceso de 40 ó 30 ns.
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18.  BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
• más rápida debido a que manda los datos en
ráfagas (burst).
• velocidad de bus de 66 MHz
• una vez que se accede a un dato de una posición
determinada de memoria se leen los tres
siguientes datos en un solo ciclo de reloj por
cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de
espera del procesador
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19. 
tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en módulos DIMM(Módulo de Memoria en
línea doble) de 168 contactos. Fue utilizada en los
Pentium 2, así como en los AMD K7. Dependiendo de
la frecuencia de trabajo se dividen en:
la velocidad de bus temporización tasas de
transferencia
PC66 66 Mhz 15 ns 533 MB/s
PC100 125 Mhz 8 ns 800 MB/s
PC133 133 Mhz 7,5 ns 1066 MB/s.
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20. 
Envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de
velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se
presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDRAM, en
función de la frecuencia del sistema se clasifican en :
Voltaje Velocidad de tasas de transferencia contactos
bus
PC 1600 ó DDR200 2.5 V 100MHz 1,6 GB/s
PC 2100 ó DDR266: 2.5 V 133MHz 2,1 GB/s
PC 2700 ó DDR333 2.5 V 166MHz 2,7 GB/s
PC 3200 ó DDR400: 2.5V 200MHz 3,2 GBs 184
PC-4200 ó DDR2-533 1.8 V 266 MHz 4,2 GBs 240
PC-4800 ó DDR2-600 1.8V 300 MHz 4,8 GBs
PC-5300 ó DDR2-667: 1.8V 333 MHz 5,3 GBs
PC-6400 ó DDR2-800 1.8V 400 MHz 6,4 GBs
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21. Trabaja en sincronía con el bus del procesador, pero envía datos
en ambos flancos del ciclo de reloj (flanco de subida y flanco de
bajada)
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23. SDRAM: Utiliza módulos DIMM de
168 contactos y dos muescas en su
parte inferior. Velocidad entre 66 y
133MHz
DDR: 184 Contactos y una única
muesca entre ellos. Funciona con
un voltaje de 2,5 voltios, y puede
tener una velocidad de 200, 266,
333 y 400MHz

24. DDR2: Es muy parecida a la DDR,
con una muesca. Tiene 240
contactos y un voltaje de 1,8
voltios que reduce la temperatura
y le permite alcanzar mayores
velocidades : 400, 533, 667 y
800MHz
RDRAM: Solo puede instalarse en
procesadores Pentium 4 y su uso
nunca estuvo demasiado
extendido. Trabaja a velocidades
entre 800 y 1066MHz

26. 1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están
soldadas los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para memoria DDR2.
4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura
de memoria DDR2.

28. Transmisión doble de datos tercer generación: Tienen los chips
de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un
conector especial de 240 contactos. Tiene conectores
físicamente independientes por ambas caras como el primer
estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran
mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se
sobrecalientan.

31. 1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas
los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para memoria DDR3.
4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de
memoria DDR3.

32. 184 contactos,
capacidad
máxima de 1GB.
Voltaje 2.5V
240 contactos,
capacidad
máxima de 4GB.
Voltaje 1.8V
240 contactos,
capacidad
máxima de 8GB.
Voltaje 1.5V

33. Puede alcanzar velocidades de transferencia de
2.133 Gbps a 1,2 V, en comparación con DRAM
DDR3 a 1.35V y 1.5V con una tecnología de proceso
de clase 30nm equivalente , con velocidades de
hasta 1,6 Gbps. Reduce el consumo de energía en
un 40 por ciento en comparación con un módulo
DDR3 de 1.5V. Capacidad de almacenamiento 8 y
16 GB

34. SDRAM SO-DIMM
DDR SDRAM SO-DIMM

35.  flip-flop o biestable (también llamado
báscula) compuesto por 4 o 6 transistores
MOSFET para almacenar los ceros y unos,
 Mas costosa de fabricar, por ello solo se
utilizan unos pocos Megabytes en algunos
dispositivos.
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36. La celda se activa mediante
un nivel activo a la entrada
superior y los datos se
cargan o se leen a través de
las líneas laterales

37. cada una de las filas se habilita de forma simultánea para
recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida

38.  tiene incluida una poca cantidad de memoria SRAM
 Ocasionalmente se utiliza como memoria cache L1 y L2
 Algunas veces se le conoce como DRAM cacheada.

