La memoria flash permite la lectura y escritura múltiple y almacena datos mediante electrones en celdas. Existen varios formatos como MicroSD y Secure Digital. La SRAM mantiene los datos al encenderse y es más rápida que la DRAM, usada como memoria principal. La DRAM requiere refresco periódico para mantener los datos almacenados en condensadores acoplados a transistores.

1. Jimmy Torres
Juan Morales
11.G

2. Memoria flash
 Permite la lectura y escritura de múltiples
posiciones de memoria en la misma
operación. Gracias a ello, la tecnología flash,
siempre mediante impulsos eléctricos
 Contiene una matriz de celdas con
un transistor evolucionado con dos puertas en
cada intersección. Tradicionalmente sólo
almacenan un bit de información. Las nuevas
memorias flash, llamadas también dispositivos
de celdas multi-nivel, pueden almacenar más
de un bit por celda variando el número de
electrones que almacenan.

3. Capacidades

4. Formatos
 * CompactFlash (CF) I y II
* Memory Stick (MS)
* MicroSD
* MiniSD
* Multi Media Card (MMC)
* Secure Digital (SD)
* SmartMedia Card (SM/SMC)
* xD-Picture Card.

5. Memoria estática de acceso
aleatorio (SRAM)
 Es un tipo de memoria basada en
semiconductores que a diferencia de la
memoria DRAM, es capaz de mantener
los datos, mientras esté alimentada, sin
necesidad de circuito de refresco.
 Sin embargo, sí son memorias volátiles,
es decir que pierden la información si se
les interrumpe la alimentación eléctrica.

6. Características
 La memoria SRAM es más cara, pero más
rápida y con un menor consumo
(especialmente en reposo) que la
memoria DRAM.
 Es utilizada, por tanto, cuando es necesario
disponer de un menor tiempo de acceso, o un
consumo reducido, o ambos.
 Debido a su compleja estructura interna, es
menos densa que DRAM, y por lo tanto no es
utilizada cuando es necesaria una alta
capacidad de datos, como por ejemplo en la
memoria principal de los computadores
personales.

8. DRAM
 Es un tipo de memoria dinámica de acceso
aleatorio que se usa principalmente en los módulos
de memoria RAM y en otros dispositivos,
como memoria principal del sistema.
 Se denomina dinámica, ya que para mantener
almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y
recargarlo, cada cierto período, en un ciclo
de refresco.
 Su principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y
que todavía funcionen a una velocidad alta: en la
actualidad se fabrican integrados con millones de
posiciones y velocidades de acceso medidos en
millones de bit por segundo.

9. Funcionamiento
 La celda de memoria es la unidad básica de
cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en
los sistemas digitales.
 La construcción de la celda define el funcionamiento
de la misma, en el caso de la DRAM moderna,
consiste en un transistor de efecto de campo y
un condensador.
 El principio de funcionamiento básico, es sencillo:
una carga se almacena en el condensador
significando un 1 y sin carga un 0. El transistor
funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede
implementarse con dispositivos discretos y de hecho
muchas memorias anteriores a la época de los
semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.

11. Memoria de acceso aleatorio
 Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema
operativo, los programas y la mayoría del software.
 Es allí donde se cargan todas las instrucciones que
ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo.
 Se denominan «de acceso aleatorio» porque se
puede leer o escribir en una posición de memoria
con un tiempo de espera igual para cualquier
posición, no siendo necesario seguir un orden para
acceder a la información de la manera más rápida
posible.
 Durante el encendido del computador, la
rutina POST verifica que los módulos de memoria
RAM estén conectados de manera correcta.

12. Tecnología de la memoria
 72-pin SO-DIMM (no el mismo que un 72-pin SIMM),
usados por FPM DRAM y EDO DRAM
 100-pin DIMM, usados por printer SDRAM
 144-pin SO-DIMM, usados por SDR SDRAM
 168-pin DIMM, usados por SDR SDRAM (menos
frecuente para FPM/EDO DRAM en áreas de trabajo y/o
servidores)
 172-pin MicroDIMM, usados por DDR SDRAM
 184-pin DIMM, usados por DDR SDRAM
 200-pin SO-DIMM, usados por DDR SDRAM
y DDR2 SDRAM
 204-pin SO-DIMM, usados por DDR3 SDRAM
 240-pin DIMM, usados por DDR2
SDRAM, DDR3 SDRAM y FB-DIMM DRAM
 244-pin MiniDIMM, usados por DDR2 SDRAM

14. Memoria de solo lectura
 Es un medio de almacenamiento utilizado en
ordenadores y dispositivos electrónicos, que
permite sólo la lectura de la información y no su
escritura, independientemente de la presencia o
no de una fuente de energía.
 Los datos almacenados en la ROM no se pueden
modificar, o al menos no de manera rápida o fácil.
Se utiliza principalmente para contener el
firmware (programa que está estrechamente
ligado a hardware específico, y es poco probable
que requiera actualizaciones frecuentes) u otro
contenido vital para el funcionamiento del
dispositivo, como los programas que ponen en
marcha el ordenador y realizan los diagnósticos.

15. Velocidad
 Aunque la relación relativa entre las
velocidades de las memorias RAM y
ROM ha ido variando con el tiempo,
desde el año 2007 la RAM es más
rápida para la lectura que la mayoría de
las ROM, razón por la cual el contenido
ROM se suele traspasar normalmente a
la memoria RAM, desde donde es leída
cuando se utiliza.