UNIVERSIDAD TECNICA DE COTOPAXI
UNIDAD ACADEMICA CIYA
ING. ELECTROMECANICA
Nombre:
Jairo Chicaisa
Ciclo:
Cuarto
Tema:
Racetrack Memory
 Que es ….
 Es un dispositivo experimental de memoria no volátil
en desarrollo en el Almaden Research Center de IBM
por un equipo conducido por Stuart Parkin
 A principios de 2008 una versión de 3 bits fue
demostrada exitosamente.
 Parte fisca
 La versión del racetrack de IBM usa corriente eléctrica de spin
coherente para mover los dominios magnéticos a lo largo de un
alambre nanoscópico en forma de "U".
 A medida que la corriente está pasando a través del alambre, los
dominios se mueven sobre las cabezas de lectura/escritura magnéticas
posicionadas en el fondo de la "U", que altera los dominios para
registrar patrones de bits
Comparación con la memoria Flash
 La densidad teórica de la memoria racetrack es mucho más alta
que la de dispositivos comparables tales como la Flash RAM.
 Los dispositivos de Flash ya son construidos en las fabs más
recientes de 45nm, y hay problemas que sugieren que reducir la
escala a 30 nm pueda ser un límite fundamental más bajo.
 La Racetrack no es mucho más pequeña, los alambres son de
cerca de 5 a 10 nm a lo largo, pero arreglándolos verticalmente,
los dispositivos llegan a ser tridimensionales, ganando densidad.
 La memoria Flash es un dispositivo asimétrico,
relativamente lenta para escribir, hasta 1.000 veces más
lenta que los tiempos de lectura
 Los dispositivos de memoria Flash usan una variedad
de técnicas para, si fuera posible, evitar escribir a la
misma celda, pero esto solo limita el problema, no lo
elimina
 Dificultades del desarrollo
 Una limitación de los dispositivos experimentales tempranos fue que
los dominios magnéticos solo se podrían empujar lentamente a través
de los alambres, requiriendo pulsos de corriente en el orden de
microsegundos para moverlos con éxito
 La investigación reciente en la universidad de Hamburgo ha seguido la
pista a este problema y encontró que es debido a imperfecciones
microscópicas en la estructura cristalina de los alambres que conduce a
que los dominios "se peguen" en estas imperfecciones
 su investigación encontró que las paredes del dominio serían movidas
por pulsos tan cortos como algunos nanosegundos cuando estas
imperfecciones estaban ausentes

Racetrackmemory

  • 1.
    UNIVERSIDAD TECNICA DECOTOPAXI UNIDAD ACADEMICA CIYA ING. ELECTROMECANICA Nombre: Jairo Chicaisa Ciclo: Cuarto Tema: Racetrack Memory
  • 2.
     Que es….  Es un dispositivo experimental de memoria no volátil en desarrollo en el Almaden Research Center de IBM por un equipo conducido por Stuart Parkin  A principios de 2008 una versión de 3 bits fue demostrada exitosamente.
  • 3.
     Parte fisca La versión del racetrack de IBM usa corriente eléctrica de spin coherente para mover los dominios magnéticos a lo largo de un alambre nanoscópico en forma de "U".  A medida que la corriente está pasando a través del alambre, los dominios se mueven sobre las cabezas de lectura/escritura magnéticas posicionadas en el fondo de la "U", que altera los dominios para registrar patrones de bits
  • 4.
    Comparación con lamemoria Flash  La densidad teórica de la memoria racetrack es mucho más alta que la de dispositivos comparables tales como la Flash RAM.  Los dispositivos de Flash ya son construidos en las fabs más recientes de 45nm, y hay problemas que sugieren que reducir la escala a 30 nm pueda ser un límite fundamental más bajo.  La Racetrack no es mucho más pequeña, los alambres son de cerca de 5 a 10 nm a lo largo, pero arreglándolos verticalmente, los dispositivos llegan a ser tridimensionales, ganando densidad.
  • 5.
     La memoriaFlash es un dispositivo asimétrico, relativamente lenta para escribir, hasta 1.000 veces más lenta que los tiempos de lectura  Los dispositivos de memoria Flash usan una variedad de técnicas para, si fuera posible, evitar escribir a la misma celda, pero esto solo limita el problema, no lo elimina
  • 6.
     Dificultades deldesarrollo  Una limitación de los dispositivos experimentales tempranos fue que los dominios magnéticos solo se podrían empujar lentamente a través de los alambres, requiriendo pulsos de corriente en el orden de microsegundos para moverlos con éxito  La investigación reciente en la universidad de Hamburgo ha seguido la pista a este problema y encontró que es debido a imperfecciones microscópicas en la estructura cristalina de los alambres que conduce a que los dominios "se peguen" en estas imperfecciones  su investigación encontró que las paredes del dominio serían movidas por pulsos tan cortos como algunos nanosegundos cuando estas imperfecciones estaban ausentes