Este documento describe el dispositivo UJT (transistor unijuntura), incluyendo su construcción, características, regiones de operación y aplicaciones. El UJT contiene dos regiones semiconductoras y tres terminales (emisor, base 1 y base 2). Se utiliza comúnmente en osciladores y circuitos de disparo debido a su comportamiento de resistencia negativa.

1. DISPOSITIVO UJT
(UNIJUNTION TRANSISTOR)
EQUIPO 3 GRUPO:601 INGENIERO: MACIEL CHÁVEZ JUAN
MARTIN
INTEGRANTES:
GONZÁLEZ RAMÍREZ JUAN DANIEL - ROBLEDO ZAVALA ALEXIS
YOVANY
HERNÁNDEZ DANIEL
05/05/2018
UJT 2N2646UJT 2N4870

2. ÍNDICE
• ¿Qué es un UJT?
• Características especiales del UJT
• Construcción del UJT
• Características del UJT en base a la curva
• Operación del UJT
• Funcionamiento del UJT
• Regiones del UJT
• R. de corte
• R. resistencia negativa
• R. de saturación
• Aplicación del UJT
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3. INTRODUCCIÓN: ¿QUÉ ES O COMO SE
COMPONE?• El UJT también puede ser llamado: transistor uniunión o transistor unijuntura,
(en inglés UJT: UniJuntion Transistor) y es un tipo de transistor que contiene
dos zonas semiconductoras.
• Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2).
• Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-
B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo
largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio,
conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
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4. CARACTERÍSTICAS ESPECIALES DEL UJT• Este es un dispositivo de conmutación del tipo ruptura y
puede provocar grandes tistores con un pulso en B1.
• Sus características lo hacen muy útil en muchos circuitos
industriales, incluyendo temporizadores, osciladores,
generadores de onda, y màs importante aún, en circuitos
de control de puerta para SCR y TRIACs.
• Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un
funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Buen
dispositivo de disparo.
• Esta constituido por dos regiones contaminadas con tres
terminales externos: dos bases y un emisor. El emisor
esta fuertemente dopado con impurezas P y la región N
débilmente dopado con N. Por ello, la resistencia entre
las dos bases, RBB o resistencia Interbase, es elevada (de
5 a 10KΩ estando el emisor abierto).
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5. CONSTRUCCIÓN DEL UJT• Consiste en una placa de material
ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a los extremos de
esta superficie tipo n. Estos se indican como
B1 y B2 respectivamente.
• Un material de tipo p se utiliza para formar
una juntura p-n en el límite de la varilla de
aluminio y la placa de silicio tipo n.
• El tercer terminal llamado emisor (E) se hace
a partir de este material tipo-p. El tipo n está
ligeramente contaminado, mientras que el de
tipo p está fuertemente contaminado. Como
el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una
alta resistencia mientras que el material tipo
p, ofrece baja resistividad puesto que está
fuertemente contaminado.
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6. CARACTERÍSTICAS DEL UJT EN BASE A LA
CURVA• Fijándose en la curva característica del UJT
se puede notar que cuando el voltaje E-B1
sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT
presenta un fenómeno de modulación de
resistencia que: al aumentar la corriente
que pasa por el dispositivo, la resistencia
de esta baja y por ello, también baja el
voltaje en el dispositivo, esta región se
llama región de resistencia negativa.
• Este es un proceso con realimentación
positiva, por lo que esta región no es
estable, lo que lo hace excelente para
conmutar, para:
• Circuitos de disparo de tiristores
• Para osciladores de relajación
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7. CARACTERÍSTICAS DEL UJT EN BASE A LA
CURVA• En la curva se puede apreciar que a medida que aumenta el VE,
aumenta la corriente IE hasta un punto máximo IP.
• Mas allá del punto máximo, la corriente aumenta a medida que
disminuye la tensión en la región de resistencia negativa
(disminución de la resistencia), hasta que la tensión alcanza un
mínimo en el punto valle.
• La resistencia RB1 o resistencia de saturación es mas bajo en el punto
valle.
• Donde:
• VP: voltaje de pico o tensión de disparo.
• IP: corriente de pico (de 20 a 30 µA).
• VV: voltaje de valle del emisor.
• IV: corriente de valle el emisor. 05/05/2018

