DIODO 
Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca información de la ficha 
técnica de cinco diodos diferentes. Elabora una presentación en power point donde muestres la característica 
de cada diodo. 
Algunas páginas que puedes visitar: 
http://www.circuitosimpresos.org/2008/06/02/diodos/ 
http://www.microelectronicash.com/ 
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp 
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335 
Publica tu presentación en: 
www.slideshare.net 
Luego, envía la dirección de tu publicación a tu tutor.
Universidad Privada Telesup 
Tipos de Diodos 
Alumno : Miguel Angel Castillo Flores 
Ciclo : IV 
Curso : Física Electrónica 
Profesor : Condori Zamora Kelly
• Diodo avalancha 
Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseñado 
especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco 
dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de 
la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de 
conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo 
eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al 
colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se 
aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos 
también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es 
incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas 
incremento de la tensión.
• La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos 
contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que 
mientras la tensión se mantenga por debajo de la tensión de ruptura sólo será 
atravesado por la corriente inversa de saturación, muy pequeña, por lo que la 
interferencia con el resto del circuito será mínima; a efectos prácticos, es como 
si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por encima del 
valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente 
a tierra evitando daños en los componentes del circuito. También son usados 
como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como generadores de 
ruido blanco. 
• Eléctricamente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro 
fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo eléctrico inverso 
que atraviesa la unión p-n produce una onda de ionización, similar a una 
avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha están diseñados 
para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia 
entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de 
aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero 
excede la "libre asociación" de los electrones, por lo que se producen colisiones 
entre ellos en el camino. La única diferencia práctica es que los dos tienen 
coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.
A continuación algunos datos del diodo 
Zener: 
Los diodos Zener tienen un voltaje de 
avalancha menor a 100v y se pueden 
trabajar haciéndolos conducir en esa 
condición hasta cierto valor límite de 
corriente. Un diodo se puede asimilar a 
una válvula de flujo unidireccional 
(flapper o cheque), con una diferencia de 
presión positiva se abre y deja pasar 
flujo, con una diferencia de presión 
negativa se cierra y el flujo es cero. 
La gráfica muestra la variación de 
la corriente en función del voltaje 
aplicado al diodo indicando el 
comportamiento tanto en 
polarización directa como en 
inversa.
Caracterización del Zener 
• 1. Tensión Zener Vz. 
• 2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: ±5%) 
• 3. Máxima corriente Zener en polarización inversa 
Iz. 
• 4. Máxima potencia disipada. 
• 5. Máxima temperatura de operación del zener. 
• 
• Su principal aplicación es como regulador de 
tensión; es decir, como circuito que mantiene la 
tensión de salida casi constante, 
independientemente de las variaciones que se 
presenten en la línea de entrada o del consumo 
de corriente de las cargas conectadas en la salida 
del circuito. 
El símbolo del diodo zener es:
Diodo túnel 
• El Diodo túnel es un diodo semiconductor 
que tiene una unión pn, en la cual se 
produce el efecto túnel que da origen a una 
conductancia diferencial negativa en un 
cierto intervalo de la característica corriente-tensión. 
• Poseen una región de juntura 
extremadamente delgada que permite a los 
portadores cruzar con muy bajos voltajes de 
polarización directa y tienen una resistencia 
negativa, esto es, la corriente disminuye a 
medida que aumenta el voltaje aplicado 
En la figura podemos observar la curva característica del diodo túnel, en la cual nos podemos dar cuenta de sus 
cualidades. En lo que respecta a la corriente en sentido inverso se comporta como un diodo corriente, pero en el 
sentido directo ofrece unas
variantes según la tensión que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy 
poco valor de tensión hasta llegar a la cresta C desde donde, al recibir mayor tensión, se produce una pérdida de 
intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensión. 
En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Debido a la 
alta concentración de carga, los diodos túnel son muy rápidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos 
magnéticos de gran magnitud y en entornos con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes 
espaciales 
El símbolo de este diodo es el siguiente:
Diodo Guun 
• El diodo Gunn está basado en el descubrimiento de que materiales semiconductores 
como el Arseniuro de Galio al ser excitados con una tensión continua, genera 
frecuencias en el espectro de las microondas, todo esto con la particularidad de no 
usar contacto óhmicos. Este tipo de diodo es similar al diodo tunnel ya que también 
entra en los semiconductores osciladores de “resistencia negativa”. 
