La memoria SDRAM es una DRAM dinámica con interfaz síncrona que se actualiza en el flanco de subida del reloj de sistema, permitiendo operaciones más complejas que la DRAM asíncrona. Se utiliza ampliamente en computadoras desde la SDRAM original hasta las más recientes DDR3 y DDR4. La tecnología dual channel permite el acceso simultáneo a dos módulos de memoria SDRAM para aumentar el ancho de banda y el rendimiento.

2. Synchronous Dynamic Random Access
Memory (SDRAM) es una memoria dinámica de
acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz
síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica
de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz
asíncrona, lo que significa que el cambio de
estado de la memoria tarda un cierto
tiempo, dado por las características de la
memoria, desde que cambian sus entradas. En
cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene
lugar en el momento señalado por una señal de
reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus
de sistema del ordenador.

3. El reloj también permite controlar una
máquina de estados finitos interna que
controla la función de "pipeline” de las
instrucciones de entrada. Esto permite que
el chip tenga un patrón de operación más
complejo que la DRAM asíncrona, que no
tiene una interfaz de sincronización.
Las SDRAM son ampliamente utilizadas en
los ordenadores, desde la original SDRAM
y las posteriores DDR (o DDR1), DDR2 y
DDR3. Actualmente se está diseñando la
DDR4 y se prevé que estará disponible en
2014.

4. Sus celdas construidas a base de capacitores poseen chips de memoria en
ambos lados de la placa de circuito impresa, poseen a la vez, 84
conectores de cada lado, lo cual suma un total de 168 terminales para
ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).
Al tener conectores físicamente independientes en ambas caras de la
tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.
Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector, para
que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
La memoria SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits.
La medida del SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de alto.
La unidad para medir la velocidad de las memorias SDRAM es en
MegaHertz (MHz). En el caso de los SDRAM, tiene varias velocidades
de trabajo disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de
trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes: 66,100
,133 MHz.

5. La unidad práctica para medir la capacidad de
almacenamiento de una memoria SDRAM es el
Megabyte (Mb).
DIMM - SDRAM 168 terminales
PC100 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512
Mb
DIMM - SDRAM 168 terminales
PC133 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512
Mb

6. Todos los comandos están programados en relación con el flanco de
subida de una señal de reloj. Además del reloj, hay 6 señales de
control, en su mayoría de baja activa que se muestra en el flanco
de subida del reloj:
Reloj ‘’’CKE’’’ Habilitar. Cuando esta señal es baja, el chip se
comporta como si el reloj se ha detenido. No comandos son
interpretados y tiempos de latencia de comando no transcurrir. El
estado de las líneas de control de otros no es relevante. El efecto
de esta señal es en realidad un retraso de un ciclo de reloj. Es
decir, el producto actual ciclo de reloj, como de costumbre, pero
el siguiente ciclo de reloj es ignorado, excepto para la prueba de
nuevo la entrada de CKE. Reanudar las operaciones normales en
el flanco de subida del reloj después de aquel en el que se toman
muestras de CKE alta.
‘’’/ CS’’’ Chip Select. Cuando esta señal es alta, el chip hace caso
omiso de todas las otras entradas (excepto para CKE), y actúa
como si se recibe un comando NOP.

7. ‘’’DQM’’’ ocultar los datos. (La letra Q aparece porque, siguiendo
las convenciones de la lógica digital, las líneas de datos se conoce
como "DQ" líneas.) Al alta, estas señales de supresión de los datos
I / O. Cuando acompañan a escribir los datos, los datos no son en
realidad por escrito a la DRAM. Cuando afirmó alta dos ciclos
antes de un ciclo de lectura, la lectura de datos no es la salida del
chip. Hay una línea DQM por 8 bits en un chip x16 de memoria o
DIMM.
‘’’/RAS’’’ fila Dirección Strobe. A pesar del nombre, este no es un
estrobo, sino simplemente un poco de comandos. Junto con / CAS
y / WE, esto selecciona uno de los 8 comandos.
‘’’/ CAS’’’ columna Dirección Strobe. A pesar del nombre, este no
es un estrobo, sino simplemente un poco de comandos. Junto con /
RAS y / WE, esto selecciona uno de los 8 comandos.
‘’’/ WE’’’ modo escritura. Junto con / RAS y CAS, esta selecciona
uno de los 8 comandos. Esto generalmente se distingue de lectura
como los comandos de escribir-como comandos.


8.  Dispositivos SDRAM se dividen
internamente en 2 o 4 bancos de datos
interna independiente. Uno o dos entradas
de la dirección del banco (BA0 y BA1)
seleccionar un comando de que el banco se
dirige.
 Muchos de los comandos también utilizar
una dirección presentados en los pines de
dirección de entrada. Algunos
comandos, que o bien no utilizar una
dirección, o presentar una columna de
dirección, también utilizan A10 para
seleccionar variantes. Los comandos de
entender son los siguientes.

9. /CS /RAS /CAS /WE BAn A10 An Comandos
Comando do inhibir
H X X x x x x (No operación)
L H H H x x x Ninguna operación
Burst Terminar: Parada de una
L H H L x x x ráfaga de lectura o escritura en
el progreso estallido.
Leer: Leer una ráfaga de
L H L H banco L columna
datos de la fila activa.
Lea con precarga automática:
L H L H banco H columna Como el anterior, y precarga
(cierra la fila) cuando termine.
Escribe: Escribe una ráfaga
L H L L banco L columna
de datos a la fila activa.

