La memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM) es un tipo de memoria no volátil en desarrollo que funciona formando y rompiendo filamentos conductores en un material dieléctrico mediante la aplicación de voltajes. Tiene un tiempo de conmutación más rápido que la memoria de cambio de fase y una estructura celular más simple que la memoria magnética de acceso aleatorio. ReRAM tiene el potencial de convertirse en la memoria no volátil preferida debido a sus bajos requisitos de voltaje y potencia. Sin

1. UNIVERSIDAD TECNICA DE
COTOPAXI
CIENCIAS DE LA INGENIERIA Y APLICADAS
INGENIERIA ELECTROMECANICA
NOMBRE: GUAMANGALLO SANTIAGO

2. RRAM
• Memoria de acceso aleatorio resistiva es un
tipo de memoria no volátil en desarrollo por
un número de diferentes empresas, algunos
de los cuales han patentado versiones de
ReRAM. La tecnología tiene algunas
similitudes con CBRAM y de cambio de fase de
la memoria.

3. MECANISMO
La idea básica es que un dieléctrico, que
normalmente es aislante, puede hacerse para llevar a
cabo a través de un filamento o camino de
conducción formada después de la aplicación de un
voltaje suficientemente alto. La formación de
trayectoria de conducción puede surgir de diferentes
mecanismos, incluyendo defectos, la migración de
metal, etc. Una vez que se forma el filamento, que se
puede restablecerpor una voltaje aplicado
apropiadamente. Los datos recientes sugieren que
muchos caminos actuales, en lugar de un solo
filamento, probablemente están involucrados

4. FUTURAS APLICACIONES
ReRAM tiene el potencial para convertirse en el favorito
entre otras memorias no volátiles. En comparación con la
PRAM, ReRAM opera a una escala de tiempo más rápido
(tiempo de conmutación puede ser inferior a 10 ns),
mientras que en comparación con la MRAM, que tiene una
estructura celular más pequeño más simple (menos de pila
8F² MIM). Hay un tipo de Vertical 1D1R (uno diodo, un
dispositivo de conmutación resistiva) de integración
utilizado para la estructura de memoria travesaño para
reducir el tamaño de celda unidad de a 4F² (F es la
dimensión característica). En comparación con la memoria
flash y la memoria de circuito, una de tensión inferior es
suficiente y por lo tanto se puede utilizar en aplicaciones
de baja potencia.

5. DESVENTAJAS
• Una desventaja de la solución inicial de CRS es el alto
requerimiento de resistencia causada por la lectura
destructiva convencional basado en las mediciones de
corriente de conmutación. Un nuevo enfoque para una
lectura no destructiva basada en la medición de la
capacidad potencialmente reduce los requisitos tanto de
resistencia material y el consumo de energía. Estructura bi-
capa se utiliza para producir la no linealidad en LRS para
evitar el problema del camino chivato. Capa individual
dispositivo que muestra una fuerte conducción no lineal en
la LRS se ha informado recientemente. Otra estructura de
dos capas se introduce para ReRAM bipolar para mejorar el
HRS y la estabilidad del rendimiento de resistencia de la
memoria.

6. GRACIAS