• Se trata de un generador de microondas (no un rectificador), formado por un 
semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica 
entre ánodo y cátodo una tensión continua (mayor a 3.3 V/cm), de modo que el ánodo 
sea positivo con respecto al cátodo, la corriente que circula por el diodo es continua, 
pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados 
para inducir oscilaciones en una cavidad resonante (con la cual alcanza oscilaciones de 
muy alta frecuencia en el rango comprendido entre los 5 y 140GHz). 
• En la curva característica de la imagen podemos observar que El diodo Gunn a 
diferencia del diodo túnel, mantiene un ciclo gracias a la continuidad de los impulsos 
de hiperfrecuencia del material y la cavidad resonante que produce las oscilaciones.
A continuación el símbolo y estructura de un diodo gunn.
Diodo Laser 
• El diodo láser es un dispositivo semiconductor 
similar a los diodos LED pero que bajo las 
condiciones adecuadas emite luz láser. La palabra 
LASER proviene de las siglas en inglés: Light 
Amplification by Stimulated Emission of Radiation 
que significa: Amplificación de luz por Emisión 
estimulada de radiación. 
• Lo anterior se refiere a un extraño proceso 
cuántico, donde la luz característica emitida por 
electrones cuando pasan de un estado de alta 
energía a un estado de menor energía, estimulan 
a otros electrones para crear "saltos" similares. El 
resultado es una luz sincronizada que sale del 
material.Otra característica importante es que la 
luz emitida no sólo tiene la misma frecuencia 
(color), sino también la misma fase (también está 
sincronizada). Este es el motivo por el cual luz 
láser se mantiene enfocado aún a grandes 
distancias. 
• Básicamente este diodo se encuentra construido por 
una unión pn de dos capas de arsénico de galo dopado. 
La longitud de la unión pn guarda una relación precisa 
con la longitud de onda de la luz a emitir. En un extremo 
de la unión existe una superficie altamente reflectora. 
Las puntas externas son las conexiones al ánodo y al 
cátodo.
• Los Diodos láser, emiten luz por el principio de emisión 
estimulada, la cual surge cuando un fotón induce a un 
electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar 
al estado de reposo, este proceso está acompañado con 
la emisión de un fotón, con la misma frecuencia y fase 
del fotón estimulante. Para que el numero de fotones 
estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma 
espontánea, para que se compensen las perdidas, y para 
que se incremente la pureza espectral, es necesario por 
un lado tener una fuerte inversión de portadores, la que 
se logra con una polarización directa de la unión, y por 
el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener 
una trayectoria de retroalimentación positiva facilitando 
que se emitan mas fotones de forma estimulada y se 
seleccione ciertas longitudes de onda haciendo más 
angosto al espectro emitido. 
• Los diodos LASER tienen una gran cantidad de 
aplicaciones, por ejemplo para la lectura y escritura de 
discos ópticos, donde sólo un rayo de luz muy angosto 
puede ver un área 
• microscópica en la superficie de un disco. Otras 
aplicaciones son: Comunicaciones de datos por fibra 
óptica, Interconexiones ópticas entre circuitos 
integrados, Impresoras láser, Escáneres o 
digitalizadores, Punteros láser, Sensores, Armas láser 
entre muchos otros. 
• En la actualidad se han descubierto muchas formas de 
aplicar estos diodos laser en nuevas tecnologías, aquí 
algunos ejemplos: 
• En el siglo XXI, científicos de la Universidad de St. 
Andrews crean un láser que puede manipular objetos 
muy pequeños. Al mismo tiempo, científicos japoneses 
crean objetos del tamaño de un glóbulo rojo utilizando 
el láser. En 2002, científicos australianos 
"teletransportan" con éxito un haz de luz láser de un 
lugar a otro. Dos años después el escáner láser permite 
al Museo Británico efectuar exhibiciones virtuales. En 
2006, científicos de la compañía Intel descubren la 
forma de trabajar con un chip láser hecho con silicio 
abriendo las puertas para el desarrollo de redes de 
comunicaciones mucho más rápidas y eficientes.
• En esta figura se muestra un 
ejemplo de la potencia emitida 
por un diodo láser en función 
de la corriente aplicada. El 
umbral de corriente viene 
determinado por la intersección 
de la tangente de la curva con el 
eje X que indica la corriente. 
