2. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Basados en su estado puro de una estructura tetraédrica mediante enlaces
covalentes. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de
conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia .
3. CONDUCTIVIDAD SEMICONDUCTOR
La conductividad se produce entonces por:
**Movilidad del electrón libre - De ser
proporcionada la energía suficiente, un electrón
de la banda de valencia, específicamente
ubicado en un par electrónico del enlace
covalente, podrá superar a apertura de energía E
y quedar libre.
**Movilidad del hueco positivo (por un
mecanismo de vacancias electrónicas) - Por
huecos positivos en un semiconductor puro, bajo
la acción de un campo eléctrico.
4. FUNCIÓN DE DISTRIBUCIÓN DE FERMI- DIRAC
Los electrones son fermiones, i. e.,
partículas que cumplen el principio de
exclusión de Pauli. Así, vendrán
gobernados por la estadística de Fermi:
f(E) es la probabilidad que un estado
de energía E esté ocupado, EF es el
nivel de Fermi, k es la constante de
Boltzmann y T es la temperatura
absoluta.
5. SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS -DOPADOS
Los semiconductores extrínsecos se caracterizan, porque tienen un pequeño
porcentaje de impurezas, respecto a los intrínsecos; esto es, posee elementos
trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento está
dopado.
6. SEMICONDUCTORES DOPADOS
Dependiendo de si está dopado de elementos trivalentes, o pentavalentes,
se diferencian dos tipos:
*Semiconductor Tipo N
*Semiconductor Tipo P
7. SEMICONDUCTOR TIPO N
Son los que están dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P,
Sb). Sus cinco electrones en la última capa, lo que hace que al formarse la
estructura cristalina, un electrón quede fuera de ningún enlace covalente,
quedándose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la
temperatura, además de la formación de los pares e-h, se liberan los electrones
que no se han unido.
9. SEMICONDUCTOR TIPO P
Son los que están dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de
ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una
vacante con un nivel energético ligeramente superior al de la banda de
valencia, pues no existe el cuarto electrón que lo rellenaría.