El TT-RAM, o 'twin transistor random access memory', es un tipo nuevo de memoria desarrollado por Renesas que utiliza dos transistores en lugar de un condensador y un transistor, como en las DRAM. Esta arquitectura elimina la necesidad de actualización periódica, solucionando problemas de pérdida de información. La estructura interna de las celdas de memoria TT-RAM incluye transistores conectados en una capa de SOI.

1. SISTEMAS DIGITALES
T RAM
NOMBRE: FABRICIO GUZMAN
CARRERA: 4 ING. ELECTROMECANICA «A»
FECHA: 04/02/2015

2. TT RAM
 El TT-RAM es sinónimo de "Twin Transistor RAM" o "Twin
Transistor Random Access Memory" (memoria de acceso
aleatorio doble transistor) es un nuevo tipo de memoria de
la computadora en el desarrollo de Renesas.
 El TT-RAM son conceptualmente similares a las DRAM,
pero, a diferencia de este último, que se caracteriza por el
uso de un condensador y un transistor para cada celda de
memoria, el TT-RAM se distinguen por el uso de dos
transistores, con la ventaja de eliminar el condensador y los
problemas que ello conlleva, como la actualización
periódica necesaria para evitar la pérdida de información.

3. COMPOSICION DE LA TT RAM
 En el interior de las células de memoria TT-RAM, los
dos transistores conectados entre sí se colocan en una
capa de SOI.
 TT-RAM con una señal de lectura de la celda de
memoria se ve como una diferencia en la corriente de
trabajo del transistor.

4. T T RAM

5. CIRCUITO DE UNA TT RAM

6. T T RAM