Cuando el umbral de corriente 
es bajo, se disipa menos energía 
en forma de calor, con lo que la 
eficiencia del láser aumenta
Aquí se muestra el símbolo del diodo laser:
Foto Diodo 
• Un fotodiodo es un semiconductor construido con 
una unión PN, sensible a la incidencia de la luz 
visible o infrarroja. Este diodo se parece mucho a 
un diodo semiconductor común, pero tiene una 
característica que lo hace muy especial: es un 
dispositivo que conduce una cantidad de corriente 
eléctrica proporcional a la cantidad de luz que lo 
incide (lo ilumina). 
• Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. 
Cuando una luz de suficiente energía llega al diodo, 
excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco 
con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de 
agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión 
de él, estos portadores son retirados de la unión por el 
campo de la zona de agotamiento, produciendo una 
fotocorriente. 
• Los diodos tienen un sentido normal de circulación de 
corriente, que se llama polarización directa. En ese 
sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y 
prácticamente no lo permite en el inverso. En el 
fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la 
luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por 
la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el 
fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá 
un aumento de la circulación de corriente cuando el 
diodo es excitado por la luz.
• Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama polarización 
directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite 
en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula 
en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el 
fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de 
corriente cuando el diodo es excitado por la luz. 
• 
• El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus 
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de 
hasta 1μm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 μm ); o de cualquier 
otro material semiconductor. 
• También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos 
medios (longitud de onda entre 5 y 20 μm), pero estos requieren refrigeración por nitrógeno 
líquido. 
• La investigación a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el 
desarrollo de células solares económicas, miniaturización y mejora de los sensores CCD y CMOS, 
así como de fotodiodos más rápidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra 
óptica. 
• Desde 2005 existen también semiconductores orgánicos. La empresa NANOIDENT Technologies 
fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgánico, basado en fotodiodos 
orgánicos.
• Se comercializan fotodiodos con 
amplificadores, compensación de 
temperatura y estabilización en algunos 
chips. 
• Los fotodiodos se emplean no solo en 
comunicaciones ópticas y fotómetros, 
sino también para control de iluminación 
y brillo, control remoto por infrarrojos, 
monitorización de llamas de gas y de 
petróleo (radiación ultravioleta centrada 
en la banda de 310 nm), enfoque 
automático y control de exposición en 
cámaras. Combinados con una fuente de 
luz, se emplean en codificadores de 
posición, medidas de distancia, espesor, 
transparencia y posición, como 
detectores de proximidad y de 
presencia. Los sensores de color se 
emplean para inspección y control de 
calidad. Las agrupaciones de sensores se 
aplican al reconocimiento de formas, 
manipulación de papeles (fotocopias), 
lectoras de tarjetas codificadas, etc. 
El símbolo del fotodiodo es:
Diodo Pin 
• Se llama diodo PIN a una estructura de tres 
capas, siendo la intermedia un 
semiconductor intrínseco, y las externas, una 
de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N 
que da nombre al diodo). 
• Al estar polarizado en inversa, el diodo PIN actúa con 
capacitancia constante. Con polarización en directa funciona 
como una resistencia variable. La resistencia directa de la región 
intrínseca decrece al crecer la corriente. 
• Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones 
y los huecos del material p son barridos. Un posterior aumento 
de la tensión inversa simplemente incrementa las distribuciones 
de tensiones P-I e I-N. Una variación típica de la capacidad 
podría ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variación de la 
polarización inversa. Los valores normales de CR varían desde 
0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. 
• Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, los huecos 
del material P se difunden en la región p, creando una capa P de 
baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones 
y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente 
iguales en la región i. En la condición de polarización directa la 
caída de tensión en la región i es muy pequeña. En consecuencia 
el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia 
modulada.
En la siguiente imagen se muestran las variaciones de diferentes 
parámetros del diodo PIN dentro de sus secciones 
En la figura a) se muestra la variación de la carga espacial (px), en la figura b) se muestra la 
variación del campo eléctrico (Ex) y en la figura c) se muestra la variación del potencial (Vx). 
Todos estos a lo largo de un diodo p-i-n en equilibrio, es decir, sin tensión aplicada.
En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador 
de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le puede presentar 
como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. También se le 
puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. 