8. OPERACIÓN DEL UJT
• El UJT se polariza normalmente según se ve en su curva de
polarización. La base B1 se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V).
Por la resistencia RB1B2 circula entonces una corriente B2:
• 𝐼 𝐵2 = 𝐼𝑒 =
𝑉 𝐵𝐵
𝑅 𝐵𝐵
; 𝜂 =
𝑅 𝐵1
𝑅 𝐵𝐵
• El cátodo del diodo emisor se encuentra a una tensión:
• 𝑉𝐶 =
𝑅 𝐵1
𝑅 𝐵1+𝑅 𝐵2
𝑉𝐵𝐵 =
𝑅 𝐵1
𝑅 𝐵𝐵
𝑉𝐵𝐵 = 𝜂𝑉𝐵𝐵
• El diodo puede presentar una polarización inversa si (Ve) es inferior a
(Vc) por lo que se presentará una corriente de fuga (Ieb0) muy
pequeña. Por otro lado si (Ve) es superior (Vc), el diodo queda
polarizado directamente y por ende circula una corriente (Ie) formada
por portadores minoritarios que son depositados en R1. 05/05/2018

9. FUNCIONAMIENTO DEL UJT• El punto de funcionamiento viene determinado por
las características del circuito exterior.
• El funcionamiento del UJT se basa en el control de la
resistencia RB1B2 mediante la tensión aplicada al
emisor.
• Si el emisor no está conectado ó VE < VP ⇒ Diodo
polarizado inversamente ⇒ no conduce ⇒ IE = 0.
• Si VE ≥ VP ⇒ Diodo polarizado directamente ⇒
conduce ⇒ aumenta IE.
• Cuando IP < IE < IV ⇒ entramos en una zona de
resistencia negativa donde RBB varia en función de
IE.
• A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye
hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se
polariza inversamente.
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10. REGIONES DEL UJT: REGIÓN DE CORTE
• Región de corte: En esta región, la tensión de emisor es baja de
forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el
diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE <
VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente
ecuación: Donde la VD varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de
0.5 V. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo
lineal entre las dos bases de valor RBB.
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11. REGIONES DEL UJT: REGIÓN DE RESISTENCIA
NEGATIVA• Región de resistencia negativa: Si la tensión de emisor es suficiente
para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en
conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia
R1 debido a procesos de recombinación.
• Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con
un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En
esta región, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de
pico y de valle (IP< IE< IV).
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12. REGIONES DEL UJT: REGIÓN DE SATURACIÓN
• Región de saturación: Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor
con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una
relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de
emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de
valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT
entrara de forma natural a la región de corte.
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13. APLICACIÓN DEL UJT: OSCILADOR DE
RELAJACIÓN
• Funcionamiento de un oscilador de relajación con UJT
• Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control
de potencia como Tiristores o TRIACs
1. El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT,
cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1.
2. El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle
(Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios.
3. Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el
capacitor inicia su carga otra vez.
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Línea verde representa la forma en la que se carga y
descarga el capacitor.
El gráfico de línea negra representa el voltaje que
aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra)
cuando el capacitor se descarga.

14. APLICACIÓN DEL UJT: OSCILADOR DE
RELAJACIÓN• Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar
tanto el capacitor C como el resistor R1.
• R2 y R3 también son importantes para encontrar la frecuencia de
oscilación.
• La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por: F =
1/R1C
• Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar
entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos
valores se obtienen con las siguientes fórmulas: R1 máximo = (Vs
- Vp) / Ip ; R1 mínimo = (Vs - Vv) / Iv
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Línea verde representa la forma en la que se carga y
descarga el capacitor.
El gráfico de línea negra representa el voltaje que
aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra)
cuando el capacitor se descarga.

15. CONCLUSIÓN: VIDEO DE APLICACIÓN DE UJT
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https://www.youtube.com/watch?v=ZOOUofPeSYY

16. BIBLIOGRAFÍA (APA)
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• Alley. (2001). Ingeniería Electrónica. Colombia: Atwood.
• Boylestad. (2006). Electrónica. Teoría de circuitos. Nashelsky: Electronic.
• Maloney, T. J. (1983). Electrónica Industrial: Dispositivos y Sistemas. México:
Prentice Hall Hispanoamérica.
• Philips, P. y. (2005). Electricidad y magnetismo clásico. New York, Dover: W.
K. H.

17. GRACIAS POR SU
ATENCIÓN
QUE TENGAN UN BUEN DÍA! 
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