39. •incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM.
•Permite tiempos de latencia más bajos
• funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo
llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2
GB/s.
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40. utiliza un sistema propietario lo cual la hace mas costosa

41.  Memoria síncrona
 Pentium III con chipset 820 de intel
 Frecuencia entre los 600 y 800 MHz
 Memoria de bus o ancho de palabra de 16 bits
 funciona con ambos flancos ascendente y descendente del
pulso del reloj del microprocesador.
 El modulo es RIMM (Rambus Inline Memory Module)

42.  Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono
 bus de 64 bits
 velocidad de reloj de 200 MHz
 transferencia de datos con el flanco de subida y el flanco de bajada del
reloj del sistema, lo cual genera una velocidad efectiva de 400 MHz
 legando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de
transferencia

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49.  DIP (dual in-line package, Paquete dual en
línea)
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50. TARJETA PRINCIPAL DE
IBM XT CON CHIP DE
MEMORIA DIP

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52.  1983 en los laboratorios WANG.
SIMM de 30 pines
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53. 1MB 30-pin 70ns 3c 1x4 Parity FPM SIMM
16MB 30-pin 60ns non-parity SIMM

54. 8MB 72-pin 60ns EDO SIMM

55. 16MB 72-pin 60ns 2K EDO SIMM
32MB 72-pin 60ns EDO 5V SIMM

56. 32MB EDO 4K refresh 4-chip 72-pin 60ns SIMM
64MB 72-pin 60ns EDO 8-chip 5V SIMM

57. 128MB 72-pin 60ns EDO non-parity SIMM

58. 4MB 72-pin 60ns FPM SIMM
8MB 72-pin 70ns FPM non-parity SIMM
8MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM

59. 16MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM
16MB 72-pin 70ns FPM non-Parity SIMM

60. 32MB 72-pin 60ns 16-chip 4x4 2K Refresh non-Parity FPM
SIMM
32MB 72-pin 70ns 16-chip 4x4 2K FPM SIMM

61. 64MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM
64MB 72pin 60ns FPM Gold-Lead 8 chip SIMM

62. 128MB 72-pin 60ns 5V FPM SIMM
http://www.memoryx.net/72pinsimm.html

64. FACTOR DE FORMA O RANURAS
SIMM (Módulo de Memoria en Línea Simple) : 30 ó 72 contactos
DIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble)

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66. 72 contactos y 144,
taza de transferencia de datos de 32
y 64 bits respectivamente.
3.3 Voltios
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67. •160 pines
•Frecuencia de
operación de 600 /
700 / 800 Mhz
•Voltaje de 2.5V

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69. Motherboard A85F2-A
Golden con socket FM2
7 SATA 6.0 Gbps, 6
USB 3.0, 8 SB 2.0,
1Gigabit Ethernet y
1 eSATA de 6.0
Gbps. Salidas de
video, HDMI, DVI, D-
Sub y DisplayPort,
junto con audio de
8 canales HD con
soporte THX
TruStudio PRO.
4 ranuras DIMM DDR3 2600 MHz (OC) que soportan hasta 64 GB de
capacidad en una configuración de doble canal con soporte para
la tecnología AMP. Incorpora dos ranuras PCI Express 2.0 x16
compatibles con CrossFireX y se le suman tres ranuras PCI Express x1
y dos PCI regulares.

70. sucesor de las memorias Rambus RDRAM
Usa Octal Data Rate (ODR): Ocho bits por ciclo de reloj por
línea

71. Tasa de transferencia
Se han alcanzado (2009) hasta 28.8 GB/s de transferencia a 7.2 GHz,
en una configuración de x32-bit

72.  utilizada en las tarjetas gráficas (controladores gráficos)
 es accesible de forma simultánea por dos dispositivos.
 determina su limitación con respecto al número de colores y
resolución.
 A mayor cantidad de memoria que se encuentra en la tarjeta de
video, mayor es la resolución

73.  SAM (serial access memory)
 WRAM (Window RAM)
 SGRAM (Synchronous Graphics RAM)
 MDRAM (Multi-bank DRAM)
 CDRAM (Cache DRAM)
 3D RAM
 GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate
SDRAM)
 RAM extendida

74. •Agrega mejoras como bit masking (escribir en
un bit específico sin afectar a otros) y block
write (rellenar un bloque de memoria con un
único color).
• A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM
es de un solo puerto.
•Puede abrir dos páginas de memoria como
una, simulando el doble puerto que utilizan
otras tecnologías RAM

75. es un tipo de VRAM
equipada con líneas
separadas de lectura y
escritura, que ofrece
tiempos rápidos de
acceso y es barata de
producir.
Incorpora al doble puerto
de la VRAM
infraestructura dedicada
para operar sobre bloques
enteros de memoria