10. Escribir con precarga automática:
L H L L banco H columna Como el anterior, y precarga
(cierra la fila) cuando termine.
Active (Activar): abrir una
L L H H banco row línea de comandos Leer y
Escribir
Precarga: Desactivar la fila
L L H L banco L x
actual del banco seleccionado.
Precargar todos: Desactivar la
L L H L x H x fila actual de todos los bancos.
Actualización automática: Actualizar
una fila de cada banco, utilizando un
L L L H x X x contador interno. Todos los bancos
deben ser precargado.
Registro de modo de carga: A0 a través de A9
se cargan para configurar el chip DRAM
L L L L 00 Mode Los ajustes más importantes son la latencia
CAS (2 o 3 ciclos) y la longitud de la ráfaga (1,
2, 4 u 8 ciclos)

11. De datos único SDRAM tiene una tasa de 10 páginas
a un bit de modo de registro programable. Más
tarde, el doble de datos de normas de SDRAM tasa
añadir registros modo adicional, se dirigió a
utilizar los pines banco de direcciones. Para
SDRAM SDR, las clavijas de Dirección del Banco y
las líneas de dirección A10 y encima se pasan por
alto, pero debe ser cero durante un registro de
modo de escribir.
Los bits se M9 a través de M0, presentado por la A9 a
través de líneas de dirección A0 durante un ciclo de
carga de registro de modo.

12. M9: Escribe el modo ráfaga. Si es 0, escribe utilizar la longitud de
la ráfaga y el modo de leer. Si 1, todas las escrituras no son de
estallido (ubicación única).
M8, M7: modo de funcionamiento. Reservado, y debe ser 00.
M6, M5, M4: latencia CAS. En general, sólo 010 (CL2) y 011
(CL3) son legales. Especifica el número de ciclos entre un
comando de lectura y de salida de datos del chip. El chip tiene un
límite fundamental de este valor en nanosegundos, durante la
inicialización, el controlador de memoria debe utilizar su
conocimiento de la frecuencia de reloj de traducir ese límite en los
ciclos.
M3: Tipo de ráfaga. 0 - peticiones estallido secuencial de pedidos,
mientras que 1 peticiones intercalados estallido de pedido.
M2, M1, M0: longitud de la ráfaga. Los valores de 000, 001, 010 y
011 especifican un tamaño de ráfaga de 1, 2, 4 u 8 palabras,
respectivamente. Cada leer (y escribir, si M9 es 0) llevará a cabo que
tiene acceso a muchos, a no ser interrumpido por una parada de
reventar o otro comando. Un valor de 111 especifica una explosión
fila completa. La explosión continuará hasta que se interrumpan. Full
estallidos de fila sólo se permite con el tipo de explosión secuencial.

13. Que es Dual channel?
Dual Channel es una tecnología para memorias aplicada en los
ordenadores personales que permite el incremento del rendimiento
gracias al acceso simultáneo a dos módulos distintos de memoria. Esto
se consigue mediante un segundo controlador de memoria en el
NorthBrigde (componente del chipset).
Las mejoras de rendimiento son particularmente perceptibles cuando
se trabaja con controladoras de video integradas a la placa base ya que
estas, al no contar con memoria propia, usan la memoria RAM o
memoria principal del sistema y, gracias a Dual Channel, pueden
acceder a un módulo mientras el sistema accede al otro.
Para que la computadora pueda funcionar en Dual Channel, se debe
tener dos módulos idénticos de memoria DDR o DDR2 (ya que no es
posible usarlo en SDR)en los zócalos correspondientes de la tarjeta
madre, y el chipset de la placa base debe soportar dicha tecnología.
Actualmente, es posible utilizar esta tecnologia en módulos de
memorias DDR y DDR2, cuyas velocidades esten entre DDR400 y
DDR2-800

14. El dual chanel no es mas que la "suma" de 2 memorias.... osea, obtenes el doble de ancho de
banda, que en el caso de Intel, esto es muy apreciado...
Generalmente las mothers vienen con 4 zokets, 2 separados entre si
Para dual-channel, hace falta un par de memorias de misma capacidad, misma velocidad y
miosmo fabricante.. osea, una copia exacta una de otra....
El micro puede trabajar con las dos memorias a la vez, ya que antes trabaja con una y despues
con otra. Por eso sera mas rapìdo el acceso de progrmas y otras aplicaciones a realizar.
Al trabajar con dual obtenes el doble de ancho de banda, accesos mas rapidos...
Al tener el doble de ancho de banda se obtiene una gran ayuda para cuando estas demandando
al micro, y este espera a que la info llege desde la ram....
Se nota mas la diferencia con la video onboard ya que esta trabaja con esta memoria y accede
mas rapido.
El maximo de ram que soporta una mother depende de cada una. La ASUS A7N8X Deluxe que
tiene tres banco de memoria y soporta por supuesto 3 gb de ram
PC3200/PC2700/PC2100/PC1600 non-ECC DDR RAM Memory.
Luego hacen referencia a la utilización de módulos de ram:
4x256 o 2x512 o 1x1gb
Con las 4x256 tenemos 2 dual channels.
Con la 2x512 tenemos 1 dual channel.
Con la 1x1gb tenemos un slot de memoria.
Algunos indican que la temperatura se elevará con más memorias que con menos. pero la suba
de temperatura no es tan exagerada.