Este documento describe los semiconductores intrínsecos y dopados. Los semiconductores intrínsecos son elementos puros como el silicio que se comportan como aislantes o conductores dependiendo de factores externos. Los semiconductores dopados tienen pequeñas cantidades de impurezas que donan o aceptan electrones, creando un exceso de electrones libres (tipo N) o huecos (tipo P) que mejoran la conducción. El dopaje leve usa uno átomo dopante por cada 10,000-100,000 átomos del semiconductor, mientras que el dopaje pes

1. SEMICONDUCTORES

2. • SEMICONDUCTORES Ingresa a los siguientes links, descarga la
información relacionada con los semiconductores. a) Infórmate 1 b)
Infórmate 2 Realiza una presentación en Power Point sobre los
semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopados, como
máximo 16 diapositivas. publica tu presentación en:
www.slideshare.net Envía la dirección de tu publicación a tu
profesor. Importante: En tus presentaciones, haz referencia a la
fuente de información de donde has obtenido las imágenes. Esto
demostrará que has realizado una buena investigación.

4. ¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR? Es un elemento que se comporta
como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores ,
como por Ejem: el campo eléctrico o magnético , la presión ,la
radicación que le incide ,o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre .los elementos químicos semiconductores de la tabla
periódica se indican en la tabla adjunta. El elemento mas usado es el
silicio ,el segundo el germanio .posteriormente se ha comenzado a
emplear también el azufre .la características común a todos ellos es
que son tetralentes ,teniendo el silicio una configuración electrónica s2
p2.

6. ¿Qué es un semiconductor intrínseco? Cuando se encuentra en estado
,puro ósea , que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo
dentro de su estructura . En ese caso , la calidad de huecos que dejan
los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida
sea igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes
en la banda de conclusión

8. Semiconductores intrínsecos : Como se puede observar en la
induración , en el caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho mas estrecho en
comparación con los materiales aislantes . La energía de salto de banda
(Eg)requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la
de conducción es de 1eV aproximadamente .en los semiconductores de
silicio (SI),la energía de salto de banda requerida por los electrones es
de 1,21 eV, mientras que en los de germanio(Ge)es de 0,785eV

10. Semiconductor intrínsecos: Estructura cristalina de u semiconductor
intrínseco compuesta solamente por átomos de silicio (si) que forman
una celosía ,como se puede observar en la ilustración ,los átomos de
silicio (que solo poseen cuatro electrones en la ultima orbita o banda
de valencia ), se unen formando enlaces covalentes para completar 8
electrones y crear así un cuerpo solido semiconductor .en esos
condiciones el cristal de silicio se comportara igual que si fuera un
cuerpo aislante

12. Semiconductores dopados: El numero de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña cuando se agregan un pequeño numero de
átomos )entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se agregan mucho mas átomos (en el orden de 1
cada 10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado .este dopado pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P + para material de tipo P. Tipo N: se llama material tipo N que posee
átomos de impureza que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos .los átomos de
este tipo se llaman donantes ya que «donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el arsénico y
el fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al
semiconductor original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo que los primeros serán los
portadores mayoritarias y los últimos los minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será funciones
directa de la calidad de átomos de impureza introducidos

15. Semiconductores dopados : Tipo P: Se llama así al material que tiene
átomos de impureza que permiten formación de huecos sin que
aparescan electrones asociados a los mismos , como ocurre al
romperse una ligadura . Los átomos de este tipo se llaman aceptores ,
ya que «aceptan «o toman un electrón . Suelen ser de valencia tres
,como el aluminio ,el indio o el galio .nuevamente .el átomo
introduciendo es neutro ,por lo que no modificara la neutralidad
eléctrica del cristal pero debido a que solo tiene 3 electrones en su
ultima capa de valencia , a parecerá una ligadura rota. que tendera a
tomar electrones s de los átomos próximos ,generando finalmente mas
huecos que electrones , por lo que los primeros serán los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios

16. Semiconductores dopado: Es un ejemplo de dopaje de silicio por el
fosforo (dopaje N). En el caso del fosforó ,se dona un electrón