El documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto de campo de óxido metálico semiconductor (MOSFET), transistor de inducción estática (SIT), transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y COOLMOS. Luego se enfoca en los BJTs, describiendo su estructura de tres terminales, operación y configuraciones de base común, emisor común y colector común. Finalmente, discute la polarización DC para BJTs.
2. INTRODUCCIÓN
Tienen características controladas de encendido y
apagado.
Se clasifican de manera general en cinco categorías.
Transistores Bipolares de Unión (BJT)
Transistores de efecto de campo de metal óxido
semiconductor (MOSFET)
Transistor de Inducción Estática (SIT)
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
COOLMOS
5. Un transistor Bipolar se forma agregando una segunda
región p o n a un diodo de unión pn.
Posee tres terminales: Base, Colector y Emisor.
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT)
7. No obstante la corriente en la base es la suma de los
portadores mayoritarios y los minoritarios. Se expresa
mediante:
Al componente de corriente minoritaria se le
denomina corriente de fuga.
9. Asumiendo que el transistor está en estado encendido,
podremos decir que tendrá un Voltaje Base-Emisor de:
CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
10. En condiciones de dc los niveles de IE e IC debido a los
portadores mayoritarios están dados por:
En la mayoría de dispositivos en nivel de alfa, esta
entre los rangos 0,90 y 0,988.
Debido a que alfa solo esta dada para los portadores
mayoritarios:
CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN