La tecnología CMOS es una de las principales tecnologías de circuitos integrados digitales y es la dominante en este ámbito, por su baja disipación de potencia, por su mayor nivel de integración y por la alta impedancia que se presenta a la entrada. Para el análisis de un circuito most es importante considerar todos los parámetros propuestos, los cálculos se pueden comprobar con TopSPICE, haciendo una pequeña simulación del mismo circuito.

1. BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA
Diseño de Circuitos Integrados
Practica 1
Comportamiento estático del inversor CMOS
Profesor:
Santiago R.
EQUIPO
Andrea
Puebla,Puebla,23 de Febrero del 2016

2. 1
1. Objetivos
Objetivo General:
Mediante el desarrollo de esta práctica se pretende
lograr los siguientes objetivos:
 Cumplir con las especificaciones.
Objetivo Particular:
 Relacionarnos con las dimensiones de un
transistor NMOS Y PMOS
 Analizar el circuito en DC y AC.
𝐼 𝐷 = 𝐾 𝑛
𝑊
𝐿
(VGS− VTH)2
.
2. Desarrollo
La tecnologíaCMOS esunade las principalestecnologías
de circuitosintegradosdigitalesyesladominanteeneste
ámbito,porsu bajadisipaciónde potencia,porsumayor
nivel de integración y por la alta impedancia que se
presentaalaentrada. Parael análisisde uncircuitomost
es importante considerar todos los parámetros
propuestos, los cálculos se pueden comprobar con
TopSPICE, haciendo una pequeña simulación del mismo
circuito.
I. Las características que trataron de cumplirse
fueron las siguientes:
A. Las dimensiones de los transistores deben
ser las mínimas que la tecnología AMS de
.35um pueda permitir.
B. Además, el dimensionamiento de los
transistores deber ser tal que el voltaje del
umbral de conmutación de inversor seaigual
o cercano a 𝑉𝑀 =
𝑉 𝐷𝐷
2
.
C. Voltaje de alimentación 𝑉𝐷𝐷 = 3.3 𝑉
Tenemos que nuestro circuito está constituido por
un par de transistores, NMOS Y PMOS. Las
dimensiones mínimas del NMOS que se manejan en
esta técnica son de W=.4um y L=.35um.
Existen, técnicas para obtener los parámetros en
este caso ocupamos la relación de tamaño entre
transistores:
(
𝑊𝑃
𝐿 𝑃
) = 3(
𝑊𝑛
𝐿 𝑛
)
Desarrollando la ecuación se obtiene:
𝑊𝑃 = 1.2𝑢m
𝐿 𝑃 = .35𝑢𝑚
𝑊𝑛 = .4𝑢𝑚
𝐿 𝑛 = −35𝑚
Fig.1. Esquemadel inversorCMOS en TopSpice

3. 2
Con losdatos anterioresal obtenersurespuestaenDC,
tenemosque:
3. Conclusiones
Como se observa en esta práctica, actualmente
existen software, plataformas que nos son de gran
ayudapara el diseñode circuitosaunque parapoder
usarlo, como fue en este caso, se necesitó primero
del análisis en pequeñas señales del inversor CMOS
para que con las formulas aprendidas durante el
curso, fuese más fácil obtener las dimensiones del
transistor tipo P y del transistor tipo N.