1. SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO E
EXTRÍNSECO

2.  UNIVERSIDAD TELESUP
 ALUMNA: EDITH CURI FERNANDEZ
 CARRERA INGENIERIA DE SISTEMAS

3. BANDAS DE ENERGIA DE
SEMICONDUCTORES
Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras son
elementos simples como el silicio(Si) y el germanio(Ge)
 Cuando los átomos están aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones) y el
orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrán una cierta energía
Es y Ep respectivamente (punto A).
 Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son:
 Banda de Valencia: 4 estados, con 4 electrones.
 Banda Prohibida: No puede haber electrones con esos valores de energía en el
cristal.
 Banda de Conducción: 4 estados, sin electrones.

4. COMPORTAMIENTO INTERMEDIO ENTRE LOS
CONDUCTORES( COMO EL COBRE) Y LOS AISLANTES
(COMO LA MADERA Y LOS PLÁSTICOS)
DEPENDIENDO DEL CAMPO ELÉCTRICO EN EL QUE
SE ENCUENTRE
SEMICONDUCTO
R

5. CONDICIÓN DE UN
SEMICONDUCTORLos portadores de carga, tanto los electrones en banda de conducción como los huecos en la banda de valencia
pueden participar en los procesos de conducción.
El campo electrónico puede ser generado por la diferencia de potencial de una batería.

6. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Es un semiconductor puro, no contiene
ninguna impureza, cuando se le aplica
una tensión externa los electrones libres
fluyen hacia el terminal positivo de la
batería y los huecos hacia el terminal
negativo de la batería.

7. Un semiconductor se calienta los electrones
de valencia ganan energía de la red y pasan a
la banda de conducción, dejando estados vacantes
o huecos en la banda de valencia

8. LA CONDUCTIVIDAD
El estado vacante de un electrón puede considerarse como un hueco positivo, el cual tiene movilidad, contrario al
movimiento de los electrones

9. CONCENTRACIÓN DE CARGA
Un semiconductor que se encuentra en equilibrio térmico existe un proceso
continuo de alteración de electrones desde la banda de valencia a la
conducción.
La concentración de electrones en la banda de conducción Ne es igual ala de
los huecos en La banda de valencia Nh es decir Ne= Nh

10. SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO
 Es aquel que se puede dopar para tener un exceso de electrones
libres o un exceso de huecos.
 Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura
cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio. Hoy en día
se han logrado añadir impurezas de una parte por cada 10 millones,
logrando con ello una modificación del material.

11. Son los que están dopados, que poseen cinco electrones en la última capa, lo que hace que se forme la
estructura cristalina, un electrón quede fuera de ningún enlace covalente, quedándose en un nivel superior al
de los otros cuatro.
Como consecuencia de la temperatura, además de la formación de los pares e-h, se liberan los electrones
que no se han unido. Como ahora en el semiconductor existe un mayor número de electrones que de huecos,
se dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las impurezas se las llama donadoras.
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N

12. En este caso son los que están dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser
trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un
nivel energético ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto
electrón que lo rellenaría. Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad,
dejando huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios

13. LA ENERGÍA DE FERMI EN LOS
SEMICONDUCTORES
EXTRÍNSECOSPara los semiconductores tipo N, la energía de Fermi se ubica muy cerca de la banda de conducción, de acuerdo a
la distribución de Fermi-Dac, significa que existe una mayor probabilidad de encontrar electrones en la banda de
conducción que huecos en la banda de valencia

14. Diferencia entre un semiconductor Intrínseco e
Extrínseco
Semiconductores intrínsecos: un
semiconductor intrínseco es un semiconductor
puro, cuando se le aplica una tensión externa
semiconductor extrínseco: es aquel que se
puede dopar parta tener un exceso de electrones
libres o un exceso de huecos.

15. DIFUSIÓN DE HUECOS Y ELECTRONES

16. BIBLIOGRAFÍA
 http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronica-general/teoria/tema1
 http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm
 http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925813.html
 http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
 http://es.answers.yahoo.com/question/index?qid=20080718153722AAHFDSj