• El símbolo de este diodo es:
Diodo Schottky 
• El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en 
honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo 
semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas 
entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns 
en dispositivos 
• pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral 
(también conocidas como tensiones de codo).Operan a muy 
altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos 
de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el 
nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de 
portadores calientes. 
• Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en 
contacto directo con un semiconductor. El metal se deposita 
generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad 
más grande de los portadores en este tipo de material. La parte 
metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo. 
• En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de 
valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran hacía 
el metal, creando una región de transición en la ensambladura. 
• La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir 
la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima 
soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V. 
• En la figura se muestra la construcción física 
y el símbolo de un diodo schottky. 
Los diodos Schottky se emplean ampliamente en 
la protección de las descargas de las celdas 
solares en instalaciones provistas de baterías de 
plomo-ácido, así como en mezcladores de 
frecuencias entre 10 MHz y 1000 GHz instalados 
en equipos de telecomunicaciones.
A continuación se muestra la curva característica del diodo en 
comparación de los diodos de operación común: 
• En conclusión nos podemos dar cuenta que el 
diodo Schottky tiene un segmento muy especial 
dentro de la electrónica y sus aplicaciones y es 
específicamente el de trabajar a altas frecuencias 
de hasta 300MHz, eliminando picos de corriente y 
en conmutación altísima, con bajos niveles de 
tensión, umbral bajo y, debido a su construcción, 
tiempos de respuesta mucho más rápidos.
Bibliografia 
• Diodo avalancha: 
• http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp 
• http://www.uv.es/candid/docencia/ed_prac04.pdf 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener 
• http://ladelec.com/teoria/informacion-tecnica/320-el-diodo-zener 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_avalancha 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo 
• Diodo túnel 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_t%C3%BAnel 
• http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos.shtml 
• http://www.monografias.com/trabajos-pdf/diodos-aplicaciones/diodos-aplicaciones.pdf 
• http://html.rincondelvago.com/diodos_2.html 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo 
• Diodo gunn 
• http://electronics100diodos.blogspot.com/2009/02/diodos-de-aplicacion-especial.html 
• http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/clases-diodos.html 
• http://www.monografias.com/trabajos20/gunn-oscillator/gunn-oscillator.shtml 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Gunn 
• Diodo laser 
• http://www.seeic.org/articulo/laser/las-diodo.htm 
• http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser 
• http://www.unicrom.com/tut_diodo_laser.asp 
• http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodo-Laser.php 
• Foto diodo 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Fotodiodo 
• http://www.unicrom.com/Tut_fotodiodo.asp 
• http://www.info-ab.uclm.es/labelec/solar/otros/infrarrojos/fotodetectores.htm 
• Diodo PIN 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_PIN 
• http://www.mitecnologico.com/Main/DiodoPin 
• http://www.electronicafacil.net/tutoriales/tipos-de-diodos.php 
• http://www.lu1dma.com.ar/grupooeste/semiconductores.htm#diodo%20pin 
• Diodo schottky 
• http://www.monografias.com/trabajos-pdf2/diodo-schottky-barrera/diodo-schottky-barrera.pdf 
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Schottky 
• http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_6.htm

Tipos diodo

  • 1.
    DIODO Visita enel Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca información de la ficha técnica de cinco diodos diferentes. Elabora una presentación en power point donde muestres la característica de cada diodo. Algunas páginas que puedes visitar: http://www.circuitosimpresos.org/2008/06/02/diodos/ http://www.microelectronicash.com/ http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335 Publica tu presentación en: www.slideshare.net Luego, envía la dirección de tu publicación a tu tutor.
  • 2.
    Universidad Privada Telesup Tipos de Diodos Alumno : Miguel Angel Castillo Flores Ciclo : IV Curso : Física Electrónica Profesor : Condori Zamora Kelly
  • 3.
    • Diodo avalancha Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión.
  • 4.
    • La aplicacióntípica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que mientras la tensión se mantenga por debajo de la tensión de ruptura sólo será atravesado por la corriente inversa de saturación, muy pequeña, por lo que la interferencia con el resto del circuito será mínima; a efectos prácticos, es como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el exceso de corriente a tierra evitando daños en los componentes del circuito. También son usados como fuentes de ruido en los analizadores de antena y como generadores de ruido blanco. • Eléctricamente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n produce una onda de ionización, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos avalancha están diseñados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociación" de los electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La única diferencia práctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.
  • 5.
    A continuación algunosdatos del diodo Zener: Los diodos Zener tienen un voltaje de avalancha menor a 100v y se pueden trabajar haciéndolos conducir en esa condición hasta cierto valor límite de corriente. Un diodo se puede asimilar a una válvula de flujo unidireccional (flapper o cheque), con una diferencia de presión positiva se abre y deja pasar flujo, con una diferencia de presión negativa se cierra y el flujo es cero. La gráfica muestra la variación de la corriente en función del voltaje aplicado al diodo indicando el comportamiento tanto en polarización directa como en inversa.
  • 6.
    Caracterización del Zener • 1. Tensión Zener Vz. • 2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: ±5%) • 3. Máxima corriente Zener en polarización inversa Iz. • 4. Máxima potencia disipada. • 5. Máxima temperatura de operación del zener. • • Su principal aplicación es como regulador de tensión; es decir, como circuito que mantiene la tensión de salida casi constante, independientemente de las variaciones que se presenten en la línea de entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas en la salida del circuito. El símbolo del diodo zener es:
  • 7.
    Diodo túnel •El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. • Poseen una región de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarización directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado En la figura podemos observar la curva característica del diodo túnel, en la cual nos podemos dar cuenta de sus cualidades. En lo que respecta a la corriente en sentido inverso se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido directo ofrece unas
  • 8.
    variantes según latensión que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensión hasta llegar a la cresta C desde donde, al recibir mayor tensión, se produce una pérdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensión. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Debido a la alta concentración de carga, los diodos túnel son muy rápidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos magnéticos de gran magnitud y en entornos con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales El símbolo de este diodo es el siguiente:
  • 9.
    Diodo Guun •El diodo Gunn está basado en el descubrimiento de que materiales semiconductores como el Arseniuro de Galio al ser excitados con una tensión continua, genera frecuencias en el espectro de las microondas, todo esto con la particularidad de no usar contacto óhmicos. Este tipo de diodo es similar al diodo tunnel ya que también entra en los semiconductores osciladores de “resistencia negativa”. • Se trata de un generador de microondas (no un rectificador), formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una tensión continua (mayor a 3.3 V/cm), de modo que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo, la corriente que circula por el diodo es continua, pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante (con la cual alcanza oscilaciones de muy alta frecuencia en el rango comprendido entre los 5 y 140GHz). • En la curva característica de la imagen podemos observar que El diodo Gunn a diferencia del diodo túnel, mantiene un ciclo gracias a la continuidad de los impulsos de hiperfrecuencia del material y la cavidad resonante que produce las oscilaciones.
  • 10.
    A continuación elsímbolo y estructura de un diodo gunn.
  • 11.
    Diodo Laser •El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. La palabra LASER proviene de las siglas en inglés: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation que significa: Amplificación de luz por Emisión estimulada de radiación. • Lo anterior se refiere a un extraño proceso cuántico, donde la luz característica emitida por electrones cuando pasan de un estado de alta energía a un estado de menor energía, estimulan a otros electrones para crear "saltos" similares. El resultado es una luz sincronizada que sale del material.Otra característica importante es que la luz emitida no sólo tiene la misma frecuencia (color), sino también la misma fase (también está sincronizada). Este es el motivo por el cual luz láser se mantiene enfocado aún a grandes distancias. • Básicamente este diodo se encuentra construido por una unión pn de dos capas de arsénico de galo dopado. La longitud de la unión pn guarda una relación precisa con la longitud de onda de la luz a emitir. En un extremo de la unión existe una superficie altamente reflectora. Las puntas externas son las conexiones al ánodo y al cátodo.
  • 12.
    • Los Diodosláser, emiten luz por el principio de emisión estimulada, la cual surge cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo, este proceso está acompañado con la emisión de un fotón, con la misma frecuencia y fase del fotón estimulante. Para que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontánea, para que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener una fuerte inversión de portadores, la que se logra con una polarización directa de la unión, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentación positiva facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo más angosto al espectro emitido. • Los diodos LASER tienen una gran cantidad de aplicaciones, por ejemplo para la lectura y escritura de discos ópticos, donde sólo un rayo de luz muy angosto puede ver un área • microscópica en la superficie de un disco. Otras aplicaciones son: Comunicaciones de datos por fibra óptica, Interconexiones ópticas entre circuitos integrados, Impresoras láser, Escáneres o digitalizadores, Punteros láser, Sensores, Armas láser entre muchos otros. • En la actualidad se han descubierto muchas formas de aplicar estos diodos laser en nuevas tecnologías, aquí algunos ejemplos: • En el siglo XXI, científicos de la Universidad de St. Andrews crean un láser que puede manipular objetos muy pequeños. Al mismo tiempo, científicos japoneses crean objetos del tamaño de un glóbulo rojo utilizando el láser. En 2002, científicos australianos "teletransportan" con éxito un haz de luz láser de un lugar a otro. Dos años después el escáner láser permite al Museo Británico efectuar exhibiciones virtuales. En 2006, científicos de la compañía Intel descubren la forma de trabajar con un chip láser hecho con silicio abriendo las puertas para el desarrollo de redes de comunicaciones mucho más rápidas y eficientes.
  • 13.
    • En estafigura se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo láser en función de la corriente aplicada. El umbral de corriente viene determinado por la intersección de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente. Cuando el umbral de corriente es bajo, se disipa menos energía en forma de calor, con lo que la eficiencia del láser aumenta
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    Aquí se muestrael símbolo del diodo laser:
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    Foto Diodo •Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Este diodo se parece mucho a un diodo semiconductor común, pero tiene una característica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina). • Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. • Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz.
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    • Los diodostienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. • • El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1μm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 μm ); o de cualquier otro material semiconductor. • También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 μm), pero estos requieren refrigeración por nitrógeno líquido. • La investigación a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de células solares económicas, miniaturización y mejora de los sensores CCD y CMOS, así como de fotodiodos más rápidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra óptica. • Desde 2005 existen también semiconductores orgánicos. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgánico, basado en fotodiodos orgánicos.
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    • Se comercializanfotodiodos con amplificadores, compensación de temperatura y estabilización en algunos chips. • Los fotodiodos se emplean no solo en comunicaciones ópticas y fotómetros, sino también para control de iluminación y brillo, control remoto por infrarrojos, monitorización de llamas de gas y de petróleo (radiación ultravioleta centrada en la banda de 310 nm), enfoque automático y control de exposición en cámaras. Combinados con una fuente de luz, se emplean en codificadores de posición, medidas de distancia, espesor, transparencia y posición, como detectores de proximidad y de presencia. Los sensores de color se emplean para inspección y control de calidad. Las agrupaciones de sensores se aplican al reconocimiento de formas, manipulación de papeles (fotocopias), lectoras de tarjetas codificadas, etc. El símbolo del fotodiodo es:
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    Diodo Pin •Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia un semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). • Al estar polarizado en inversa, el diodo PIN actúa con capacitancia constante. Con polarización en directa funciona como una resistencia variable. La resistencia directa de la región intrínseca decrece al crecer la corriente. • Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos. Un posterior aumento de la tensión inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. Una variación típica de la capacidad podría ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variación de la polarización inversa. Los valores normales de CR varían desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. • Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en la región p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región i. En la condición de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada.
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    En la siguienteimagen se muestran las variaciones de diferentes parámetros del diodo PIN dentro de sus secciones En la figura a) se muestra la variación de la carga espacial (px), en la figura b) se muestra la variación del campo eléctrico (Ex) y en la figura c) se muestra la variación del potencial (Vx). Todos estos a lo largo de un diodo p-i-n en equilibrio, es decir, sin tensión aplicada.
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    En virtud delas características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. • El símbolo de este diodo es:
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    Diodo Schottky •El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos • pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo).Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes. • Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo. • En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura. • La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V. • En la figura se muestra la construcción física y el símbolo de un diodo schottky. Los diodos Schottky se emplean ampliamente en la protección de las descargas de las celdas solares en instalaciones provistas de baterías de plomo-ácido, así como en mezcladores de frecuencias entre 10 MHz y 1000 GHz instalados en equipos de telecomunicaciones.
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    A continuación semuestra la curva característica del diodo en comparación de los diodos de operación común: • En conclusión nos podemos dar cuenta que el diodo Schottky tiene un segmento muy especial dentro de la electrónica y sus aplicaciones y es específicamente el de trabajar a altas frecuencias de hasta 300MHz, eliminando picos de corriente y en conmutación altísima, con bajos niveles de tensión, umbral bajo y, debido a su construcción, tiempos de respuesta mucho más rápidos.
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